Может кто из уважаемых специалистов подсказать, бывают ли в природе транзисторы с коммутируемым напряжением 4 или более киловольт. Тип транзистора не важен. Хочется заменить титрон ПП1 на что-нибудь полупроводниковое...

Гляньте www.eupec.com (сейчас это инфинеон). Там есть IGBT (insulated gate bipolar transistor) на 6.5кВ. Это не биполярный транзистор, IGBT я не видел в линейных применениях, но и титрон, который Вы хотите заменить, это коммутирующий прибор, так что, как мне кажется, IGBT может подойти.
Всего Доброго,
F.S.

igbt, 4kV, 40A

http://www.ixys.com/store/PartDetails.aspx?pid=1559&r=1

Все, что выше по напряжению - IGBT модули.

Совершенно верно, но у них приходится себя регистрировать (а так PDF не видно, но я у них был
раньше - может запомнили). Если не сможете скачать у них - напишете.
IGBT 6,5 kv, single: FZ200R65KF1, FZ400R65KF1, FZ600R65KF1.

Datasheet 2002 goda.
Interesno, esli eto odinochnyj tranzistor - zachem im ASIC na module?

Vot, IXYS, pokhozhe, deistvitel'no odinochyj tranzistor. No, Vy uvereny - chto eto to, chto nado?
Ved' reclamiruemoe preimushestvo ukazannogo vami dlja zameny pribora - ogranichenie toka v nagruzke pri proboe naprimer. IGBT vyletit srazu.

Уважаемый Lonesome Wolf,
Вы имеете в виду то, что титрон ПП1 ограничивает ток в нагрузке? Если я Вас правильно понял, по-моему, нет ни единого полупроводникового прибора подобной мощности, способного без соответствующей схемы защиты выдержать установившееся КЗ. Поправьте меня если ошибаюсь.
Всего Доброго,
F.S.

Sovershenno verno - imenno titron imeet svoistvo ogranichivat' tok v nagruzke! Priznaju - ja do vcherashnego dnja i ne znal o takom pribore nichego - dumal, eto opiska i imeetsja v vidu tiratron.
No reshil posmotret', pravda vot chto nastorazhivaet
(http://titron.narod.ru/index.htm)

Любые вакуумные приборы держат ток КЗ. Так как по сути это источник тока, где максимальный ток ограничивается эмиссией катода. Больше чем катод испустит электронов, к аноду не прилетит. Но скорость их, и соответственно выделяемая на аноде мощность зависит от приложенного напряжения, а при КЗ она максимальна.

Автоэмиссию не забывайте... И вот этот самый островной эффект, упоминание о котором я нашел при описании титрона и как я его понимаю. Это все зависит. Пробиваются напрочь даже приборы с выключенным накалом - причем вчистую, почти на ноль - причины - смотри выше.

Полевые транзисторы вон тоже не могут отдать ток больше максимального из-за насыщения скорости - но они не держат пробой, грубо говоря. Причин для этого масса - взять инжекцию заряда в диэлектрик, тиристорный эффект, локальные перегревы и т.д.


Согласен только с утверждением, что лампы намного более устойчивы к перегрузкам.

А в IGBT еще и вторичный пробой произойти может - вероятность меньше чем для БТ, но...

Пока она начнется, все IGBT в мире сгореть успеют.

Как я его понимаю, он может сильно уменьшить время для достижения автоэмиссии, но вот в чем его приемущества?

Этого я не знаю.

да уж. какая-то энергоинформационная наука опять. особенно порадовало окончание - Давайте деньги на тему, сделаем.

За ссылки большое спасибо всем. Будем посмотреть.
На Infineon'е кстати все доступно без каких-либо регистраций...

Насчет титрона ПП1 - используется он в схеме модуляции импульсов
на управляющую сетку рентгеновской трубки. Роль данного титрона
только в одном - как можно быстрее разрядить емкость высоковольтного
кабеля 20метровой длины заряженную до 3.7кВ. Фронт импульса,
обеспечиваемый титроном, получается примерно 0.3мс. Нагрузки можно
считать, что и нет...
Может конечно для этой роли есть приборы получше, но у нас просто
исторически так сложилась схема... лет 15 как сложилась... что под рукой
лежало, то и взяли...

Как вы сами понимаете емкость кабеляи и сопротивление нагрузки будут определять и импульсный ток и время разряда. Не зная ни того, ни другого гадать не буду, но, думаю, вам не лишне обратить свое внимание не на IGBT, а на быстродействующие силовые тиристоры. Дело в том, что тиристоры, в отличие от IGBT, без вреда переносят огромные ударные токи, при ограниченной мощности самого прибора, т.е. небоьшом среднем допустимом токе. Возможно дисковый тиристор в паре с дисковым же нагрузочным резистором, имеющим очень малое сопротивление, но со значительной рассеиваемой мощностью, помогут вам корректно и просто решить проблему.

SDN
IGBT более быстродействующие, но они на 6,5 кВ делаются для ЖД транспорта в термоциклоустойчивом исполнении, стоят они тоже соответственно, например FZ600R65KF1 (600А 6,5 кВ) в симметроне (больше нигде не нашел) стоит 112,5 тыс. рублей . 200 и 400 амперную версию не нашел, но стоить она тоже будет недешево . А менее чем на 200 ампер на такое напряжение делать не будут - им почти нет применения (из-за этого и цена на 200-600 амперные модули такая высокая). И вообще - то при таком режиме даже IGBT на 6,5 кВ можно спалить . Конечно, электровакуумные (ионные) приборы надо заменять чем-то современным, но не всегда это получается .

Все не так плохо как Вам кажется. И не совсем то, что я Вам писал Вы нашли. Я, если вы заметили, говоил о больших УДАРНЫХ токах. В общем, если Вам действительно нужно, пишите в "личку". Не обещаю решать все поблемы вместо Вас, но если уж и вправду вопрос стоящий, решение найдем. Что касается спалить, то спалить можно все. У Вас задача, вроде, немного другая. На форуме бываю все реже, здесь о силовой электронике почти ничего серьезного не говорится. Поэтому простите за "позднее зажигание", но, как я уже сказал, если нужно, просто пишите.