а зачем вы выбрали именно IGBT, а не MOSFET, если не знаете, что это такое и с чем его едят? Возьмите генераторный пентод тогда, тоже красиво будет.
Цитата(николай19971997 @ Feb 28 2018, 16:18)

1)Подойдёт ли этот драйвер для связи ШИМ контроллера и этого транзистора?Если нет,то как выбрать другой?
2)Если подойдёт то нужно ли его как-то настраивать чтоб он согласовывал уровни микроконтроллера и IGBT или у него всё аппаратно сделано?
3)Что значит графа "управляющее напряжение" в характеристиках IGBT?правильно ли я понимаю,что 6.5 вольт это транзистор открыт полностью,а 0 вольт закрыт? тогда что такое напряжение насыщения и как оно относится к управляющему напряжению? я знаю что напряжение насыщения это напряжение при котором транзистор открыт полностью и открываться больше не может,но что тогда управляющее напряжение и почему оно больше напряжения насыщения? (я запутался)
1. Если в паспорте на драйвер написано, что предназначен для управления IGBT, то подходит, это же очевидно. Подходит в первом приближении, т.к. неизвестны требуемые частотные параметры работы IGBT.
2. Если у драйвера есть выводы настройки, то да, надо настраивать.
3. Тут надо знать, что же такое IGBT, информации в интернете полно, надо самостоятельно добывать информацию. IGBT транзистор по входу - как полевой, а по выходу - как биполярный. Поэтому управляющее напряжение (скорее всего, затвор-эмиттер, по логике чипидиповцев) у него - от полевого транзистора, а напряжение насыщения - от биполярного. Надеюсь, не надо объяснять про эти типы транзисторов?
Ещё надо не доверять всяким чипидипам, а читать оригинальные паспорта. Потому что в паспорте на транзистор вместо управляющего напряжения написано
Цитата
VGE(th) Gate Threshold Voltage 4.0 — 6.5 V (VCE = VGE, IC = 1.0mA)
VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 V
Ну а про напряжение насыщения тоже вполне себе ясно, что это за напряжение и между чем и чем
Цитата
VCE(on) Collector-to-Emitter Saturation Voltage — 1.65 1.95V (IC = 35A, VGE = 15V, TJ = 25°C)
— 2.05 — (IC = 35A, VGE = 15V, TJ = 150°C)
— 2.10 — (IC = 35A, VGE = 15V, TJ = 175°C)