Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: NMOS ключ, нагрузка в истоке
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Сайт и форум > В помощь начинающему > Схемотехника
ViKo
Конкретно, NX3008NBK хочу включить так: на стоке напряжение, которое хочу коммутировать, в затворе - управляющий логический сигнал через резистор с микроконтроллера, в истоке - нагрузочный резистор около 1 кОм. Напряжение на нагрузке плюс порог включения транзистора будут меньше управляющего с МК. При симуляции я вижу, что все работает. Есть ли что-то, о чем нужно подумать?

Зачем? В таком включении не вижу пролезания управляющего сигнала в нагрузку.
Jurenja
Опасностей в таком режиме нет имхо: предельные токи и мощности превышены не будут.
Но у порогового напряжения обычно есть температурная зависимость., поэтому напряжение на нагрузке будет меняться.
ViKo
Цитата(Jurenja @ Oct 24 2017, 17:23) *
Но у порогового напряжения обычно есть температурная зависимость., поэтому напряжение на нагрузке будет меняться.

Это же ключ. В открытом состоянии около 1 ома сопротивление. Порог в самых худших условиях не превысит 1,25 В. У меня контроллер будет больше выдавать.
варп
Что будет в простейшем варианте - трудно сразу сказать..., а вот если не упрощать, то всё более или менее очевидно...
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/cd4066b.pdf
Jurenja
Паспортное сопротивление канала (типовое 1 Ом) будет при напряжении затвор-исток 4.5 В
Максимальное напряжение на нагрузке в предлагаемом включении - это напряжение на затворе (на выходе контроллера) минус пороговое напряжение (Vgsth).
Пороговое напряжение для этого транзистора: типовое 0.8 В, допустимое отклонение 0.6 ... 1.1 В. Температурную зависимость порогового напряжения не специфицируют.
Jenya7
Цитата(ViKo @ Oct 24 2017, 19:10) *
Конкретно, NX3008NBK хочу включить так: на стоке напряжение, которое хочу коммутировать, в затворе - управляющий логический сигнал через резистор с микроконтроллера, в истоке - нагрузочный резистор около 1 кОм. Напряжение на нагрузке плюс порог включения транзистора будут меньше управляющего с МК. При симуляции я вижу, что все работает. Есть ли что-то, о чем нужно подумать?

Зачем? В таком включении не вижу пролезания управляющего сигнала в нагрузку.

Вообще то это high side получается. я в таких случаях ставлю high side driver. или P-FET поставте.
Herz
Цитата(ViKo @ Oct 24 2017, 17:31) *
Это же ключ.

Почему не истоковый повторитель? Напряжение на стоке так мало?
ViKo
Потому что нужен ключ.
Напряжение на стоке примерно равно напряжению включения на затворе.
PMOS ключ здесь можно поставить. Но интересуюсь, что плохого в моей схеме.

Цитата(варп @ Oct 24 2017, 17:49) *
Что будет в простейшем варианте - трудно сразу сказать..., а вот если не упрощать, то всё более или менее очевидно...
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/cd4066b.pdf

Хочу упрощать. rolleyes.gif У предложенной классики слишком большое сопротивление ключа. Подобных ключей у Analog Devices - вагон и малая тележка, аж глаза разбегаются.
Меня напрягает пролезание управляющего сигнала на выход. Инжекция заряда. Так, понимаю, описывается во всех характеристиках ключей.
Jurenja
Инжекция заряда будет в любом полупроводниковом ключе, в каком-то больше, в каком-то меньше. Если беспокоит инжекция, то есть техники её уменьшения (с помощью компенсационного заряда). Ну или заменить ключ на реле.

И да, выше сказали, в вашей схеме включения n-канальный транзистор работает в режиме истокового повторителя, но не ключа. Что такое истоковый повторитель написано во всех учебниках, в которых рассматривается проектирование аналоговых схем на МОП транзисторах.
ViKo
Не путайте JFET и MOSFET. Последний будет работать как ключ. High side switch, выше сказали.

