|
Управление верхним ключом NMOS |
|
|
|
Jan 5 2018, 11:49
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 2 957
Регистрация: 19-09-06
Из: Москва
Пользователь №: 20 514

|
Всем привет, с прошедшим и наступающим!
 РЈРСВВВеньшено Р В Р’В Р СћРІР‚ВВР С• 81%
884 x 680 (52.28 килобайт)
|
Есть вопрос по сабжу Входные параметры по схеме: Vbat=24V (при зарядке до 27.5) Vmix=24V Т.к. это N-MOS, пришлось городить повышающий преобразователь, от которого в звтворе относительно истока будет 12В Также и диоды внутренние не создают в истоке потенциала (в отличие от аналогичной схемы с P-MOS), поэтому добавлен резистор R24 В симуляторе, вроде как, все четко, но, ввиду моей неопытности в этих вещах, насколько правильна такая схемотехника? Спасибо
|
|
|
|
|
Jan 5 2018, 13:14
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 465
Регистрация: 13-05-15
Из: Запорожье
Пользователь №: 86 663

|
Цитата(toweroff @ Jan 5 2018, 15:55)  R24 все-таки необходим? Странно, но в LTSpice у меня и с ним, и без него все нормально. Никак не пойму почему... R24 необходим для привязки потенциала истоков к управляющему напряжению затворов. Без R24 потенциал истоков привязан через внутренний диод транзистора Q2 и источник VMIX. Поэтому схема работает в обоих случаях, по крайней мере в симуляторе. Цитата(toweroff @ Jan 5 2018, 15:55)  по самой схеме вопросов и замечаний нет? И все таки сложно. С Р-канальными ключами нужны только стабилитрон, R5 и транзистор, коммутирующий R5 на минус. Причем транзистор работает в режиме ВКЛ/ВЫКЛ. А так еще и источник +36 В.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|