В варианте сварочника

Грандиозно! Еще бы сам файл , что б ручками потыкать и разобраться!

http://slil.ru/25141063

Спасибо! Уже наслаждаюсь!
P.S. При моделировании получил окошко "матрица сингулярная". Что это означает?

Картинка напряжения слишком идеальная. Такого на самом деле не бывает.
Чтобы было более достоверно, надо вставить индуктивность где-то 150- 200 нГн между С32 и полумостом, а так же резистор 2...5 mОм. Непосредственно к полумосту (параллельно) надо добавить емкость порядка 1,5 мкФ.

Ну, типа нужно нажать RUN несколько раз, при условии, что в окошке State Variables установлено Leave. Если счет не начинается, то поменять значения нек. параметров
в Global Settings.




Дык, покажите на модельке своегО аппарата, какая бывает реальная.

Сообщение отредактировал gyrator - Nov 23 2007, 21:51

В MC8 после коррекции GS все нормально начинает считать, а вот в MC9 пока помимо изменения GS еще и Operating Point не поставишь (что не совсем корректно по сути) - не хочет. В причинах пока не разбирался.

Спасибо, что не бросили, особенно за Global Settings.Гораздо интересней щупать руками а не глазами!

отдельное спасибо за Operating Point. Попробую поставить дополнительно 8-ку, вроде бы они уживаются вместе (нет ли подводных камней)?

...upload/modeling/microcap v9

Не, подводных камней нет. Восьмерку и девятку даже запустить можно одновременно (вообще у меня на компе стоит четыре варианта восьмерки и три варианата девятки.
Восьмерку рекомендую брать здесь - _http://www.cwer.ru/micro_cap_v8_1
Это наиболее полный вариант (по библиотекам) из того, что я в стречал в сети

Девятку после установки рекомендую апдейтить с 9.0.0 до 9.0.3 - там исправлен ряд ошибок.

Возвращаясь к теме обсуждения.
Основные недостатки и преимущества флая в непрерывном и прерывистом (граничном) режиме уже были перечислены. Несмотря на мое скептическое отношение к комплексному сравнению схем на основе результатов моделирования, сравнение отдельных характеристик и демонстрацию особенностей считаю вполне возможной и весьма полезной в связи с этим хотел бы попросить совета по поводу методики такого сравнения.
Я считаю целесообразным проводить сравнение при трех значениях входного напряжения - 9 В, 24 В и 308 В, четырех значениях выходного напряжения - 5В, 12В, 60В, 300В, четырех значениях мощности 5Вт, 20Вт, 60Вт, 300Вт и трех значениях частоты – 100кГц, 250кГц, 500 кГц.
Думаю, при этом можно будет говорить о тенденциях.

Такой сравнительный анализ на идеализированной модели вряд ли представляет практический интерес. Поэтому при расчетах нужно использовать модели реально существующих компонентов. И вот в этом месте мне нужна помощь – я не знаю современную элементную базу. Поэтому буду весьма признателен специалистам за помощь в выборе наиболее типично применяющегося в для каждого из рассмотренных вариантов силового транзистора и выпрямительного диода (синхронное выпрямление пока не рассматриваю).
Хотя бы по некоторым случаям:
Вар. 1. Вх. 9В, вых. 5В, f=250кГц, P=20Вт
Вар. 2. Вх. 9В, вых. 300В, f=250кГц, P=20Вт
Вар. 3. Вх. 24в вых. 5В, f=250кГц, P=60Вт
Вар. 4. Вх. 24в вых. 5В, f=100кГц, P=300Вт
Вар. 5. Вх. 24в вых. 300В, f=100кГц, P=300Вт
Вар. 6. Вх. 300в вых. 5В, f=100кГц, P=60Вт
Вар. 7. Вх. 300в вых. 12В, f=100кГц, P=60Вт
Вар. 8. Вх. 300в вых. 60В, f=100кГц, P=300Вт

