в силу сложившейся технологии производитель изготавливает 4-х слойные платы со следующим stackup (рисунок).
В этом случае hyperlinx насчитывает волновое сопротивление для дорожки шириной 0.13мм -> 100 Ом.
Но во всех рекомендациях скоростные дорожки рекомендуют 50 Ом. Посмотрел в гиперлинксе - что для 50 Ом, что для 100 Ом задержка сигнала примерно одинакова - около 1нс. Ну чем тогда 100 Ом хуже чем 50 Ом?
Игрался с толщиной диэлектрика до plane, дак чтобы получить для такой ширины дорожки 50 Ом, надо расстояние до plane - 0.08мм, представляется не очень реальным в изготовлении.

PS - шина памяти 100 МГц.