Дык и остальные надо чип - снижаем индуктивность.
Курим аппликухи, потому что много пробелов. Почитайте Irf.com, Pwrx.com Полезно ведь...
Питание очень далеко, по идее не страшно, если на противоположной стороне полигон, иначе - не годится.

2.2 мкф ставил и танталовые, рядом 100нф 1206. Но лучше несколько штук по 1мкф, 0.22 Ну, Вы меня поняли.



Не то, чтобы лучше, просто с 1N4007 оно вообще работать НЕ БУДЕТ.
Это все равно, что вместо микроскопа использовать телевизор, или ноборот.

UF4007 у меня есть,щас попробую,но вряд ли поможет-у меня частота до 100 гц только.Вообще сколько проблем с этой микросхемой,если не получится с диодом-плюню на защиту от кз и буду использовать как гальваническую развязку,при кз чтоб не сгорал транзистор-поставлю последовательно резистор ом 30,в моей схеме ток максимум 5 А,транзистор на 1200в,45 а,так что при кз напряжение будет сажаться на резисторе,надеюсь транзистор выдержит кратковременный КЗ,а больше мне не надо.

Дело не в частоте, а в запирающей способности диода.
По поводу остального - хозяин-барин, но с таким подходом может не получиться и реализация Вашей последней идеи.
Ух, наконец-то имею возможность добавить, что я имел ввиду.
Дело в том, что резистор будет иметь достаточно большую паразитную индуктивность, которая уже на 5 амперах может выдать Вам такой коммутационный выброс, что 1200В коллектор-эмиттер может оказаться маловато. Так что подумайте о защите от перенапряжений

Спасибо вам большое,_Pasha,за консультацию.Вот я одного не понимаю-если работа микросхемы так сильно зависит от паразитных индуктивностей и емкостей,как же она будет работать с нагрузкой-ведь у нагрузки тоже могут быть индук. и емкость.Тот же резистор-только часть нагрузки.

Using monolithic high voltage gate drivers

ВОТ ГДЕ-ТО ТАК...

Ну всё,надо закрывать тему.

Оказалось,рановато закрывать тему.
_Pasha,случилось то,что вы сказали.Транзистор IRG4PH50U(1200в,45а)-киловаттные нагрузки держит,даже не греется без радиатора,а с микромощной нагрузкой пробил,похоже,от перенапряжения.Обьясните,как сделать простую защиту от того самого перенапряжения.

Здесь было обсуждение

Прочитал и про снабберы тоже.В моем устройстве на выходе 400 вольт постоянка импульсная,можно ли в качестве ограничителя напряжения поставить параллельно с выходом(или между коллектором и эмиттером ?) конденсатор напр. 600 вольт ?

У Вас пробилось по коллектору или по затвору?
Для того, чтобы ответить на этот вопрос, надо разобраться, насколько велика возможность перенапряжений по нагрузке.

Но мне все-таки кажется, что пробилось по затвору из-за недостатков топологии.Механика этого безобразия чрезвычайно проста - при выключении вследствие ненулевых паразитных индуктивностей на эмиттере создется отрицательный выброс, а драйвер не может ничего, т.к. он тоже отвязан от транзюка паразитной индуктивностью. Результат - превышение максимального напряжения затвора и фейерверк.

Пожалуйста, опишите поподробнее, что было.
Собсно, разбор полетов должен давать максимум пользы, иначе нахрена весь этот цирк с IJBT
Надо точно установить причину вылета.

З.Ы. У Вас в девайсе DC-звено с электролитами есть ?

Пробило коллектор-эмиттер,вообще какое напряжение надо подавать на затвор,у меня драйвера нет,стоит оптрон,на затвор подается 15 вольт.
Да,перед транзистором диодный мост+2 последовательно соединеных кондера 330 мкфх350 в

Сообщение отредактировал dm211 - Mar 24 2008, 07:16

15 вольт - самое оно.
По каким признакам видно, что пробито КЭ? Если затвор не целый, то однозначно вывод сделать нельзя.
На эмиттер-затвор не помешает поставить стабилитрон 1ватт, 18 вольтовый.
Коллектор-эмиттер навскидку - можно поставить супрессоры, например P6KE-275 2 штуки последовательно. Только выводы у них должны быть короткими, насколько это возможно.
Через какой затворный резистор выключается транзюк?
Какой оптрон применили?

Пока писАл, Вы редактировали.
Так вот, в этом случае есть вариант - ставить быстрый и мощный (и высоковольтный) диод анодом к коллектору, катодом - на плюс DC-звена. Опять же, как можно ближе к оным объектам. Диод, например, HER508 или 20ETS08 (в корпусе TO220). В точки - эмиттер транзюка и катод диода (опять же, как можно ближе) - конденсатор (пленка) - достаточно 100нФ 630 В

Коллектор-эмиттер показывает 30 ом,вот схема

конденсатор (пленка)-это керамический или наоборот?

Поставлю,что под рукой-диод FR307,кондер-какой нибудь поищу.Ну всё-пошел сжигать еще один транзистор-для науки не жалко.

Поставил диод,стабилитрон на затвор,кондер нашел 1нфх630в,наверно хватает или нет?
С маленькой нагрузкой испытывать судьбу не стал,все это нужно для спокойствия души,аппарат людям отдавать.Еще вопрос-недостаточное напряжение на затворе-например 8в-это опасно для него ?

Все таки не удержался-проверил с маленькой нагрузкой и сжег еще один транзистор.