Здравствуйте все!
Мне нужны маленькие комплементарные биполярные RF транзисторы, Ft около 3-4 ГГц. (Это значение получено по результатам моделирования, если намного меньше, то схема не работает.) Ток через них должен течь импульсный, частота импульсов около 10 МГц, амплитуда импульсов тока до 300 мА. Форма тока примерно вот такая, см. рисунок. Очень хочу уложиться в корпуса SOT-23, обязательно SMD и высота не больше 3 мм..
Трудность такая: в datasheets на такие транзисторы, как правило, мне не удаётся найти максимальный импульсный ток. Обычно дают средний. Вопросы:
1) возможно ли и как можно оценить предельно допустимый импульсный ток через такой транзистор, зная допустимый средний ток, например, 70 мА для MMBR521 (взят наугад из библиотеки Micro-Cap)?
2) если такого в SOT-23 не бывает, то подскажите, пожалуйста, что-то другое небольшое. Особенно трудно с pnp, npn выбор больше.
Заранее признателен.

PNPшник- BFT92, NPN-много разных

Но ведь про него написано peak collector current f>1MHz -35 mA? Мне же пиковый ток нужен под 300 мА.

Сам с такой проблемой мучаюсь. Есть еще BFQ149, но он до 100 мА, или приходиться урезать осетра по частоте и ставить BFQ252. Мало есть СВЧ PNP транзисторов. А что за схемотехника каскада? Может можно на одних NPN извратиться? Или применять гигагерцовые операционники?
Кстати, микрокапу на такой частоте верить нельзя никак- готовую торологию платы надо загонять в MicrowaveOfiice, с указанием епсилон диэлектрика и тощины платы и проверять на паразитные резонансы- иначе импульсный усилитель или формирователь становится генератором неизвестных гигагерц.

khach, спасибо большое. Я попробовал помоделировать с BFQ252, слегка поправил схему, и получилось вполне подходяще. То есть оказалось, что и 1 ГГц полосы хватит. Вот только очень он большой. Не подскажете поменьше?
Каскад вовсе не радиочастотный, это ключ, прокачивающий импульсы 10 МГц на ёмкость около 200 пФ. Как-то очень не хочется по такому поводу разбираться с MWO. Деталей там минимум, и нужную форму импульсов дают только очень высокочастотные транзисторы. Одна такая схема работала как раз с BFT92, но он сильно грелся, хотя вроде не с чего. Вот теперь сижу и размышляю.

Т.е. - транзисторы работают в ключевом режиме?

Именно так. По крайней мере, я от них этого хочу.

Аккуратнее с "ключевым" режимом. RF транзисторы имеют достаточно высокое (десятки ом) омическое сопротивление тела коллектора в ненасыщенном режиме (оборотная сторона маленьких площадей эмиттера) и достаточно большое время выхода из насыщения, практически такое же, как и у более низкочастотных. SPICE этот эффект (модуляцию сопротивления тела коллектора при насыщениии/квазинасыщении и появление диффузионной емкости коллектор-база) толком не моделирует. Для ключевого режима ставь лучше полевики или делай силовой выход на двухтактном эмиттерном повторителе, но ни в коем случае не "коллектор в коллектор". Реально работающие схемы "коллектор в коллектор" достаточно сложны и практичны только в интегральном исполнении. Кстати, есть специальные ключевые биполярные транзисторы с очень быстрым выходом из насыщения, о т граничной частоты это практически не зависит (например, как у КТ603), но pnp среди них мало. Характерная особенность - небольшие H21э и быстрое их падение на малых токах. Для работы на емкость они лучше RF транзисторов.
А вообще, если деньги позволяют, возьми КМОП драйвера затворов от IXYS (бывшие DirectEnergy). Кстати, фронт/спад в 4-7 нС на 200 пФ при небольших напряжениях дают и несколько в параллель 74AC04, это-то уж точно самое компактное решение, учитывая, что они бывают по 2 в SOT23 .

Сообщение отредактировал SIA - Aug 31 2007, 12:35

Ну да, верхний PNP ключ нельзя полностью закрывать- он должен оставаться приоткрытым (1/10-1/20 рабочего тока). А этот ток съедается генератором тока (можно низкочастотным) в нижнем плече.

Вот ключики и поставьте. TS серия у TI, к примеру.

Большое всем спасибо, задержался с ответом, так как переваривал информацию.
На всякий случай добавлю ещё к описанию задачи, что размах импульсов на ёмкости должен быть 8-12В, время нарастания не более 15 нс, а лучше - меньше. Задержки распространения тоже не больше. Сейчас в этом месте стоит микросхема EL7457 от Elantec, всем хороша, но греется даже на холостом ходу так, что пальцу больно потрогать. И это нормально, если рассчитать рассеиваемую мощность по datasheet, то так и должно быть. Есть там такой зловредный параметр - внутренняя ёмкость. Мне надо снизить потребление.


А можно хоть немножко конкретных моделей, чтобы начать искать? Особенно полевики?

Глянул, задержки у них великоваты.

У Texas искал MOSFET Drivers - там не нашёл. Или где эти TS?

TS5A2053. Например. Можно запараллелить оба ключа. А вот насчет перегрева - что то тут не так - у Вас же амплитуда маленькая. Считаем - (f*CU^2/2). КПД, скажем, 10%. Получаем - мелочь какую-то. Или я не прав?

Глянул TSxxx, они все to 5.5-V Single-Supply Operation. Мне бы 8-12В.
С перегревом, увы, так. Вот адрес datasheet http://www.intersil.com/data/elantec/el7457c.pdf, там на последней содержательной странице формула для расчёта потребляемой мощности. Составляющая от внутренней ёмкости выглядит как Cint*V^2*f, если Cint=80 pF, V=12V и f=10МГц, то получим 115 мВт на один ключ, а их 4 в корпусе. А корпус маленький, QSOP16. Мне надо три ключа, пока ставлю три корпуса, дорого и противно.
Может, кто подскажет параметрический поиск транзисторов с быстродействием? Кроме OnSemi, я там был уже.

Какие ключи? Нужна же форма имульса (или я ошибаюсь)? Тогда надо искать что то из ТИшевских THS3000 -ths4000 c 15 вольтовым питанием и необходимой полосой и мощностью выхода по току. Если будет слабо-можно парралелить. Что то типа THS4021 или THS4011

Да и питание зачем 15 В ? Амплитуда же едва 300 мВ