Добрый день коллеги!

Раньше, когда вставала задача построить ВЧ устройство всегда применял готовые 50ом эл-ты, а тут был строгий указ. RD07MVS1, "т.к. мы их купили черти сколько и их нужно применить, так что модули оставь на потом..."

Начал разбираться. В даташит приведены S параметры до Гига, а так же пару точек комплексо сопряженных импедансов входа и выхода. По моему предположению (верно ли оно?), если пересчитать S в Z на тех частотах, для которых указанны компл. сопр. Z, и поменять знак, должно все сойтись.

Т.е. в даташит указанно, что на 520МГц сопряженное Zin=0.76+j0.06, и, т.к. Zo=10Ом, Zin=7.6+j0.6Ом, поменяв знак получим, что входное сопротивление транзистора 7.6 - j0.6 Ом.

Далее, следуя моей логике, берем точку по S хар. на частоте 520МГц получаем отражение 0.935 угол (-178.5). Пересчитываем в Z и получаем 1.68-j0.65 Ом, что не сходится с полученными ранее 7.6 - j0.6Ом.

Для чистоты эксперимента еще олна точка, 175МГц:

15.5-j55.3 Ом по диаграмме и 2.67 - j1.72 Ом при пересчете из S, разница огромная.

Товарищи, где и что я наврал?

Посмотрите пожалуйста кракие примеры по согласованию в ВЧ и СВЧ - написано просто и по-человечески vm-lab.narod.ru (в низу) и прекрасная прога рекомендована.

Как раз очень подробно описано чтение параметров из ДШ.

Где вы Мицубиши покупали ?

Сообщение отредактировал Shurmas - Sep 9 2006, 00:21

2Shurmas:

1. Читал я этот краткий курс, все что описано мной выше не противоречит тексту автора....

Так что вопрос остается открытым...

2. Митсубиши - Платан, Симметрон.

скачал ДШ - похоже данные странные. тогда просчитайте импеданс по схемам подключения двигаясь от 50 ом.

и посмотрите усилок на нем 450-520 МГц реф дезин ANUHF027B.pdf

там тоже можно сделать и выяснить. Ну иль письмо им напишите.

на 520 МГц расчетом по реф дезин ANUHF027B.pdf получилось
входное 2.1 - J0.5 - вот так ...

Shurmas, расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись...

Мой расчет:

1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B
2. Проверяем 50омность линии, которую они используют.

Ширина: 2.2 мм
Eps: 2.7
Толщина диэл: 0.8 мм
Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001

Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты:

Zo=48.8
Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646
Eps(эффективное) = 2.22125

Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003

Zo=48.7
Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения.
Eps(эффективное) = 2.2121

Вывод: линия из аппноута соответствует правде.

3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку:

34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27

4. Итого нам известно:
*Начальная точка 50ом
*параметры всех линий
*номиналы всех сосредоточенных эл-тов.

5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит.


6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита...

7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно.

Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится....

Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...Расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись...

Мой расчет:

1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B
2. Проверяем 50омность линии, которую они используют.

Ширина: 2.2 мм
Eps: 2.7
Толщина диэл: 0.8 мм
Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001

Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты:

Zo=48.8
Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646
Eps(эффективное) = 2.22125

Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003

Zo=48.7
Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения.
Eps(эффективное) = 2.2121

Вывод: линия из аппноута соответствует правде.

3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку:

34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27

4. Итого нам известно:
*Начальная точка 50ом
*параметры всех линий
*номиналы всех сосредоточенных эл-тов.

5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит.


6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита...

7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно.

Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится....

Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...Расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись...

Мой расчет:

1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B
2. Проверяем 50омность линии, которую они используют.

Ширина: 2.2 мм
Eps: 2.7
Толщина диэл: 0.8 мм
Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001

Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты:

Zo=48.8
Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646
Eps(эффективное) = 2.22125

Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003

Zo=48.7
Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения.
Eps(эффективное) = 2.2121

Вывод: линия из аппноута соответствует правде.

3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку:

34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27

4. Итого нам известно:
*Начальная точка 50ом
*параметры всех линий
*номиналы всех сосредоточенных эл-тов.

5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит.


6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита...

7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно.

Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится....

Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...Расскажите как считали, Ваши результаты с моими не сошлись...

Мой расчет:

1. Расчет ведется для для входной цепи по документу AN-UHF-027-B
2. Проверяем 50омность линии, которую они используют.

Ширина: 2.2 мм
Eps: 2.7
Толщина диэл: 0.8 мм
Толщину фольги и тангенс потерь возьмен средние 0.035 и 0.001

Для указанных данных программа TXLINE 2003 из пакета MWO дале следующие результаты:

Zo=48.8
Погонное измеение фазы@520МГц = 930.646
Eps(эффективное) = 2.22125

Проверим тоже самое программой TLine из пакета GENESYS 2003

Zo=48.7
Погонное измеение фазы@520МГц = примерно 910-950, т.к. считал приближенно из коэф. укорочения.
Eps(эффективное) = 2.2121

Вывод: линия из аппноута соответствует правде.

3. Для каждого кусочка линии высчитываем фазовую задержку:

34.5мм = 32.12град 11.5=10.707 7=6.5 4.6=4.28 29=27

4. Итого нам известно:
*Начальная точка 50ом
*параметры всех линий
*номиналы всех сосредоточенных эл-тов.

5. Наносим все это на диагр смита (я использовал SmithChart www.rfdude.com) и получаем, что на конце последней линии Z=2.06+j22.74, соответственно Zвхтранзистора 2.06-j22.74@520МГц, что не соответствует ни S11, ни Z из даташит.


