реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
back
сообщение May 27 2005, 05:48
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 1
Регистрация: 27-05-05
Пользователь №: 5 448



Требуется память. Размер 2-8 Мегабайт. Побайтный доступ. Энергонезависимая. Интерфейс и скорость почти не волнуют. Возможно ли такое?
В памяти все время лежит массив около 2 мегабайт. В произвольные моменты времени требуется заменить в нем часть данных 10-100 байт в произвольном месте, причем размер стираемого и записываемого могут не совпадать, дефрагментируем сразу. Ресурс флеши убивается довольно быстро. Озу с батарейкой заказчик зарубил на уровне идеи. EEPROM нужного размера найти не удалось, да и дорого это, и ресурс у него не много больше. Идеально подходит FRAM, но где ее взять 2Мб?
Мобщем подскажите в какой стороне копать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
belousov
сообщение May 27 2005, 07:01
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 23
Регистрация: 5-03-05
Из: Москва
Пользователь №: 3 093



По поводу Flash памяти. Есть калькулятор расчета времени жизни на сайте M-Systems:

http://www.m-systems.com/content/Developer/Calc.asp

Если руководствоваться принципом "записывать в новое место", то расчет может показать довольно большой срок жизни:

Емкость памяти=8Мб.
Перезаписывемый объем памяти=100байт.
Количество циклов стирания= 100000.
Число записей в день(не указана) например(1 в 1 сек)=86400 в день
Тогда общий срок жизни:8000000*100000/(100*86400)=92593 дня или
253 года.

Описание данного подхода в приложенном файле.
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  Flash_management_software.pdf ( 348.27 килобайт ) Кол-во скачиваний: 50
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
_Vladimir_
сообщение May 28 2005, 09:15
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 114
Регистрация: 10-05-05
Пользователь №: 4 893



Цитата(back @ May 27 2005, 08:48)
Требуется память. Размер 2-8 Мегабайт. Побайтный доступ. Энергонезависимая. Интерфейс и скорость почти не волнуют. Возможно ли такое?
В памяти все время лежит массив около 2 мегабайт. В произвольные моменты времени требуется заменить в нем часть данных 10-100 байт в произвольном месте, причем размер стираемого и записываемого могут не совпадать, дефрагментируем сразу. Ресурс флеши убивается довольно быстро. Озу с батарейкой заказчик зарубил на уровне идеи. EEPROM нужного размера найти не удалось, да и дорого это, и ресурс у него не много больше. Идеально подходит FRAM, но где ее взять 2Мб?
Мобщем подскажите в какой стороне копать.
*

А хоть приблизительная оценка частоты записи есть?
Ресурс для ФЛЭШ честный производитель дает во всем температурном диапазоне. При нормальной температуре он как минимум в 10 раз выше.
ИМНО, 100 000 это цифра для парных циклов запись/стирание.
А если оптимизировать число операций стирания. то наверное никто не скажет каков ресурс.
Рекомендую Serial Flash с SPI (я использую для аналогичных целей M25P80 - 8Мбит от ST, есть и у других производителей).
ST приводит отчеты тестирования циклов записи/стирания при Т=150 град в непрер. режиме за 36 часов.

Выбирайте с минимальным размером сектора/страницы и при использовании буферного ОЗУ Вы резко сократите число циклов стирания.
M25P80 например имеет всего 16 секторов, но каждый разбит на 256 страниц.
"Квант стирания" - сектор, а "квант записи" - страница, страницу можно ДОПИСЫВАТЬ, т. е. писать не сначала, адреса слева не меняются.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 12th July 2025 - 18:05
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01342 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016