Цитата(Jurenja @ Oct 24 2017, 17:51) *
Температурную зависимость порогового напряжения не специфицируют.

На графиках есть.
П. С. Я неправильно ответил Herz-у. Напряжение на стоке будет меньше, раза в 2 поделится делителем. Один резистор - перед стоком, второй - после истока (в начале его упоминал). Со второго идет на выход.
LII
Цитата(ViKo @ Oct 25 2017, 09:08) *
Напряжение на стоке будет меньше, раза в 2 поделится делителем. Один резистор - перед стоком, второй - после истока (в начале его упоминал). Со второго идет на выход.

Получается что 50% энергии уходит в нагрузку и 50% рассеивается на резисторе "перед стоком". Не эффективный какой-то ключ получается.
ViKo
Цитата(LII @ Oct 25 2017, 13:33) *
Получается что 50% энергии уходит в нагрузку и 50% рассеивается на резисторе "перед стоком". Не эффективный какой-то ключ получается.

Нужно выдать точное напряжение. Или не выдать. rolleyes.gif Об энергии речи нет.
XVR
Цитата(ViKo @ Oct 24 2017, 17:10) *
Зачем? В таком включении не вижу пролезания управляющего сигнала в нагрузку.
А оно есть. Управляющий сигнал будет лезть через емкость затвора (а она немаленькая) на выход (и на сток и на исток - куда получится)

ViKo
Цитата(XVR @ Oct 25 2017, 14:04) *
А оно есть. Управляющий сигнал будет лезть через емкость затвора (а она немаленькая) на выход (и на сток и на исток - куда получится)

Есть. Но проявляется не как выброс на переходной характеристике, в противоположную сторону в начале перехода. А как "вброс" в ту же самую сторону. Симулятор LTspice так демонстрирует. Второй вариант проще сгладить фильтром. (исправил описание)
XVR
Цитата(ViKo @ Oct 25 2017, 14:39) *
Есть. Но проявляется не как выброс на переходной характеристике, в противоположную сторону в начале перехода. А как "вброс" в ту же самую сторону. Симулятор LTspice так демонстрирует. Второй вариант проще сгладить фильтром. (исправил описание)

Тогда может быть будет проще поискать ключ с маленьким charge injection ? Они есть.

ViKo
Пошел искать. С пикокулонами. А у этих транзисторов - нанокулоны.
варп
ViKo, на глаза попалось... Посмотрите - вдруг для Ваших нужд сгодится...
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
https://www.compel.ru/lib/ne/2012/2/8-byist...nyie-rele-ot-ir

------------------
https://www.compel.ru/lib/ne/2008/12/7-anal...leksoryi-vishay
Herz
Цитата(ViKo @ Oct 25 2017, 07:35) *
Потому что нужен ключ.

Цитата(ViKo @ Oct 25 2017, 10:08) *
Не путайте JFET и MOSFET. Последний будет работать как ключ. High side switch, выше сказали.

Не пойму, почему MOSFET не будет работать как истоковый повторитель. Просто потому что Вам нужен ключ? Да, на истоке напряжение не повторит затворного, но транзистор останется в активном режиме, а не ключевом.
Цитата
Напряжение на стоке примерно равно напряжению включения на затворе.

Как тогда можно говорить о ключевом режиме? Для ключа напряжение на затворе должно быть выше напряжения на истоке на величину порога. А у Вас все они будут примерно равны...
Или я чего-то не понимаю?
Plain
Автор коммутирует некий заурядный делитель напряжения, но по неизвестной причине посредством его разрыва, т.е. соединяя два его "горячих" вывода.
ViKo
Цитата(Herz @ Oct 25 2017, 22:44) *
Не пойму, почему MOSFET не будет работать как истоковый...
Или я чего-то не понимаю?

Вы кое-что не прочитали. Дальше я исправился.

Да, ключ стоит в разрыве делителя. Поделить, потом на ключ?
Впрочем, там управляющее напряжение больше коммутируемого и без делителя.
Поскольку пикокулоны лучше нанокулонов, ухожу на ADG819.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2024 Invision Power Services, Inc.