Рекомендую для этого диапазона использовать ATF-541m4 он лучше согласуется в этом диапазоне и ктому-же однополярный.
Транзистор NE32584 предназначен для более высокого диапазона и пока вы примете меры по обеспечению его устойчивости он перестанет быть таким привлекательным в плане Кш.
Можно получить абсолютно-устойчивый каскад с усилением 18-19дб, Кш-0,6-0,7дб. (измеренные значения)
Удачи.

Всем добрый день!
Я тут за ночь всё скорректировал. Сейчас сделаю печатку и соберу всё это дело для проверки. Резистор стабилизации на входе я не стал ставить чтобы не увеличить Кш. Резистор всё-таки генерит шум и я подумал, что лучше пусть он стоит на выходе. Ну, вобщем, надо собрать и проверить. Для меня сейчас очень важно, чтобы рассчёт не расходился с реальностью. Кстати, Currant, большое спасибо за инфо и pdf - это мне здорово помогло в рассчётах. В pdf-е, правда урезанная таблица по Кш, но печатку я уже нарисовал, поэтому проще собрать и проверить.

Да, Alex_mw, насчёт ATF-ов я в курсе, но мне хочется попробовать именно рассчитать и собрать усилитель на этом транзисторе. Двуполярное питание не проблемма, просто транзисторы достаточно доступные и имеют не плохие параметры. Я решил просто попробовать собрать на них что-либо для эксперимета, поэтому для начала выбрал частоту по-ниже. Насчёт Кш: судя по графикам он достаточно неплохой ниже 2ГГц и зависит в основном от тока стока.

Вот то, что получилось:

Рад, что смог помочь хоть чем-то. Насчет КШ согласен, но у Вас в затворе (в тестовой схеме) по моему уже стоит 1000 Ом, так что еще 50 Ом вряд ли дадут большую прибавку к шуму. С другой стороны на 200 Ом резисторе Вы потеряете усиление, что для МШУ тоже очень важно (у меня усиление получилось 22 дБ, а у Вас 19.7 дБ), так что это палка о двух концах.
С большим интересом жду результатов тестирования.

Кстати, остался открытым вопрос насчет de-embedding S параметров от выводов корпуса. Нужно ли при моделировании присоединять паразиты корпуса к модели с заданными в DS S-параметрами?
Может кто из знающих людей ответит.

Удачи!

P.S. Как я писал ранее, при построении МШУ необходимо ориентироваться на Гопт на входе транзистора и преобразовывать 50 Ом к этому Гопт. А затем согласовывать выход транзистора. Причем это можно делать и не с безусловно стабильной схемой. Тогда по идее должен получиться оптимальный Кш. Опыта в таких разработках у меня к сожалению немного, так что этот совет - из прочитанного.

Сегодня всё собрал. Возбуда нет. Усиление на вскидку (без приборов) очень хорошее. Попробую промерить на HP и расскажу о результатах.

Да, чуть не забыл насчёт de-embedded: я думаю это важно, но начиная с частот 3ГГц и выше. На своей схеме, чтоб избежать нежелательных паразиток я сделал пару отверстий под затвором и стоком - они не "лежат" на печатке.

Сообщение отредактировал INA - Sep 15 2006, 16:19

Currant, посмотрите ещё один вариант LNA - в нём усиление по диапазону более равномерное.

Вы знаете, там внутри проект ПФ на связанных линиях (по моему гребенчатый фильтр), я в этом не очень разбираюсь. Но эту структуру напрямую подключать к усилителю нельзя. так как она настроенна на 50 Ом, а усилитель должен видеть по входу (и выходу) не 50 Ом волновое сопротивление.
Как расширить полосу, затрудняюсь сказать. возможно согласование нужно проводить в несколько этапов, т.е. не одной цепочкой сразу приводить к нужному Г, а несколькими., в несколько итераций.
Вроде того, когда согласуют используя дугу добротности на диаграмме Смита.

Понятно. А можно подробнее насчёт подключения усилителя к фильтру?

Кто подскажет какова диэл. проницаемость обычного двустороннего стеклотекстолита. И если нет его заводских параметров (лэйбы), как определить проницаемость и потери?