Всем добрый день!
У меня вопрос: как правильно провести рассчёт цепей согласования вх. и вых. транзистора NE32584 на 50 Ом, на частоте 1296МГц. Несколько раз пытался - получается ерунда.

Удачи! Игорь.

Посмотрите вот здесь http://electronix.ru/forum/index.php?showt...20892&st=15, где-то в конце я писал поэтому поводу.

Единственная оговорка. Я как понимаю, NE32584 - это МШУ (кстати, как сказано на сайте производителя, он больше не поддерживается и указана его замена). Если Вы хотите использовать его как МШУ, тогда вам нужно согласовывать так, чтобы входные 50 Ом со стороны транзистора выглядели как Гопт для получения оптимального коэффициента шума. Тогда согласуюшая цепь на выходе должна преобразовывать 50 Ом в комплесное сопряжение следующей величины Гвых=s22+(s21*s12*Гопт)/(1-s11*Гопт).

Мне кажется как то так.

Хорошо отзывались о кратком курс по согласованию на примерах там:
http://electronix.ru/forum/index.php?showt...=20892&st=0

Понимаете в чём дело, я взял этот транзистор, его параметры взял из Datasheet-а, попробовал согласовать вход, как написано на сайте Термостата (Shurmas, спасибо за ссылку), т.е. взял из DataSheet-а S-параметры для частоты 2ГГц (я взял эту частоту просто для примера) для режима 2В/10мА. Затем на диаграмме Смита, как пишет Термостат, обозначил комплексно сопряжённую точку (поменял знак в мнимой части) и от неё отталкиваясь попытался построить цепь согласования. Вобщем-то получилось, а вот потом что-то я заблудился. Перенёс все параметры цепи согласования в MWO и там всё это совершенно не сошлось, т.е. не просто значения отличались, пусть даже сильно, а цепь была вообще как бы не из этой темы. И второе, что я никак не могу понять: если я создаю в MWO транзистор, с параметрами взятыми из его Datasheet-а, значит при подключении портов на вх. и вых. при линейном анализе, на диаграмме Смита в MWO я должен получить те же графики Zвх. и Zвых., что и даны в Datasheet? Но этого почему-то не происходит. И ещё одно: диаграмма Смита (Smith-Chart) указывает электрическую и механическую длины линий. Если я беру электрическую длину линии из SmithChart и пересчитываю её в MWO (TXline) в механическую, то тоже данные из этих двух программ не сходятся. Не могу понять в чём дело. Собрал два усилителя. В MWO всё прекрасно рассчиталось, а на яву совершенно не то, что хотел.

Вообще то в MWO довольно точно считается. Со слов довольно трудно найти ошибку.

Может вы проект в MWO выложите и знатоки что-то посоветуют вам.



посмотрите внимательней. в некоторых ДШ дают уже комплексно сопряженную величину.

рядом ветка с обсуждением этих постороений в Smith2.02 и RFdude - вобщем то совпадает.

Вот файл проекта. Возможно что-то не так красиво, но по нему я делал печатку. Чувствую, что ошибка где-то в мелочи, но она глобально изменила все результаты.

Я посмотрел s2p файл в Вашем проекте, но взял другой: в файле http://www.cel.com/pdf/datasheets/ne32584.pdf есть более развернутая по частоте таблица S-параметров.
я взял ее, и модель в MWO сошлась с графиками в DS.
У меня есть проект с согласованным транзистором, но только без элементов разводки, так сказать функциональный. Если он Вас заинтересует могу выложить.

Если не трудно - буду очень благодарен. Вот, что у меня получилось. Смущает номинал резистора в цепи стока - 200 Ом.

Выкладываю.
резисторы в затворе - для стабилизации усилителя.
после того как усилитель стабилизируется (но до того, как вы добавите какие-то другие цепи) вычисляются его следующие параметры: GM1 и GM2, и, затем, 50 Ом (это важно, стартуете с 50 Ом точки на диаграмме Смита ) нужно преобразовать в GM1 на входе и GM2 на выходе.

Посмотрите, может вам это поможет.

Спасибо! Сейчас посмотрю.

Странно, но я не смог открыть проект. Возможно дело в версии MWO - у меня v5.51 Есть дистрибутив v6.51, но там нет библиотек, моделей и т.д. Пробовал поставить из старой версии, но что-то не получилось, правда долго этим не занимался - просто вернулся к старой версии. Если можно выложите схему хотя бы в виде скриншота, я её просто повторю. Вот мой проект к выше выложенной схеме. Там есть элементы, относящиеся исключительно к цепям питания и смещения, они на основные рассчёты не влияют - это просто для layout-а.

В документе рисунок схемы. Вашу посмотрю завтра.

О, извините. я согласовал на 1268 МГц вместо 1296. Завтра выложу согласованную на 1296.
Но схему посмотрел, ничего крамольного не видно, да и из параметров получается что все нормально согласовалось. Правда, я стабилизировал внося потери по входу схемы, а вы в основном по выходу. если это не оконечный усилитель то наверное большой разницы нет.
Единственное что, в s2p файле написано, что из всех параметров вычтены влияние паразитов корпуса (насколько я понимаю слово de-embedde). Может то что они не учитываются - и есть причина проблем на практике.

Да, Вы знаете, то что разница в частотах на данный момент не важно, главное они вобщем-то рядом. Меня, как я уже говорил, смутила величина стабилизирующего резистора в цепи стока. Возможно я не прав, но я просто сравнил эту схему с реально существующими, правда собраны они на других транзисторах. Возможно поэтому там стоят резисторы меньших номиналов, обычно 10-50 Ом, но с другой стороны на таком транзисторе и на данный диапазон частот схемы я вообще не встречал.

