Всем привет, с прошедшим и наступающим!
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Есть вопрос по сабжу
Входные параметры по схеме:
Vbat=24V (при зарядке до 27.5)
Vmix=24V
Т.к. это N-MOS, пришлось городить повышающий преобразователь, от которого в звтворе относительно истока будет 12В
Также и диоды внутренние не создают в истоке потенциала (в отличие от аналогичной схемы с P-MOS), поэтому добавлен резистор R24
В симуляторе, вроде как, все четко, но, ввиду моей неопытности в этих вещах, насколько правильна такая схемотехника?
Спасибо