Конкретно, NX3008NBK хочу включить так: на стоке напряжение, которое хочу коммутировать, в затворе - управляющий логический сигнал через резистор с микроконтроллера, в истоке - нагрузочный резистор около 1 кОм. Напряжение на нагрузке плюс порог включения транзистора будут меньше управляющего с МК. При симуляции я вижу, что все работает. Есть ли что-то, о чем нужно подумать?

Зачем? В таком включении не вижу пролезания управляющего сигнала в нагрузку.

Опасностей в таком режиме нет имхо: предельные токи и мощности превышены не будут.
Но у порогового напряжения обычно есть температурная зависимость., поэтому напряжение на нагрузке будет меняться.

Это же ключ. В открытом состоянии около 1 ома сопротивление. Порог в самых худших условиях не превысит 1,25 В. У меня контроллер будет больше выдавать.

Что будет в простейшем варианте - трудно сразу сказать..., а вот если не упрощать, то всё более или менее очевидно...
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/cd4066b.pdf

Паспортное сопротивление канала (типовое 1 Ом) будет при напряжении затвор-исток 4.5 В
Максимальное напряжение на нагрузке в предлагаемом включении - это напряжение на затворе (на выходе контроллера) минус пороговое напряжение (Vgsth).
Пороговое напряжение для этого транзистора: типовое 0.8 В, допустимое отклонение 0.6 ... 1.1 В. Температурную зависимость порогового напряжения не специфицируют.

Вообще то это high side получается. я в таких случаях ставлю high side driver. или P-FET поставте.

Почему не истоковый повторитель? Напряжение на стоке так мало?

Потому что нужен ключ.
Напряжение на стоке примерно равно напряжению включения на затворе.
PMOS ключ здесь можно поставить. Но интересуюсь, что плохого в моей схеме.


Хочу упрощать. У предложенной классики слишком большое сопротивление ключа. Подобных ключей у Analog Devices - вагон и малая тележка, аж глаза разбегаются.
Меня напрягает пролезание управляющего сигнала на выход. Инжекция заряда. Так, понимаю, описывается во всех характеристиках ключей.

Инжекция заряда будет в любом полупроводниковом ключе, в каком-то больше, в каком-то меньше. Если беспокоит инжекция, то есть техники её уменьшения (с помощью компенсационного заряда). Ну или заменить ключ на реле.

И да, выше сказали, в вашей схеме включения n-канальный транзистор работает в режиме истокового повторителя, но не ключа. Что такое истоковый повторитель написано во всех учебниках, в которых рассматривается проектирование аналоговых схем на МОП транзисторах.

Не путайте JFET и MOSFET. Последний будет работать как ключ. High side switch, выше сказали.


На графиках есть.
П. С. Я неправильно ответил Herz-у. Напряжение на стоке будет меньше, раза в 2 поделится делителем. Один резистор - перед стоком, второй - после истока (в начале его упоминал). Со второго идет на выход.

Получается что 50% энергии уходит в нагрузку и 50% рассеивается на резисторе "перед стоком". Не эффективный какой-то ключ получается.

Нужно выдать точное напряжение. Или не выдать. Об энергии речи нет.

А оно есть. Управляющий сигнал будет лезть через емкость затвора (а она немаленькая) на выход (и на сток и на исток - куда получится)

Есть. Но проявляется не как выброс на переходной характеристике, в противоположную сторону в начале перехода. А как "вброс" в ту же самую сторону. Симулятор LTspice так демонстрирует. Второй вариант проще сгладить фильтром. (исправил описание)

Тогда может быть будет проще поискать ключ с маленьким charge injection ? Они есть.