Цитаты из П.Хоровиц, У.Хилл "Искусство схемотехники".
Следовательно напряжение между базой и эмиттером - Uбэ при этом не изменилось.
Стоп. Переход база-эмиттер представляет собой диод, а ток эмиттера является суммарным током текущим через этот диод.
Вольт-амперная характеристика(ВАХ) любого диода есть взаимооднозначная функция - каждому значению напряжения диода соотвтетсвут одно и только одно знаение тока, и каждому значению тока диода сответсвует одно и только одно знаение напряжения диода. Спрашивается как же эмиттерный ток умудряется изменятся при неизменном Uбэ???
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Похоже на развод

А если серьезно, то просто напишите систему уравнений для данной схемы и многое стенет понятно...

Вы бы не могли поконкретней ответить на вопрос?

Это ток эмиттерного перехода (но и не ток базы!!!), а не ток эмиттера. Iэ=Iб+Iк. Коллекторный ток вы куда подевали??? Вклад тока эммиттерного перехода в ток эмиттера невелик.

Не нужно понимать в лоб схему прозвонки транзистора.
Да для прозвонки транзистор это два диода, а для линейного режима
это усилитель тока и ток эмиттера равен сумме тока базы и тока коллектора, причем ток коллектора раз в 100 больше тока базы.

Настоятельно НЕ рекомендую в таких тонких вопросах пользоваться Хоровиц-Хиллом.

Дык речь идёт о диоде, или о транзисторе? Эти понятия, знаете ли, различаются качественно.

В рамках примитивной модели транзистора 0-го порядка, соображения ХХ нужно признать корректными.
При более точном расчёте следует принять во внимание зависимость бета и напряжения БЭ от напряжения КЭ при неизменном токе коллектора, а также выходное сопротивление коллектора.

ЗЫ. Ток базы отдичается от тока эмиттера на бета+1.

Но пусть даже в рамках "примитивной модели транзистора 0-го порядка"
Uбэ все же увеличивается при увеличении Iэ (а Хоровиц и Хилл из-за незначительности deltaUбэ им просто пренебрегают)?

Само сабой пренебрегают! Куда ж без этого? Напряжение на нагрузке во много раз больше, чем на переходе БЭ.
Там 100% ООС. Сначала напряжение на переходе увеличивается, соответственно увеличивается и эмиттерный ток, а только потом начинает работать ООС до устаканивания процессов (Uвх~=Uвых). Не одномоментно же это всё происходит! Причинно-следственные отношения, однако!!!

Не знаю как в теории.
На практике как увеличишь Iэ, транзистор нагреется и почему то Uбэ уменьшается если Iэ-ра не давать меняться.

Вы чем увеличиваете то Iэ? Напряжением питания? Так, правильно, при нагревании полупроводника его сопротивление уменьшается, уменьшается, соответственно, и падение напряжения на нем.

Для того, чтобы посчитать вх. сопротивление повторителя в режиме малого сигнала, достаточно представить его как усилитель со 100% последовательной ООС. Отсюда: вх. сопротивление схемы без ООС (схема с общим эмиттером) увеличивается в коэфф. петлевого усиления раз. Т.е. умножается на коэфф. усиления схемы с ОЭ при данном сопротивлении нагрузки. Определить Ку разомкнутой схемы не сложно: (ток покоя)*®/(температурный потенциал). Вх. сопротивление разомкнутой схемы тоже определяется просто: rб+(температурный потенциал)/(ток покоя).

И с какой же задержкой?

Ну уж вы спросили!!! Куча всяких задерживателей!!!

Ну например с t=1/(восьмерка спит (сек.)).
А что, такого (задержки) быть не может в транзисторе?
(Опа 13-ое сообщение уже (ЗЫ))

Зависит от транзистора .

устойчивость схем с общим коллектором не позволяет применять их нпа высоких частотах

Rвх = (B+1)*[(Ft/Iэ)+R]
где Ft =kT/q температурный потенциал и для 300 градусов кельвина равен 26 мВ.
Транзистор как два диода рассматривать только для определения направления втекающих/вытекающих токов, а то и усиления не добиться и напряжения насыщения не понять.


???

это к тому что задержки считать нет особого смысла

Ну только давйте ради приличия всетаки добавим в формулу сопротивление базы.
Rвх = Rб+(B+1)*[(Ft/Iэ)+R]

Если этот параметр Rб - объемное сопротивление базы, то с точки зрения чистоты теории его необходимо добавить. Но только ради причия разъясним, что добыть этот параметр в справочных данных далеко не всегда представляется возможным и с точки зрения практического расчета (не на высоких частотах, когда В значительно падает) не имеет заметного влияния на величену входного сопротивления (особенно если учесть разброс В ,то можно говорить только об "оценке" или "наименьшем" входном сопротивлении. В последнем случае "неучет" Rб является как бы запасом прочности).

(Ft/Iэ) Сопротивление каскада со стороны эмиттера
исменение Uбэ - dUбэ = (Ft/Iэ)*dIэ и если R >> (Ft/Iэ) то изменением Uбэ можно пренебречь при сравнени с изменением Uб, что и сделано в ХХ