1) Спасибо за ответ! А, если я спроектирую фильтр опустившись в нижнее ограничение -70 дБм, заэкранирую его... Потом соберу два таких экранированных фильтра и последовательно соединю, то затухание так и останется в -70 или станет -140дБм? Как я понимаю должно стать -140, но чем чёрт не шутит)
2) Я настраиваю толщину меди в элементе SUB+в элементе "STACKUP" или нужно гдето ещё галочку под это дело ставить?
3) Ну вот я в элементе "STACKUP" и настраиваю параметры Top Boundary, Bottom Boundary, Side Boundary на медь создавая тем самым экран вокруг фильтра, поэтому и пытаюсь найти размеры ширины, длины получившейся комнаты чтобы с точностью произвести плату и экран к ней или я чтото не так делаю?

На 2 и 3. Если используется вычислитель AXIEM, то ему, мягко выражаясь, наплевать, что Вы там определили в STACKUP. Щёлкните правой кнопкой мышки по имени ЕМ структуры в левом окне просмотра проекта и выберите Options. Откройте вкладку Mesh и посмотрите, в этом окне отмечено Model as Zero Thickness (модель как нулевая толщина). Откройте 3-х мерное отображение и убедитесь, что никакой толщины у проводников нет. Заданная толщина используется только для примерного определения потерь по приближённым формулам (которые Вам не нравятся) без учёта краевых эффектов. Кроме того нет никаких боковых и верхней стенок. их можно создать только в топологии ЕМ структуры и уже этим стенкам присвоить определённые материалы. А то что в 3-х мерном отображении показывается какой то корпус, так это тольно для удобства отображения.
На 1. Да, крутизну скатов можно увеличить в два раза (ну или примерно в два раза, это может зависеть от ширины полосы пропускания). Для этого нужно соединить два одинаковых фильтра на небольшом расстоянии и установить между ними аттенюатор с ослаблением 2-3 дБ. Потери в полосе увеличатся на эту величину, но крутизна вырастит значительно. Мы иногда это используем.
На картинке характеристика одного и двух фильтров с аттенюатором между ними примерно 2.5 дБ.
Почемуто загрузились сразу три одинаковых картинки, а как удалить лишние, я не знаю.

1) Спасибо! Да в Axieme всё делаю, EMSight при шаге сетки менее 0.1мм у меня залагивает и отмирает, Sonnet пока не подключал, не тестил... Не плохо так график сдвинулся когда толщину стал учитывать...
2) Случайно обнаружил - если в EM-е перейти обратно из Layout в схему появится "хрень" как на приложенном рисунке и тут появляются отличия от "обычного" схематика:
а-в элементе STACKUP, во вкладке "слои диэлектриков", по сравнению с тем же элементом находящимся в "обычном" схематике отсутствует параметр Side Boundary, что видимо лишний раз доказывает ваши слова о том что Axiem представляет плату бесконечностью, попробовал Side Boundary менять с меди на воздух - ничего не поменялось (жаль*((), а вот с тем что Axiem игнорирует верхнюю крышку вы ошиблись т.к. меняя параметр Top Boundary с открытого на крышку и меняя разные толщины воздуха мы получаем, что результатам моделирования почти плевать на изменения толщин воздуха при отсутствии крышки (что логично), а в случае наличии крышки и различных толщинах воздуха результат неплохо плавает+при уменьшении толщины воздуха минимальная планка затухания(то о чём я ранее спрашивал) поднимается - 8мм воздух затухание -70дБм; 1мм воздух -40дБм, если исходить из того что Axiem считает переотражения от крышки то всё сходится.
б-элемент ENCLOSURE который как раз и задаёт длину и ширину комнаты в 3д ЕМ-виде, и к сожалению он и правда ни за что не отвечает так как вручную его параметры не меняй в конечном итоге ничего не изменится... чтобы посчитать с экраном придётся самому переходными его рисовать как и говорил многоуважаемый K0nstantin. Правда что из этого получится непонятно...
3) Не очень понимаю физический процесс в данном случае... Вы итоговый фильтр на анализаторе мерили? а при выпайке аттенюатора и соединении перемычкой всё шло "коту под хвост"? Вы это моделировали двумя
EM-структурами соединёнными элементом с s2p параметром? Ибо если так, то мне кажется от аттенюатора можно и избавится...

