В документации обещают100.000 циклов записи/стирания...
Но можно лирасчитывать на большее число циклов?
500.000, 5.000.000?
Есть ли у кого-нибудь такая статистика?

Можно. Но я бы не стал. ;О) Есть другие способы расширения сознания. Типа циклического буфера. Путь экстенсивный, но надёжный. А то и ФРАМку снаружи, ежли что.

Статистики по AVR не имею, но есть эксперементальные данные по AT25256 от Atmel, при обещанных 100.000 циклах - чесно выдержала около 200.000 - 250.000 потом в одном случае в ячейке осталось последнее значение и упорно не хотело перезаписываться, в 3-х других в ячейке было FF.... так что думаю на 500.000 от тогоже атмела, но внутри МК, я бы закладываться не стал

Как показывает практика, в ЕЕПРОМ при очередном скачке питания запишется какая-нибудь хрень (типа нулей), и это произойдёт раньше, чем он выработает свой ресурс 100000 циклов.
Ненадёжный он у АВРок очень. Соблюдение всех рекомендаций (типа обнулять адресный регистр, не использовать 0-ую ячейку) не помогают.

Нельзя.
Игорь Козак как-то запостил результат теста ~105-115 - тыс записей, после чего ячейка сдыхает. Я из интереса повторил его эксперимент и могу подтвердить что максимум на что можно расчитывать +5-15% к тем, что указаны в ДШ.

Согласен с CD_Eater , EEPROM у МК крайне чуствительна к питанию ,BOD улучшает ситуацию ,но не на 100%
Лучше ставить внешнюю ,будет надежнее.

А вот у AT24С256 ОДИН миллион циклов перезаписи

Зато она медленнее
Каждой задаче - своя память

Это не совсем так. В основном запись в AT24 происходит гораздо быстрее чем во внутренний епром.
Внутренний eeprom ~3ms на один байт
AT24 - 5ms - на страницу, а страница может быть до 128 байт. Итого AT24 почти в 100 раз быстрее.

При чтении конечно внутренний eeprom будет быстрее, т.к. ближе ;>

Не в качестве придирки, а в качестве саморазвития, проясните мне тогда следующий текст на первой страниче обоих микрух (смотрю атмеловские доки)
AT24:
Self-timed Write Cycle (5 ms Max)
1 MHz (5V), 400 kHz (2.7V, 2.5V) and 100 kHz (1.8V) Compatibility
AT25:
Self-timed Write Cycle (5 ms Max)
20 MHz Clock Rate (5V)

Из этого текста я заключаю что SPI-ная память быстрее как на запись байта (хотя бы за счёт более быстрого протокола и одинакового цикла записи), и уж тем более быстрее на чтение. Разьясните плз. мне где я не прав?

P.S. Извеняюсь что не в тему ветки

Цифры с первого листа, как правило, не лишены рекламного налёта(:-). Например, время записи - 5 мс МИНИМУМ, а не максимум. Давайте взглядимся попристальнее в технические данные.

1) Запись. При 5В питании требуется 5 мс для записи одного байта. В АТ25 надо передать 40 бит на скорости 3 Мбод, т.е. 13 мкс на передачу одного байта. В АТ24 надо передать 38 бит на скорости 1 Мбод, т.е. 38 мкс. ВЫВОД: время передачи ничтожно по сравнению с временем записи, РАВНЫМ для обоих типов памяти.

2) Чтение. При 5В питании для АТ25 время чтения меньше примерно в 3 раза, чем для АТ24.

3) Если посмотреть правде в глаза, то ясно, что 5-вольтовые изделия постепенно сходят со сцены, и что промышленным стандартом де-факто стали 3.3 вольта. Для 3-вольтового питания время записи АТ25 составляет 10 мс, а для АТ24 - те же 5 мс. Отмечу, с литерой "В", для которой гарантирован МИЛЛИОН циклов записи. Очевидно, что для 3.3В питания АТ25 по времени записи проигрывает почти в два раза АТ24, зато по чтению - в 5 раз превосходит.

Большое спасибо за столь обстоятельный ответ, однако остался при мнении "для каждой задачи своя память "
В моём девайсе обмен с AT25 происходит при 5-и вольтовом питании, т.е. в моём случае она таки при любом варианте (как чтение так и запись) быстрее. Кроме того у меня больше из памяти читается...

Да все так, я как-то пропустил что вы говорили об AT25.
На фоне сабжа, показалось что вы сравниваете AT24 и внутренней eeprom AVR.

если сравнивать AT24 и AT25, тогда конечно при прочих равных начинках, AT25 потенциально будет быстрее за счет SPI.