Только что я заменил TLine в схеме на MLine, чтобы создать layout (с TLine печатка у меня не получается) и собрать усилитель. Параметры линий и номиналы элементов, естественно пришлось скорректировать в небольших пределах. На отрицательное смещение поставлю ICL7660ESA, по моему классная мс для подобных конструкций.

Ещё есть один вопрос: в параметрах Substrates указывается величина Er и ErNom. Так вот - Er, как я понимаю, это диэлектрическая проницаемость самого материала (стеклотекстолита в данном случае), а вот ErNom непонятно. Обычно я ставлю одинаковые числа и там и там, возможно это не правильно? Проницаемость материала, с которым сейчас экспериментирую 4,85 - это число я и ставлю в обоих пунктах. Это правильно или нет? Есть ещё эффективная диэлектрицеская проницаемость Eeff - с ней всё понятно. Она зависит от конкретных параметров линии и считается в TXline довольно просто.

У этого транзистора очень неважная стабильность, поэтому приходиться вносить потери (или пользоваться ООС) для его стабилизации. Для стабилизации всего усилителя достаточно добиться чтобы круги стабильности не пересекали диаграмму Смита только на входе или выходе (на втором порту они "уйдут" от диаграммы Смита автоматически).
В принципе стабилизировать его по входу гораздо легче чем по выходу, поэтому в затворе стоит 50 Ом (у меня в схеме).

Насчет Enorm - точно не знаю, но, по моему, эта величина используется при расчетах в ЕМ симуляторе.

Рекомендую для этого диапазона использовать ATF-541m4 он лучше согласуется в этом диапазоне и ктому-же однополярный.
Транзистор NE32584 предназначен для более высокого диапазона и пока вы примете меры по обеспечению его устойчивости он перестанет быть таким привлекательным в плане Кш.
Можно получить абсолютно-устойчивый каскад с усилением 18-19дб, Кш-0,6-0,7дб. (измеренные значения)
Удачи.

Всем добрый день!
Я тут за ночь всё скорректировал. Сейчас сделаю печатку и соберу всё это дело для проверки. Резистор стабилизации на входе я не стал ставить чтобы не увеличить Кш. Резистор всё-таки генерит шум и я подумал, что лучше пусть он стоит на выходе. Ну, вобщем, надо собрать и проверить. Для меня сейчас очень важно, чтобы рассчёт не расходился с реальностью. Кстати, Currant, большое спасибо за инфо и pdf - это мне здорово помогло в рассчётах. В pdf-е, правда урезанная таблица по Кш, но печатку я уже нарисовал, поэтому проще собрать и проверить.

Да, Alex_mw, насчёт ATF-ов я в курсе, но мне хочется попробовать именно рассчитать и собрать усилитель на этом транзисторе. Двуполярное питание не проблемма, просто транзисторы достаточно доступные и имеют не плохие параметры. Я решил просто попробовать собрать на них что-либо для эксперимета, поэтому для начала выбрал частоту по-ниже. Насчёт Кш: судя по графикам он достаточно неплохой ниже 2ГГц и зависит в основном от тока стока.

Вот то, что получилось:

Рад, что смог помочь хоть чем-то. Насчет КШ согласен, но у Вас в затворе (в тестовой схеме) по моему уже стоит 1000 Ом, так что еще 50 Ом вряд ли дадут большую прибавку к шуму. С другой стороны на 200 Ом резисторе Вы потеряете усиление, что для МШУ тоже очень важно (у меня усиление получилось 22 дБ, а у Вас 19.7 дБ), так что это палка о двух концах.
С большим интересом жду результатов тестирования.

Кстати, остался открытым вопрос насчет de-embedding S параметров от выводов корпуса. Нужно ли при моделировании присоединять паразиты корпуса к модели с заданными в DS S-параметрами?
Может кто из знающих людей ответит.

Удачи!

P.S. Как я писал ранее, при построении МШУ необходимо ориентироваться на Гопт на входе транзистора и преобразовывать 50 Ом к этому Гопт. А затем согласовывать выход транзистора. Причем это можно делать и не с безусловно стабильной схемой. Тогда по идее должен получиться оптимальный Кш. Опыта в таких разработках у меня к сожалению немного, так что этот совет - из прочитанного.

Сегодня всё собрал. Возбуда нет. Усиление на вскидку (без приборов) очень хорошее. Попробую промерить на HP и расскажу о результатах.

Да, чуть не забыл насчёт de-embedded: я думаю это важно, но начиная с частот 3ГГц и выше. На своей схеме, чтоб избежать нежелательных паразиток я сделал пару отверстий под затвором и стоком - они не "лежат" на печатке.

Currant, посмотрите ещё один вариант LNA - в нём усиление по диапазону более равномерное.

Вы знаете, там внутри проект ПФ на связанных линиях (по моему гребенчатый фильтр), я в этом не очень разбираюсь. Но эту структуру напрямую подключать к усилителю нельзя. так как она настроенна на 50 Ом, а усилитель должен видеть по входу (и выходу) не 50 Ом волновое сопротивление.
Как расширить полосу, затрудняюсь сказать. возможно согласование нужно проводить в несколько этапов, т.е. не одной цепочкой сразу приводить к нужному Г, а несколькими., в несколько итераций.
Вроде того, когда согласуют используя дугу добротности на диаграмме Смита.

Понятно. А можно подробнее насчёт подключения усилителя к фильтру?

Кто подскажет какова диэл. проницаемость обычного двустороннего стеклотекстолита. И если нет его заводских параметров (лэйбы), как определить проницаемость и потери?