Требуется память. Размер 2-8 Мегабайт. Побайтный доступ. Энергонезависимая. Интерфейс и скорость почти не волнуют. Возможно ли такое?
В памяти все время лежит массив около 2 мегабайт. В произвольные моменты времени требуется заменить в нем часть данных 10-100 байт в произвольном месте, причем размер стираемого и записываемого могут не совпадать, дефрагментируем сразу. Ресурс флеши убивается довольно быстро. Озу с батарейкой заказчик зарубил на уровне идеи. EEPROM нужного размера найти не удалось, да и дорого это, и ресурс у него не много больше. Идеально подходит FRAM, но где ее взять 2Мб?
Мобщем подскажите в какой стороне копать.
Полная версия этой страницы: Какую память применить
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Микроконтроллеры (MCs) > Все остальные микроконтроллеры
По поводу Flash памяти. Есть калькулятор расчета времени жизни на сайте M-Systems:
http://www.m-systems.com/content/Developer/Calc.asp
Если руководствоваться принципом "записывать в новое место", то расчет может показать довольно большой срок жизни:
Емкость памяти=8Мб.
Перезаписывемый объем памяти=100байт.
Количество циклов стирания= 100000.
Число записей в день(не указана) например(1 в 1 сек)=86400 в день
Тогда общий срок жизни:8000000*100000/(100*86400)=92593 дня или
253 года.
Описание данного подхода в приложенном файле.
http://www.m-systems.com/content/Developer/Calc.asp
Если руководствоваться принципом "записывать в новое место", то расчет может показать довольно большой срок жизни:
Емкость памяти=8Мб.
Перезаписывемый объем памяти=100байт.
Количество циклов стирания= 100000.
Число записей в день(не указана) например(1 в 1 сек)=86400 в день
Тогда общий срок жизни:8000000*100000/(100*86400)=92593 дня или
253 года.
Описание данного подхода в приложенном файле.
Цитата(back @ May 27 2005, 08:48)
Требуется память. Размер 2-8 Мегабайт. Побайтный доступ. Энергонезависимая. Интерфейс и скорость почти не волнуют. Возможно ли такое?
В памяти все время лежит массив около 2 мегабайт. В произвольные моменты времени требуется заменить в нем часть данных 10-100 байт в произвольном месте, причем размер стираемого и записываемого могут не совпадать, дефрагментируем сразу. Ресурс флеши убивается довольно быстро. Озу с батарейкой заказчик зарубил на уровне идеи. EEPROM нужного размера найти не удалось, да и дорого это, и ресурс у него не много больше. Идеально подходит FRAM, но где ее взять 2Мб?
Мобщем подскажите в какой стороне копать.
В памяти все время лежит массив около 2 мегабайт. В произвольные моменты времени требуется заменить в нем часть данных 10-100 байт в произвольном месте, причем размер стираемого и записываемого могут не совпадать, дефрагментируем сразу. Ресурс флеши убивается довольно быстро. Озу с батарейкой заказчик зарубил на уровне идеи. EEPROM нужного размера найти не удалось, да и дорого это, и ресурс у него не много больше. Идеально подходит FRAM, но где ее взять 2Мб?
Мобщем подскажите в какой стороне копать.
А хоть приблизительная оценка частоты записи есть?
Ресурс для ФЛЭШ честный производитель дает во всем температурном диапазоне. При нормальной температуре он как минимум в 10 раз выше.
ИМНО, 100 000 это цифра для парных циклов запись/стирание.
А если оптимизировать число операций стирания. то наверное никто не скажет каков ресурс.
Рекомендую Serial Flash с SPI (я использую для аналогичных целей M25P80 - 8Мбит от ST, есть и у других производителей).
ST приводит отчеты тестирования циклов записи/стирания при Т=150 град в непрер. режиме за 36 часов.
Выбирайте с минимальным размером сектора/страницы и при использовании буферного ОЗУ Вы резко сократите число циклов стирания.
M25P80 например имеет всего 16 секторов, но каждый разбит на 256 страниц.
"Квант стирания" - сектор, а "квант записи" - страница, страницу можно ДОПИСЫВАТЬ, т. е. писать не сначала, адреса слева не меняются.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.