И еще есть у Fairchild - AN4147 и, наверняка, где-нить в старых юнитродовских AN. Вообще, я не вижу смысла в точном расчёте потерь в снаббере, для большинства девайсов, по-моему, приближённого расчёта для наихудшего случая вполне достаточно. Ну, будет резистор помощнее, копеек на 10 дороже, делов-то...

Сообщение отредактировал wim - Aug 13 2007, 16:38

Как раз ответ очевиден - уменьшая напряжение демпфирования резко увеличиваем время заряда выходной индуктивности рассеяния, получаем больший средний ток в кондер демпфера - и вот они, потери...

Дык, энергии выброса надо ж куда-то деваться? А кроме конденсатора некуда, стал быть надо увеличить ёмкость. Однако, если идёт такая отчаянная борьба с выбросом, может, топологию поменять, например, верхний ключ добавить?

[attachment=13014:attachment]

Вот. Схема та же, но индуктивность рассеяния разделена на две равные части. Одна из них находится в первичной цепи, другая во вторичной.
Легенда по цветам та же.

Добавлю еще несколько диаграмок по поводу заряда демпферной емкости на обратном ходу.
[attachment=13015:attachment]

Синий - напряжение на первичной обмотке.
Красный - напряжение на демпферной емкости.
Номинал демпферного резистора 33к.

[attachment=13016:attachment]
Это ток через демпферный диод для случая, когда номинал демпферного резистора равен 33к.

[attachment=13017:attachment]
В этом случае номинал демпферного резистора равен 12к.

[attachment=13018:attachment]
Ток демпферного диода, когда демп. резистор 12к. Желтым подчеркнут ток, появившийся в этом случае на обратном ходу.

Сообщение отредактировал Прохожий - Aug 14 2007, 07:02

Еще раз - почитайте в моей статейке, я постарался пошагово объяснить механизм работы снаббера, и как в итоге приходим к общеизвестной формуле, в частности, из статьи по ссылке г-на Wim.



Ага, спасибо! Будем анализировать!

Ну и как формула? Работает?
Предлагаю следующий эксперимент.
1. Считаем снаббер по статье из ссылки уважаемого Wim для параметров моей схемы.
2. В моделируемой схеме устанавливаем посчитаные номиналы Rд и Cд.
3. Меряем усредненую RMS мощность резистора Rд за 50 периодов.
4. Делаем выводы о сходимости метода.

Я дико извиняюсь, но почему "на две равные"? Как любая другая индуктивность она пропорциональна квадрату числа витков, следовательно деление должно быть пропорционально коэффициенту трансформации в квадрате.

Ну, равные в смысле что в равной пропорции от индуктивности намагничивания

Если интересно, могу кинуть ссылку на сайт английской испытательной лаборатории ЭМС. Они ваще круто сделали - из проверяемых девайсов выпаивали детальки, измеряли их полные сопротивления и вштрекали эти паразитные ESR, ESL и емкостя в модель. Конечно, больше всего их интересовали спеткры помех, однако кой-какие осциллограммы там тоже есть.

Но я то не подумавши разделил на две равные части. Так, что переделать?

Да, конечно! Иначе вообще становится все неправильно... То есть если, например, рассеяние первички из первоначальной модели 10uH, и К=10, то получим две индуктивности - на первички 5uH, и на вторичке 5/100 = 50nH

А для индуктивности на вторичке 50nH хорошо бы учесть ESL выходных конденсатора и диода, кои в сумме могут добавить такого ж порядка индуктивность.

Диаграммы надо смотреть совместно со схемой. Напряжение питания там 50 Вольт. Пульсации на демпферном конденсаторе на диаграмме с 33к 10 Вольт, на диаграмме с 12к -несколько больше.
Напряжение на обмотке "измеряно" дифференциально, так же как и на демпфирующей емкости. Точки подключения маркеров ("щупов осциллографа") указаны внизу, возле символа соответствующего графика.
Последний знак в тексте разметки по оси Y - это не 0, а буква V, по-нашему Вольты (тут я ничего не могу сделать, такой шрифт).
Все интересующие Вас номиналы указаны на схеме, в частности демпферная емкость составляет 4,7 нФ.

В ответственных случаях я обычно пользуюсь формулой для RMS. Там получается определенный интеграл от линейной функции. Конечный результат достаточно громоздкий. А разница между аппроксимацией спадающей функцией и простой константой незначительна (для таких наклонов, о которых идет речь).



Насчет емкости имеются кое-какие мысли. Емкость можно выбирать исходя из двух предположений и одного допущения.
Предположения:
1. Время действия выброса.
2. Максимальное напряжение в момент выброса.
Допущение:
1. Импульс зарядного тока прямоугольный.
Тогда получается:

Cд=(ILs*tи)/dU, где
ILs - ток индуктивности рассеяния,
tи - время импульса,
dU - приращение напряжения на демп. емкости за импульс.

Смутно ощущаю, что одно из предположений можно получить аналитически.

Дык, оная ёмкость уже встроена в модель МОП-транзистора, даже в самую простую - уровня 1. Конечно, IRF тока такие простые модели и выкладывает, но если надо поточнее - в библиотеках OrCAD есть модели уровня 3.