Цитата(proxi @ Dec 27 2007, 19:35)
Какие BJT или LDMOS подойдет...
Если говорить откровенно, то по заказу посредника находящегося в Москве нами были разработаны чипы BJT-транзисторов (по нашему конструкторско-технологическому ноу-хау) в России по нашим данным применяется совершенно другая конструкция и технология для создания чипов СВЧ-транзисторов.
Данный готовый транзистор в корпусе КТ-17 с нашим чипом имеет следующие параметры:
1. Статический коэффициент передачи тока
в схеме с общим эммитером при Ik=0,5А,Uкэ=5в - H21э - 220
(данный параметр корректируется
при изготовлении чипа)
2.Граничное напряжение при Ik=50мА - Uкэогр - 60 В
(данный параметр корректируется
при изготовлении чипа - исходным материалом)
3.Коэффициент усиления по мощности
при U пит=28в, f=175МГц, Рвых=40Вт - Gpmin - 7
4. Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при f=5МГц - tk - 8 пс
5. H21э при Iк=3А, Uкэ=10В, fизм=100МГц - / H21э / - 7,8
6. Емкость коллектор-база при Iэ=0В, Uкб=28В - Скб - 50 пФ
fизм=5 МГц
7. Коэффициент полезного действия
при U пит=28в, f=175МГц, Рвых=40Вт - кпд - 60%
Я понимаю, что Америки я не открыл, Заказчика мы удовлетворили в корпусе КТ-17 (одинарный чип).
Данная конструкция чипа позволяет соединять чипы в одном корпусе параллельно, сколько угодно при соответствующем типе корпуса, увеличивая мощность транзистора, всвязи с хорошим выходом годных на одной пластине более 80% и с минимальным разбросом технологических параметров(линейность и однородность коэффициента усиления H21э в широком диапазоне токов).
Поэтому мы ищем зарубежные аналоги, многокристальные варианты в одном корпусе, а дальше жизнь покажет в какую сторону двигаться BJT, LDMOS и т.д., при соответствующем рынке, качестве и стоимости товара на данную продукцию.
СВЧ-транзисторы, необходимы параметры транзисторов BAL0204-125,BAL0105-100
Dec 25 2007, 11:47
