реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3  
Reply to this topicStart new topic
> Импульсный источник тока, Посоветуйте транзистор
Stanislav
сообщение May 1 2007, 16:00
Сообщение #31


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 363
Регистрация: 13-05-05
Из: Москва
Пользователь №: 4 987



Цитата(deemon @ May 1 2007, 15:46) *
Ну так понятно же , что всё в жизни - компромисс ! smile.gif Теряем в скорости ( и напряжени насыщения ) , зато выигрываем в усилении...
Здесь дело даже не в усилении, а в требуемой мощности управляющей цепи. Ну лениво щас трансы везде ставить, отсюда и паллиатив: IGBT, дарлингтоны... smile.gif

Цитата(deemon @ May 1 2007, 15:46) *
...притом проигрыш тут не на порядок получается , а в несколько раз против отдельных транзисторов такого же типа . Логика тут понятна - чем транзистор мощнее , тем тяжелее он выходит из насыщения , а в дарлингтоне насыщается первый , маломощный транзюк , а мощный - как раз насыщения избегает . Было бы наоборот - никто бы их не применял smile.gif
Попробуйте проанализировать сами, какие процессы при этом происходят.
Основная беда в том, что насыщение первого транзистора является очень глубоким.

Цитата(deemon @ May 1 2007, 15:46) *
...В общем - КТ972 транзистор довольно удачный.
Да я и не спорю: во многих применениях он может быть хорош. Только здесь не годится явно.
Цитата(deemon @ May 1 2007, 15:46) *
...И заметьте - довольно скоростной . То же и с IGBT - хоть они и "тормозные" против отдельных полевиков , но их же применяют , ради их мощности и большей живучести , значит - компромисс тут удачный ! Что толку спорить - жизнь сама показывает , что хорошо , а что плохо.
Повторюсь: не спорю с этим.
Однако, легко показать, что трансформаторный каскад с ОБ ведёт себя гораздо лучше всяческого паллиатива. smile.gif В том числе, и в импульсных блоках питания.


--------------------
Самонадеянность слепа. Сомнения - спутник разума. (с)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
sup-sup
сообщение May 1 2007, 22:06
Сообщение #32


Знающий
****

Группа: Участник
Сообщений: 674
Регистрация: 26-08-05
Пользователь №: 7 997



Цитата(олесь @ Apr 25 2007, 19:00) *
Есть задача формировать достаточно короткие импульсы тока.
tи=80-200нс , скважность 100-200

Импульс ТОКА порядка 10-15Ампер.

Нагрузка сидит на земле. (по характеру- стабилитрон Uпр 15в)

Какая фирма делает ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ Uкэ~40B PNP
высокочастотные транзисторы? Аналоги советских 2Т904кажется cranky.gif

Вот еще один вариант формирования импульса тока.
Общий принцип состоит в том, что в дросселе L1 постояно поддерживается требуемый ток, например, 15А от импульсного понижающего преобразователя в режиме стабилизации (ограничения) тока (лучше синхронник применить (как источник питания для процессора на материнской платы), так как требуемое выходное напряжение будет не больше 1В - практически режим КЗ). Для формирования импульса тока в нагрузку нужно на требуемое время закрыть полевик M9. Все это упрощенно показано на приложенном рисунке. Преимущество такого способа - возможность получить очень короткие фронты, так как применено минимальное количество коммутирующих "готовый" ток компонентов M9, D1.
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
deemon
сообщение May 2 2007, 09:04
Сообщение #33


Знающий
****

Группа: Новичок
Сообщений: 642
Регистрация: 30-01-07
Пользователь №: 24 888



Цитата(sup-sup @ May 1 2007, 23:06) *
Вот еще один вариант формирования импульса тока.
Общий принцип состоит в том, что в дросселе L1 постояно поддерживается требуемый ток, например, 15А от импульсного понижающего преобразователя в режиме стабилизации (ограничения) тока (лучше синхронник применить (как источник питания для процессора на материнской платы), так как требуемое выходное напряжение будет не больше 1В - практически режим КЗ). Для формирования импульса тока в нагрузку нужно на требуемое время закрыть полевик M9. Все это упрощенно показано на приложенном рисунке. Преимущество такого способа - возможность получить очень короткие фронты, так как применено минимальное количество коммутирующих "готовый" ток компонентов M9, D1.


Интересно , а будет ли преимущество по скорости нарастания ? Всё равно - один транзистор должен закрыться , а потом открыться , а в обычной схеме - наоборот ...... но скорость транзистора будет влиять и там , и тут . Единственное преимущество - стабилизацию тока берёт на себя индуктивность , зато расход энергии повышенный ........ в общем , тут надо бы ещё подумать .
Go to the top of the page
 
+Quote Post
oles_k76
сообщение May 4 2007, 11:55
Сообщение #34


RF
***

Группа: Свой
Сообщений: 321
Регистрация: 12-04-06
Из: Berlin
Пользователь №: 16 046



Цитата(Lonesome Wolf @ Apr 26 2007, 21:41) *
Раскачка ЛПД с коррекцией полочки, чтобы компенсировать нагрев кристалла, насколько я понимаю.

Посмотрите у Дьяконова - Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах - там подобные схемки были. Они правда на полевиках, но сам принцип построения может оказаться полезным.


На полевиках все умеют biggrin.gif .

А полевые транзисторы имеют очень большую выходную емкость. sad.gif

Вопрос состоит в том есть ли в мире фирмы выпускающие высоковольтные Высокочастотные PNP

Ну может попадался кому нить транзистор с граничной частотой >300мгц ИМПОРТНЫЙ


--------------------
теперь питание компьютера можно отключить
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 7th July 2025 - 02:37
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01391 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016