6. Для проверки вычислений введем входную схему в GENESYS 2003, в качестве линий используем элемент TLP, описывающий физическую линию. Длины линий берем из апликашки, Eps эффективное из расчетов в п.2 Получаем на конце последней линии Z=2.07+j22.7, что абсолютно сошлось с расчетом по диаграмме смита...

7. Если расчет по диаграмме смита совпал с расчетом в GENESYS, считаем что обе программы дают математически верные результаты. Поэтому расчет Z на конце линии для схемы из даташит на транзистор проведем в GENESYS, т.к. там это более удобно.

Результаты: на конце последней линии Z=1.05-j1.6, значит Z транзистора должно быть 1.05+j1.6, что опять не сходится....

Итого: Вопрос из моего первого поста остается открытым...

Все дело в том, входное и выходное сопротивление транзистора дано при условии полного согласования по входу и выходу и обратная связь внунтренняя (транзистора) действует. А S-параметры даны для случая:
S11 - когда согласование по выходу полное, по входу измеряют коффициенты отражения.
и обратная связь действует.

В чём разница? В одном случае полное согласование по выходу и входу, в другом согласование только по выходу. Обратная связь влияет на входное сопротивление транзистора. Поэтому и разница в результатах.

Аналогично и для S22.

Возвращаю вас в начало темы. Не нужно смешивать приведенные S-параметры(малосигнальные) с приведенными последователными входными импедансами на отдельных частотах при номинальной мощности (большие сигналы). Они никогда не совпадут. Во всех ваших дальнейший согласованиях никакие взаимные харакеристики S12 и S21 не участвуют, делается все отдельно для входа и выхода.
Если ваша схема 2х тактная, согласовывайте половину до 25 ом. Нарисуйте экв. послед. схему в Office, если там работаете, добавьте 1 порт, получите S11/S22 и дальше все по схеме. Кондеры для симуляции
вставляйте конкретные(AVX, ATC), а не идеальные(даже с Q).

Сообщение отредактировал serges - Sep 9 2006, 16:29

Я использовал прогу SMITH 2.02 (там очень простое графическое построение) которая рекомендована и скачивается в курсе по согласованию.

Вы заметили что линия перед затвором короткая а на рисунке отсутствует десятичная точка в длине линии ? помоему нет !

Реальная часть у нас совпала практически.

Но я не спорю, возможно вы посчитали точней.



Почему вы считаете их малосигнальными ? я не спорю, а просто хочу узнать. ведь это не отмечено в ДШ. кстати параметры тоже приведены для конкретных частот - как и обычно бывает.




Как вы это узнали ? где об этом написано в ДШ или еще где либо ?

Посмотрите сами datasheet на RD07... Id=750 mA. Там приведены режимы транзистора отнюдь не малосигнальные. И вообще какой смысл приводить S-параметры для режимов в которых транзистор не будет использован?

А на счет S11, это определение приводиться в любом учебнике, я сразу затрудняюсь на память назвать ссылку. А впрочем в этой же теме была прекрасная ссылка www.vm-lab.narod.ru. Посмотрите!

Сообщение отредактировал Valery_Vlad - Sep 9 2006, 17:00

Читайте литературу. Это обычное дело: на мощные транзисторы приводят только несколько входных сопротивлений на нескольких частотах при номинальной мощности. Посмотрите транзисторы Motorola, Macom и др., все одно и то же. Посетите www.freescale.com (это Motorola), www.macom.com -там много AN по этому поводу и по согласованиям в том числе.
Если Вы не занимались этим (модули не в счет), горя нахлебаетесь. Согласование- полбеды, дальше вопрос стабильности, работа на резонансную антенну. Из своего большого опыта УМ (до 1кВ) могу сказать, дешевле будет применять все те же модули.

Мне кажется, что ничего страшного. У RD07... на частотах 470-500 МГц активное входное и выходное сопртивление. Это позволяет согласовать легко в широком диапазоне частот вход и выход транзистора. А вопрос устойчивости, это вопрос хорошего согласования. Если не будет отражений на входе и выходе, то схема будет абсолютно устойчива. А вопрос работы на резонансную антенну, я не понимаю, в чем трудность?! Этот транзистор у меня работает в 5 ваттном передатчике без проблем.

Smith да и другие проги считают устойчивость, кстати в упомянутом выше курсе по согласованию есть уроки по MWO там как раз расчет усилителя и на устойчивость в том числе.

2Valery_Vlad:



А как такие измерения проводят? Ведь получается, что для промера одной точки S11, нужно заново настраивать выходную цепь, причем, по всей видимости, вручную...

Я всегда думал, что S11 и S22 измеряют при нагруженных противоположных концах на 50ом. Т.е. взяли транзистор, подключили к нему векторный анализатор, дали смещение и смотрим готовые Sxx....

2Shurmas:

Спасибо за подсказку, действительно не заметил точку. Пересчитанный результат 1.7+j0.15.

2Всем:

Попробовал промоделировать такой случай: В GENESYS взял двухполюсних, подгрузив ему S параметры из файла к тр-ру, и ко входу подключил входную цепь, которую обсуждали выше, после чего замерял S22. Получил вот таку картинку:



Верхняя кривая из файла, нижняя - то что "намеряли".... Мимо, но очень близко. Даже изгибы повторяются... ;-)

Далее те же действия, только для выходной цепи и S11. Красная из файла, оранжевая из расчета.



Еще более мимо, но все равно рядом.

Ну думаю соберу все до кучи и увижу красивый закрутасик вокруг 50ом на частотах вблизи 520МГц. Но был разочарован....





Так как же мне все таки согласовать этот транзистор?