Кроме того, буду признателен за любые предложения как по методике, так и по реализуемым вариантам (по большому счету, мне все равно, что моделировать, поскольку все это с моей работой, увы, не связано)

Я считаю, что для сравнения именно режимов нужно исключить влияние всех остальных элементов схемы, т.е. считать их идеальными. При моделировании получатся некоторые значения токов и напряжений на ключе и на выпрямляющем диоде. Сопоставив эти значения можно будет судить о том какой будет КПД при применении реальных диодов и транзисторов. Причем вероятно надо исключить и демфирующие цепи из тестиркемой модели. По сути оставить трансформатор, идеальный ключ и идеальный диод.
Единственное, что мне не очень понятно, это как задавать параметры трансформатора с MS8 (до этого пользовался PSpise 5.0, еще DOSовским).
Еще при моделировании стоит смотреть на режимы с минимальной и максимальной нагрузкой для данной модели трансформатора.
Все написанное мной - мои скромные предложения, не являюшиеся безопеляционными и критичными утверждениями.

Думаю, это может быть только первой частью сравнения, которое только лишь проиллюстрирует основные процессы в схеме. Однако, идеальная модель не учтет очень важный момент – характер протекания коммутационных процессов, который всецело зависит от паразитных параметров. И я не зря предложил сравнивать низковольную и высоковольтную схемы, мощную и маломощную.
Очевидно, что выключение диода Шотки в преобразователе с 5-вольтовом выходом будет оказывать существенно иное влияние на коммутационные процессы в схеме, нежели выключение высоковольного диода в преобразователе с 300-вольтовом выходом.
Точно также низковольтные и высоковольтные транзисторы имеют разные паразитные параметры. И влияние этих параметров на схему также различно, поскольку в низковольтном и высоковольтном преобразователе при одинаковой частоте коммутации существенно разные скорости нарастания (спада) напряжений. Соответственно, разные влияния паразитных емкостей. А в маломощных/мощных преобразователях – существенно разные скорости нарастания токов и соответственно, сильно разные влияния паразитных индуктивностей.


Именно по этой причине я и хочу смоделировать эти крайние случаи и прошу мне подсказать полупроводниковые приборы, наиболее типичнее в этих случаях, чтобы корректно учесть их паразитные параметры.


MS8 - это мультисим? По MC8 (Микрокап) могу выложить описание.

Дело в том, что Ваш блок питания с двумя выходными обмотками. Уважаемый wim убедил меня, что просто так моделировать такие трансформаторы нельзя. Т. е. модель из той ветки не совсем верная.
Необходимо более тщательно учитывать взаимные индуктивности обмоток. В настоящее время я пытаюсь просочетать предложенный им подход с традиционным. Беда в том, что катастрофически не хватает времени, чтобы заняться вопросом вплотную. Как только что-то появится, я обязательно представлю результат уважаемому сообществу.

Обсуждаемые вопросы переросли рамки данной темы, и поскольку уважаемый AML сделал интересное бескорысное предложение, предлагаю глубоко уважаемому AML создать в этой ветке тему типа "моделирование импульсных источников в MicroCap". Попутно всем заинтересованным подумать о создании (и структуре) опросника по применяемым деталям и материалам в источниках питания, соотнесенных с их параметрами (мощность, входное и выходное напряжения, токи). С наскоку у меня логически выстроенная структура не получилась (да и опыта создания опросника на форуме нет).

Предложение считаю вполне разумным, поэтому дальнейшие обсуждение моделирования предлагаю продолжить здесь - http://electronix.ru/forum/index.php?act=S...t=0#entry328555

Отвечу по теме как практик, без всяких теоритических заморочек.
По сравнению с режимом ПТ, при использовани режима неразрывных токов я могу повысить мощность флайбека почти в два раза, это при тех же массогабаритных параметрах сердечника.
Т.е. При расчёте флайбека одинаковой мощности, массогабаритные размеры при неразрывных токах будут существенно ниже остальных вариантов. А вот КПД может немного упасть.