В документации на Atmega162, по графику зависимости тактовой частоты от напряжения питания, 8 МГЦ при напряжении питания от 2,7В и при напряжении питании более 4,5В максимальная частота до 16 МГц
Хотелось бы, чтоб работал на 11,0592 от 3,6В.

Учитесь, господа, как формулировать надо вопросы...

Будет оно работать, но в серию нельзя так запускать... А что мешает поднять питание?

Flash память AD45DB работает при 3,6В максимум. При подключении к контроллеру необходима микросхема согласования уровней, лишний корпус, если питать от разных источников. При одинаковом питании все напрямую соединяется.

Не боись, давай на питание DB 3.3 вольта, а на мегу 5, и все будет работать... Если уж до конца корректно делать, то для полного счастья можно соединить вывод MISO DB'шки с MISO меги через повторитель серии HCT, запитаный от +5.

Объясните несведующему, отчего нельзя пускать в серию, если на графике нарисованно, что при 3,3 Вольт чуть более 12МГц (page 278, Figure 123.Active supply current vs. frequency(1-20 mHz))???

Так и сделаю МК 5в память 3,3в микросхема HCT.



Рисунок 114, 123 где правда не понятно.

Понятно, тока странно что такой жесткий график...

А рисунок 123 в разделе ATmega162 Typical Characteristics, правда, начинается со слов:

The following charts show typical behavior. These figures are not tested during manufacturing...

Как быть с документом на Atmega162, на какой рисунок смотреть? Рисунок 114 или 123.
зависимость тактовой частоты от напряжения питания линейная или пороговая после 2,7В




Рисунок 123, не тестировалось во время производства интересно… что делать 5В МК и микросхема согласования уровней с DB? единственное решение?

ИМХО дело здесь в следующем:
У старых мк Atmel:
без буковки на конце - питание 4,5-5,5V 0-16MHz
c буковкой L на конце - питание 2,7-5,5V 0-8MHz
У более менее новых мк Atmel:
без буковки на конце - питание 2,7-5,5V 0-16MHz
c буковкой V на конце - питание 1,8-5,5V 0-8MHz
При производстве происходит тестирование и отбраковка чипов.
Тестирование производиться на напряжениях 1,8 2,7 4,5 V , отсюда и такие
"жесткие" графики...
На самом деле Вы можете спокойно аппроксимировать значение для 3,6V , то есть
по сути пользоватся рисунком 123.
Только в Вашем случае (Mega162) обязательно берите без буковок на конце

Я думаю так оно и есть... ну а пускать в серию с левел-конвертером или так, сам проектирощик пусть думает

Спасибо что помогли разобраться.

Реально на напряжении 3.0 mega2560 прекрасно работает на F=14745600. Источник хороший должен быть и кондёры блокировки, конечно. Любая фирма "защищает" себя от претензий.
Один раз мы выпустили партию изделий (на 89с51 с паспортной тактовой 24) на 34. Эта партия работала круглосуточно. С момента выпуска прошло 5 лет. Партия около 100 штук (потом изменили ).
Возвратилось одно изделие - кондёр по питанию высох.

Вот так.
Хотя я конечно к этому не призываю. На свой страх и риск.

Ужас! это же почти 50% overclock!
что мешало поставить в ту партию AVRки на 4Mhz? По производительности было бы то же самое.

память АТ45DB 5в толерант, так что буфер можно не ставить. проверено на партиях >10к (мега128 от 5в + АТ45 от 3,5)

]

Нет, буфер в другую сторону. Т.е. сигналы ОТ меги к ДБ напрямик (как правильно было замечено, они у ДБшки 5v-tolerant), а вот сигнал от ДБ чуть хитрее... Смотрите, при питании 5В порог у меги будет примерно 2-2.5В, а 3.3 - полный размах сигнала... В результате в худшем случае имеем запас по помехоустойчивости 0.8В. Если мы ставим HCT буфер, у него порог ~1.5В, то есть оптимально согласуется с ДВ, а на выходе он имеет размах 0-5В, опять же идеальное согласование с мегой. Можно не буфер, а что-то типа одиночного инвертора 74HCT04 (есть в 6-ти или 5-тилапом корпусе) и проинвертировать в программе результат с SPDR. Буфер или инвертор естественно надо запитывать от 5В