Есть ли в MWO нелинейная модель стабилитрона (диода Зенера)?

Добрый день. Кто-нибудь может глянуть у себя изменяется ли ВАХ модели EEHEMT при изменении его параметра Idsoc. То ли глюк словил то ли что, вроде на прошлой неделе ток реагировал в соответствующую сторону при изменении этого параметра. На всякий случай прикрепил проект.

И на всякий случай переспрошу:


Сообщение отредактировал K0nstantin - Jul 18 2017, 09:54

На изменение реагирует нормально

Вот новые изменения, AWR v.13

Сообщение отредактировал timer32 - Jul 25 2017, 23:30

Больше похоже на то, что Вы на схеме в IVCURVE внесли изменения напряжения по затвору в больший плюс...

Уважаемые коллеги, как сделать активной библиотеку(усилителей, смесителей, переключателей) из RF Planning?





На картинке ниже видно, что она активна



При попытке открыть активную папку выскакивает сообщение: Select Folder for Library Files
Как быть дальше?

А какая у Вас версия? Может нужно создать новую папку и поместить туда библиотеку? Потом ссылаться на эту папку.

Никогда не доводилось внедрять в анализ статических параметров части из ЕМ-редактора. Сегодня сделал это. В результате анализ схем выполняется частично.
Создал небольшой файлик, который прикрепил. Он включается в себя транзистор с микрополосковой структурой.
На рассогласование не обращайте внимания.
Малосигнальное моделирование всегда происходило без ошибок в этом плане. Не хотят считаться такие характеристики, как например, ВАХ, P1dB. Либо считаются, но совсем коряво. В примере можно попеременно подключать TL33, B4 и B4_1.
Мои наблюдения:
- если в схеме используется стандартные элементы из схематика, всё ОК.
- из ЕМ-подсхем только не удалось добиться негативного влияния наличия сквозных отверстий. Т.е. тоже ОК.
- если полосок ЕМ-подскхемы короткий, то всё вроде адекватно считается.
- начиная с некоторой длины полоска ЕМ-подсхемы, симулятор считает всё хуже и хуже.
- в случае подключения ЕМ-структуры, успешность симуляции будет зависеть и от параметров транзистора. Например, c B4 считается хорошо и количестве затворов 12. Заменив количество заходов затвора (например, на 40), ВАХ строится, но абы как.

Что не так? Пробовал различные параметры сетки, разные частоты. Зная MWO, не удивлюсь, если нужно где-то снять/поставить галочку стоящую либо не стоящую по умолчанию... Может, проблема в настройках симулятора

AWR 10.01r. Симулятор AXIEM.

Сообщение отредактировал K0nstantin - Sep 20 2017, 11:11

13
Ух ты А я то думал Покажите?

А может для начала Help внимательно почитать?!! И как бы посмотреть какие библиотеки нужны для RFP? Тогда и вопросики сами собой отпадут.


Тут правильней будет спрашивать - где взять библиотеке для RFP, а не как их "прикрутить".

Как в передаче "Где логика" - Красавчик помоги
Help читал а где взять библиотеки так и не понял

Сообщение отредактировал l1l1l1 - Sep 24 2017, 00:08

Где взять библиотеки для RFP?

Доброго времени суток! Подскажите как правильно проводить анализ устойчивости двухкаскадных усилителей СВЧ в AWR MO? Тема ранее поднималась,но ответа не нашел. Насколько знаю во вкладке Stability (K) используется только для одного каскада.

Откуда такая информация? Да там записано, что только для двух портов, но порты то в схеме могут охватывать два каскада. В книге уважаемых Резервига с Потаповым в разделе 6.3 первым идёт формула коэффициента устойчивости. В неё входят S-параметры (то есть параметры портов), а вот каких портов, я думаю Вам решать. Хотя может я и не прав.

Если интересует что происходит между каскадами, то можно воспользоваться элементом Gamma Probe

https://awrcorp.com/download/faq/english/do...t_stab_analysis

Информация с helpa от AWR. Вот здесь написано, что не подходят измерения К и В1:




Благодарю за ответ! Попробую данный метод!