Добрый день, коллеги!
Кто знает, подскажите пожалуйста,
существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм),
Такие чтоб не снимались завтра с производства...

Спасибо!

BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf
Доставабельность в России мне неизвестна

Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm
По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть.

Не в таблице а по fig 6 и 8

а также транзистор BFU660F по fig 6
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf

Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц

40 GHz fT silicon technology
Какая рабочая частота у ТС? Неужели не подходит? У NXP выше не нашел,а практически BFU690 - то же самое. Подождем, что ТС скажет.

Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ.

Один из:

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.
Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

Для меня плюс на этих частотах.


Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было.

Сообщение отредактировал alver - Mar 4 2018, 18:12

Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете?

Надо учитывать, что GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В) и для реализации малых выходных мощностей (менее 1 Вт) эквивалентное сопротивление нагрузки должно быть несколько сотен ом, что делает конструкцию согласующих цепей весьма специфичной и узкополосной. Кроме того, по критерию Боде (о полосе согласования) надо ещё сравнить, что лучше GaN HEMT и GaAs pHEMT.
Да и значение PAE на 18 ГГц равное 55 % для GaN HEMT TGF2942 кажется фантастикой. Как я понял, в даташите на кристалл приводят только результаты симуляции на импульсном сигнале (т.е. это не реальные измерения). Как показывает мой опыт измерений и моделирования в симуляторах, на частотах выше 4-5 ГГц параметры PAE и Pout у реальных GaN HEMT далеки от моделей. С усилением тоже курьезы из-за относительно низкого входного импеданса и проблем с устойчивостью.
Так что если речь идёт о сотнях мВт, то выбор в пользу GaN HEMT не очевиден.

Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами.


Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ...

Сообщение отредактировал alver - Mar 4 2018, 20:34

Можно хоть от 0, только это будет не транзистор, а аттенюатор. СВЧ транзистор как раз проектируется под некоторое оптимальное напряжение питание, при котором достигаются наилучшие параметры.
Если скажем просто снизить напряжение питания GaN транзистора до уровней GaAs транзисторов, то по всем параметрам использовать этот транзистор на 10 ГГц станет неприемлемо.

Я так понимаю у вас собственное производство ПП на керамике?

Значит смесители можно выкидывать в помойку?


Мне чаще встречалась частотная зависимость от рабочего тока, для рассматриваемого транзистора вижу тоже самое. Впрочем, для ключевого режима усиление не нужно.


Заказываем.

Сообщение отредактировал alver - Mar 4 2018, 19:40

Автора темы интересует не смеситель, а усилитель.

В данном случае ток покоя транзистора в основном влияет на малосигнальные параметры из-за зависимости крутизны передаточной характеристики от тока стока.
На большом сигнале варьирование тока покоя в больших пределах существенно не будет влиять на величину эквивалентного сопротивления нагрузки Rэкв.нагр.
Зато изменение напряжения питания будет сильно влиять на ёмкости транзистора и его Rэкв.нагр. Следовательно, если просто снизить напряжение питания GaN транзистора с 28 до 8 Вольт, то проходная емкость увеличится в 2-3 раза, Rэкв.нагр. уменьшится в 4-6 раз, а крутизна останется примерно на прежнем уровне. Отсюда следует, что усиление уменьшится в 10 и более раз. С выходной мощностью будут аналогичные изменения.
Другое дело, что для GaAs pHEMT напряжение питания 8 вольт является оптимальным. И при выходной мощности, к примеру, в 500 мВт Rэкв.нагр близко к 50 Ом, что сильно упрощает выходное согласование.

Интересно в каком применении используется GaN HEMT в ключевом режиме на 10 ГГц, в котором усиление не нужно? Вероятно какие-то импульсные модуляторы, смесители, переключатели?

Вам виднее.


Reach New Levels of Linearity in Passive Mixers with GaN Technology
 custommmic_techbrief_gan_mixers_april_2017__1_.pdf ( 4.25 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 128



Мне казалось, у GaN при сравнимых мощностях и напряжениях емкость затвора будет меньше GaAs и проходная тоже.

Сообщение отредактировал alver - Mar 4 2018, 22:45