реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> Непонятка с отношением жирности полевиков, моя симуляция и standard cell'ы
SM
сообщение Jan 31 2007, 16:14
Сообщение #1


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Проектируя выходной каскад усилителя класса D заметил тут вот что - по моим рассчетам для обеспечения нужного одинакового тока в нагрузку и из нагрузки, подключенной к пол-питанию, необходимо в моей технологии отношение W(p) к W(n) 3.5, а в IO-падах CMOS-драйверы построены на отношении примерно 1.8, как собственно и сами "ядерные" целлы. Почему такой выбор может быть? Ведь того же можно добится при заметно меньшем n-канальнике!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
evi
сообщение Jan 31 2007, 18:48
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 79
Регистрация: 20-09-06
Пользователь №: 20 552



Наверно потому что 1.8 дает минимальные потери. Если рассеяние энергии считать только в сопротивлении канала, то соотношение должно было бы быть больше, но с увеличением ширины р-полевика увеличиваются емкостные потери, поэтому оптимальные потери получаются при меньшей ширине.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SM
сообщение Jan 31 2007, 19:11
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Цитата(evi @ Jan 31 2007, 18:48) *
но с увеличением ширины р-полевика увеличиваются емкостные потери, поэтому оптимальные потери получаются при меньшей ширине.


Так дело в том, что есть куда уменьшать n-канальный, я вовсе и не думал ужирнять p.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
evi
сообщение Jan 31 2007, 19:44
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 79
Регистрация: 20-09-06
Пользователь №: 20 552



В принципе это задача по оптимизации с двумя переменными - шириной n и p полевиков. Для каждого значения частоы и тока у каждого из них есть оптимальная ширина дающая максимум КПД (компромис между резистивными и емкостными потерями). А уж соотношение ширин n и p - это как получится исходя из оптимума для каждого.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
oratie
сообщение Jan 31 2007, 21:23
Сообщение #5


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 120
Регистрация: 2-11-06
Из: Москва
Пользователь №: 21 900



Обычно для выбора P/N ratio в стандартных ячейках используют несколько критериев. Минимальная задержка цепочки (K=~2), равенство rise и fall задержек (K=~3-4), порог срабатывания = 1/2VDD (K=~3; также дает минимальный размер транзистора), минимальная мощность (K=~2). Конечно это все сильно зависит от технологии.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
chairman
сообщение Feb 13 2007, 00:19
Сообщение #6


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 32
Регистрация: 11-02-07
Пользователь №: 25 249



Цитата(SM @ Jan 31 2007, 14:14) *
Проектируя выходной каскад усилителя класса D заметил тут вот что - по моим рассчетам для обеспечения нужного одинакового тока в нагрузку и из нагрузки, подключенной к пол-питанию, необходимо в моей технологии отношение W(p) к W(n) 3.5, а в IO-падах CMOS-драйверы построены на отношении примерно 1.8, как собственно и сами "ядерные" целлы. Почему такой выбор может быть? Ведь того же можно добится при заметно меньшем n-канальнике!


Может быть это оптимизация драйвера под слабый НМОП и сильный ПМОП? Или еще такое в Level Shifter"ах можно встретить.

Посмотрите на показатели Ron/ток насыщения в том типе транзисторов, которые использованы в драйверах.

Для цепочек драйверов обычно приравнивают уравнения токов обоих типов транзисторов, учитывая, что разница в подвижности электронов и дырок примерно 2.4-2.8.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SM
сообщение Feb 13 2007, 11:49
Сообщение #7


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Цитата(chairman @ Feb 13 2007, 00:19) *
Может быть это оптимизация драйвера под слабый НМОП и сильный ПМОП? Или еще такое в Level Shifter"ах можно встретить.


Не очень понимаю, что Вы хотите этим сказать. Это (то, после чего я задумался) самый простой output-пад с CMOS уровнями без всяких наворотов. Я их хотел трипл-бондом напараллелить для выходного каскада усилка класса D, наивно думая, что раз CMOS, то сила единицы должна быть близка к силе нуля. Ан нет, симуляция показала облом, что N там гораздо сильнее необходимого. Посему теперь приходится рисовать свой драйвер, а от IOпада взять только защиту...

ЗЫ
А по части выходных каскадов стандарт-целлов я уже все понял, просто никогда доселе не задумывался над проблемами выбора полевиков внутри них.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
chairman
сообщение Feb 19 2007, 00:26
Сообщение #8


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 32
Регистрация: 11-02-07
Пользователь №: 25 249



Цитата(SM @ Feb 13 2007, 09:49) *
Не очень понимаю, что Вы хотите этим сказать. Это (то, после чего я задумался) самый простой output-пад с CMOS уровнями без всяких наворотов. Я их хотел трипл-бондом напараллелить для выходного каскада усилка класса D, наивно думая, что раз CMOS, то сила единицы должна быть близка к силе нуля. Ан нет, симуляция показала облом, что N там гораздо сильнее необходимого. Посему теперь приходится рисовать свой драйвер, а от IOпада взять только защиту...

ЗЫ
А по части выходных каскадов стандарт-целлов я уже все понял, просто никогда доселе не задумывался над проблемами выбора полевиков внутри них.


Прошу прощения, сначала написал, а потом подумал, что иногда лучше жевать, чем говорить smile.gif.

Никакая это не оптимизация под сильный ПМОП, нет конечно же. Внимательнее прочитав выше посты более умных людей вспомнилось кое-что из университетской программы: В данном случае скорее всего приносят в ущерб симметрию сигнала в поисках оптимума. Смотрим Ron для НМОП и ПМОП в насыщении и внутренние паразитные емкости.

Соответственно оптимум находится из RC - комбинации собственных паразитов помноженных на ln(2), если не ошибаюсь, - задержка от 50% входа до 50% выхода. В зависимости от технологии это коэффициент и будет 1.5-2. Для симметричного сигнала он будет пропорционален 2.4 - 2.8.

А что такое трипл-бонд?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SM
сообщение Feb 19 2007, 12:45
Сообщение #9


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 7 946
Регистрация: 25-02-05
Из: Moscow, Russia
Пользователь №: 2 881



Цитата(chairman @ Feb 19 2007, 00:26) *
А что такое трипл-бонд?

а это когда разварка тремя проволочками на три пада от одного пина
Go to the top of the page
 
+Quote Post
chairman
сообщение Feb 26 2007, 00:08
Сообщение #10


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 32
Регистрация: 11-02-07
Пользователь №: 25 249



Цитата(SM @ Feb 19 2007, 10:45) *
Цитата(chairman @ Feb 19 2007, 00:26) *

А что такое трипл-бонд?

а это когда разварка тремя проволочками на три пада от одного пина


А, это. Я думал что-то экзотическое. Спасибо за объяснение.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 2nd August 2025 - 11:29
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01438 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016