Ну это ясно и так.

Спасибо за топологию, я так понял что светло-зеленое это active, и оно везде вокруг "островка". Действительно в таком варианте нет левого девайса вообще.

"А с чего бы ей сильнее течь? Ну то есть вроде это же тот-же p-n переход, что и под высоколегированными областями стока и истока."
Течет не переход. Приоткрывается канал по краям. Открывает его паразитный положительный заряд в окисле (он неизбежен). Где окисел становится "толще", там и выше влияние этого заряда. Он также частично или полностью маскирует потенциал самого поли-затвора. Представим себе, что н-канал должен быть закрыт, т.е. потенциал относительно подложки 0.
А он, например, 0.5В вблизи поверхности кремния на краях истока и стока из-за того, что сюда со временем мигрировали ионы Na, присутствующие в локосе по определению...

А если в процессе не локос, а STI? Этот эффект тоже будет?

По идее channel-stop implants под ЛОКОСОМ должны наоборот увеличивать пороговое напряжение и уменьщать утечку. Если только утечка происходит из-за bird's beak эффекта (диффузия оксидантов в кремний на границе ЛОКОСА)?

А это что за зверь STI?
Мне не знакомы техпроцессы без использования SiO2 как межслойного окисла.
Собственно, именно из-за легкости окисления кремния, он (кремний) столь технологичен.
Si3N4 используют лишь как дополнительный изолятор.
Вполне понятно, что концентрация положительных ионов в окисле напрямую зависит от качества техпроцесса. Однако, абсолютно чистых межслойных окислов не бывает.
Картину ухудшает также воздействие различных излучений на окисел (в том числе и радиационный фон).
+ межслойный окисел выращивают в парах воды (для ускорения процесса) - отсюда тоже всякая "дрянь" прилетает.

А вообще, я не технолог, пардон.
Рассказал то, что знаю точно.
Много не знаю сам. Тем более, для импортных техпроцессов.

STI (shallow trench isolation) используют вместо LOCOS в субмикронных процессах. В 0.18u уже используют STI. Я с процессом не знаком, но там тоже по-видимому утечки, например здесь обсуждаются утечки из-за нелинейности поля в канале на границах затвора и STI:
http://www.essderc2002.deis.unibo.it/ESSDE...n_D26/D26_1.pdf
http://www.imec.be/essderc/ESSDERC2002/PDFs/D26_1.pdf

Спасибо, почитал второй док. Первый почему-то не качается.

Однако, это немного не о том - здесь в основном борьба за изоляцию транзисторов друг от друга (некое подобие КНИ).
Окисел все равно остается основным изолятором.
То есть, эффект остается. Другое дело, что эффект минимизируется за счет очень тонких слоев высококачественного окисла. Это важно.

Одна из основных проблем короткоканальных приборов - горячие электроны, вызывающие ионизацию подзатворного окисла. Против них борятся уменьшением толщины (объема) окисла и так называемыми "спейсерами" - демпферными областями с плавным градиентом концентрации примеси.

Короче, даже для таких продвинутых техпроцессов (а может, не даже, а особенно) я бы для аналоговых схем использовал бы кольцевые транзисторы.
Причем, не использовал бы минимальную разрешенную длину канала.
Если не ставить рекордов по быстродействию, то для аналоговых схем достаточно было бы L>=0.5u Это что-то вроде 100МГц для ОУ. Но, иногда надо и быстрее. Тогда степень "аккуратности" при разработке топологии должна сурово возрастать. Интересно было бы найти подробное описание техпроцесса Analog Devices для быстродействующих прецизионных оперюков.
Думаю, там много технологических "чудес" заложено.

основное отличие STI - что там не окисляют кремний, а осаживают готовый окисел при помощи CVD в протравленную канаву в кремнии, края которой чем-то там легируют как раз для уменьшения этих течек. Да и окисел IMHO гораздо чище

L у меня в основном 1.2u - минимум (0.35) я и не использую в аналоге. Почти не использую (в ключах например использую). А 1.2u в пересчете на оперы это мегагерц 5-7, с учетом токов в 200 нА, у меня аудиочастоты, мне мегагерцы не нужны.