Понадобилось мне задействовать большой объём памяти, больший, нежели чем BlockRAM. На вышеуказанной плате (
S3Board) есть два чипа шустрой асинхронной SRAM по 256к 16-битных слов в каждой. Шина адреса запараллелена, шины данных раздельные, управление ножками #WE и #OE запараллелено, ножки #CE, #UB и #LB раздельные.
Всё вроде просто.
Интерфейс модуля, который я использую для работы с этими чипами, примерно такой (опускаю незначительные детали):
Код
...
SRAM_ADDR: out std_logic_vector (17 downto 0);
SRAM_DATA: inout std_logic_vector (15 downto 0);
SRAM_OE: out std_logic;
SRAM_WE: out std_logic;
SRAM_UB: out std_logic;
SRAM_LB: out std_logic;
SRAM_CE: out std_logic;
...
ADDR : in std_logic_vector (17 downto 0);
DATA_READ: out std_logic_vector (15 downto 0);
DATA_WRITE: in std_logic_vector (15 downto 0);
...
На управляющих ножках стоят PULLUP, на адресе и данных для SRAM пробовал ставить и PULLUP, и PULLDOWN, и KEEPER ... впрочем, я чуть забегаю
Когда я делаю вот примерно так:
Код
SRAM_ADDR <= ADDR;
SRAM_OE <= '1';
SRAM_WE <= '0';
SRAM_CE <= '0';
SRAM_LB <= '0';
SRAM_UB <= '0';
SRAM_DATA <= DATA_WRITE;
Смотрю, что появилось на ножках адреса и данных (для отладки, на младшие биты этих шин, повесил светодиоды, через буфер), там всё правильно: установился адрес, есть данные для записи, логические уровни на пинах управления по нулям (там, где надо). Т.е. должен записаться кусок данных в указанную ячейку памяти. Отлаживаюсь чуть ли не в статическом режиме - т.е. несмотря на отсутствие работы с таймингами, всё должно работать (промежутки между подачей и снятием управляющих сигналов просто _гигантские_ по сравнению с теми, что указаны в даташите на чипы памяти).
Далее делаю так:
Код
--SRAM_ADDR <= ADDR; -- адрес не переключаю, на шине - KEEPER
SRAM_OE <= '0';
SRAM_WE <= '1';
SRAM_CE <= '0';
SRAM_LB <= '0';
SRAM_UB <= '0';
DATA_READ <= SRAM_DATA;
Всё вроде замечательно - на выходе DATA_READ модуля появляется то, что я прежде записал.
Но.
Если же я раскомментарю присвоение SRAM_ADDR и поставлю туда какой-нибудь _другой_ адрес - то считается опять то же самое!
Т.е. читается не значение из памяти, на которое указывает адрес, а последнее "записанное" значение. Какой бы я адрес не ставил - читается не то, что там должно быть, а то, что было куда-нибудь последним записано.
Я вертел эту схему и так, и сяк, и наперекосяк.
Алгоритм (если это можно назвать алгоритмом) прекрасно работает на BlockRAM, что внутри ПЛИС, но не работает на внешней.
Сначала я думал, что микросхема памяти просто не успевает за ПЛИС (изначально работал на 50 МГц, чипы памяти - 10 нс). Оные чипы грелись, но... Дело оказалось не в этом. Снизив частоту до долей Гц делением, чтобы наблюдать перетикивание светодиодов "вживую", я не добился продвижения в понимании оного глюка.
Если поставить PULLUP на выходы SRAM_DATA - читается FFFF. Если поставить PULLDOWN - читается 0000. Если KEEPER - последнее записанное. Уровни на управляющих ножках - правильные. Адрес выставляется. Что ей ещё надо, блин?
Пробовал даже делать так:
Код
SRAM_DATA<="ZZ...ZZ";
DATA_READ <= SRAM_DATA;
с тем же результатом (с никаким, т.е.).
- Может такое быть, что сами микросхемы не работают? Мне кажется, что это очень маловероятно - всё ведь, кроме них, работает прекрасно.
- Как это проверить другим способом?
- Кто-нибудь на этой плате вообще внешнюю память использовал?
Перепаивать микросхемы не предлагайте, заменить их не на что (и ОЧЕНЬ не хочется портить плату).
Сообщение отредактировал Мастер-Ломастер - Feb 22 2007, 00:25