устойчивость схем с общим коллектором не позволяет применять их нпа высоких частотах

Rвх = (B+1)*[(Ft/Iэ)+R]
где Ft =kT/q температурный потенциал и для 300 градусов кельвина равен 26 мВ.
Транзистор как два диода рассматривать только для определения направления втекающих/вытекающих токов, а то и усиления не добиться и напряжения насыщения не понять.


???

это к тому что задержки считать нет особого смысла

Ну только давйте ради приличия всетаки добавим в формулу сопротивление базы.
Rвх = Rб+(B+1)*[(Ft/Iэ)+R]

Если этот параметр Rб - объемное сопротивление базы, то с точки зрения чистоты теории его необходимо добавить. Но только ради причия разъясним, что добыть этот параметр в справочных данных далеко не всегда представляется возможным и с точки зрения практического расчета (не на высоких частотах, когда В значительно падает) не имеет заметного влияния на величену входного сопротивления (особенно если учесть разброс В ,то можно говорить только об "оценке" или "наименьшем" входном сопротивлении. В последнем случае "неучет" Rб является как бы запасом прочности).

(Ft/Iэ) Сопротивление каскада со стороны эмиттера
исменение Uбэ - dUбэ = (Ft/Iэ)*dIэ и если R >> (Ft/Iэ) то изменением Uбэ можно пренебречь при сравнени с изменением Uб, что и сделано в ХХ