На 1. В отличие от AXIEM в EMSight ЕМ структура должна точно совпадать с сеткой, а порты должны находиться точно на боковых стенка. Проверьте, соблюдается ли это у Вас. Кроме того есть ряд условий, при которых ЕМ структура не извлекается совсем, или извлекается не точно. Например, если извлекается П-образная топология, то длина плеч должна быть одинакова. Иначе боковая стенка будет создана по краю более длинного проводника и на нём будет установлен порт. А вот короткий не достигнет стенки и на нём второй порт будет установлен как порт перемычка.
На 2. Насколько я понял, Вы получили схему из ЕМ структуры. В AXIEM действительно это можно сделать и это может быть полезно. В этом случае можно выполнить оптимизацию ЕМ структуры непосредственно. Однако это процесс обычно довольно долгий. А что касается разных стенок в AXIEM, то я только написал, что их можно создать, причём любые. Можно и верхнюю и боковые вместе, можно только верхнюю (она при это буде бесконечной), можно только боковые (можно две, а можно и одну) вместе с верхней крышкой или без.
На 3. Фильтр был создан и проанализирован в MWO. Затем были сделаны опытные образцы и измерены на анализаторе, на котором получен файл s2p и добавлен в проект.
А вообще я занимаюсь экстракцией очень редко. Попробуйте отредактировать структуру, если она извлечена из схемы. Не получится, т.к. ЕМ структура тесно связана со схемой и при запуске анализа будет выполняться анализ схемы и будет извлекаться та же топология. Т.е. редактировать нужно не ЕМ структуру, а элементы схемы, чтобы получить нужную топологию структуры. К тому же элементы топологи схемы могут "разбегаться" и в таком виде будут извлечены, поэтому их нужно правильно соединить до выполнения экстракции. Предпочитаю просто создать новую ЕМ структуру, скопировать топологию схемы и вставить её в ЕМ структуру, чтобы разорвать эту связь. Ну или скопировать извлечённую структуру, переименовать и разорвать связь со схемой, чтобы редактировать независимо от схемы.

Добрый день.
Подскажите пожалуйста как подключить модуль Sonnet (или другого EM-симулятора) в AWR?

А какая у Вас версия AWR? Если 11-я то при установке Sonnet она обычно подключается автоматически. Если 13-я, то сложнее, у меня подключить не удалось. В перечне симуляторов Sonnet есть, даже в двух местах, но при попытки назначить его для анализа, говорит, что такого симулятора он не знает.

Строго по мануалу Sonnet устанавливали?

NI AWR MWOffice Interface – 64 bit (16.54 or later)
или
NI AWR MWOffice Interface – 32 Bit (16.52 or earlier)

Связка Sonnet 16.54 64 bit + AWR 13.03 64 bit работает.


Вижу вы на сапфире делаете. Это монокристалл? Можно поинтересоваться у кого заказываете (желательно несколько источников)? У вас есть результаты измерений фильтра в корпусе на подвешенной подложке?

Сообщение отредактировал alver - Feb 9 2018, 18:07

Мы используем AVRDE v11 и Sonnet v16.52, это последняя версия, на которую у нас есть лицензия.
Сапфир монокристалл, единственный поставщик предприятие "Монокристалл" в Ставрополе, их координаты можно найти в интернете. Приобретаем пластины толщиной 0.3 мм. Фильтры делаем по полосе с некоторым запасом и изготавливаем по технологии, обеспечивающей микронную точность. При этом фильтры не требуют настройки. Это упрощает настройку многоканальных приборов. Делаем только на микрополоске.

Спасибо за литературу. Там нашел только как установить модуль Sonnet, а как его связать с AWR - не нашел. У меня Sonnet уже был установлен до AWR, как - не могу сказать. Версия - 15.52, а у AWR - 13.

Stefan1
Так 10 раз уже писали, что для работы с AWR 13.0 нужен Sonnet 16.54. Это можно и на сайте Sonnet посмотреть. Ставьте 11 версию AWR.

Сообщение отредактировал freeport - Feb 10 2018, 08:28

Я согласен с freeport, ставьте AWR-11. Но обратите внимание, у 11-ой версии есть три варианта. Ставьте тот, который mixed (смешанная), у ней интерфейс 32 бит, а AXIEM - 64 бит. Эта версия хорошо работает и с Sonnet 15.52 и с 16.52.

Спасибо за совет. А почему бы не поставить Sonnet 16.54 и оставить AWR 13.0?

Возможно немного офф. Вижу измерения фильтра на 17 ГГц, причем расчет с экспериментом хорошо совпадает - это с подстройкой или без? Не подскажите, по какой оси делается срез кристалла и какие проницаемости брать по кристаллографическим осям?

Так поставьте, если у вас есть Sonnet 16.54, все будет работать. У меня его нет.

Это без подстройки. Er берём 10 (по всем осям). По какой оси режут не знаю, но параметры в разных партиях пластин практически одинаковые. Полосу пропускания делаем с небольшим запасом, примерно 100 МГц на высоких частотах. При этом подстройка как правило не требуется, если фильтр смоделирован с учётом толщины проводника и топология выполнена с микронной точностью. Подстройка обычно делается при узких полосах, порядка нескольких процентов.