|
Усилитель мощности с низковольтным питанием., Как реализовать УМ (Рвых = 1 Вт, Епит=+3В) |
|
|
|
Mar 9 2008, 06:47
|
Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 62
Регистрация: 29-08-07
Пользователь №: 30 123

|
Есть задача - разработать малогабаритный передатчик. Диапазон частот 455 МГц (возможен вариант 155 МГц) Напряжение питания +3 В. Выходная мощность 1 Вт.
Сразу же задумался, как реализовать оконечный каскад передатчика 1 Вт с таким небольшим напряжением питания. Поиск транзисторов с номинальным +3 В питанием результатов не дал, готовых интегральных усилителей тоже не нашел (максимум - Р1dB = 700 мВт). Искал у известных производителей - Freescale, Mitsubishi, Macom, STM, Avago, RFMD, Renesas, NXP, WJ, NEC и др. Видимо транзисторы и усилители с подобной выходной мощностью делают лишь для сотовых телефонов (900, 1800 МГц). Ставить преобразователь напряжения нежелательно - малы габариты устройства. Пока вижу 2 варианта. 1. Взять транзистор с номинальным напряжением +7 В и мощностью 2 ..3 Вт и на нужных мне частотах использовать его при данном пониженном напряжении. Но к-т усиления при этом, наверное, сильно упадет и зависимость усиления от температуры среды будет сильнее. 2. Суммировать мощность нескольких транзисторов. Но габариты малы.
Или все-таки существуют в природе транзисторы Vcc=+3В, P1dB>32dBm, Gain>10dB, VHF/UHF range. Буду признателен за совет.
Сообщение отредактировал RFMAN - Mar 9 2008, 06:49
|
|
|
|
|
Mar 9 2008, 12:15
|
Местный
  
Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487

|
Да, похоже, непросто найти такой транзистор. Во-первых, потому что в сотовых телефонах усилители делаются на основе кристаллов транзисторов (bare die) либо собственных фабрик, либо внешних как WIN Semiconductors в Тайване. А, во-вторых, driver amplifiers обычно предназнаяены для оконечных усилителей базовых станций, поэтому нет необходимости в минимальном питании. Наверное, действительно, следует взять 5-вольтовый 2-ваттный транзистор типа Freescale MMG3006NT1 и попытаться настроить выходную цепь на максимальную мощность.
|
|
|
|
|
Mar 9 2008, 19:55
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 807
Регистрация: 17-05-06
Из: Москва
Пользователь №: 17 175

|
Цитата(serges @ Mar 9 2008, 21:54)  Посмотрите Nec, sirenza.com, wj.com. У Nec есть даже 3Вт транзисторы с 3В питания. http://www.necel.com/microwave/en/discrete/power.htmlТранзисторы Nec сейчас производит CEL: cel.com Делал на приложенном тран-ре усилитель 350-430MHz 1W. Проявить аккуратность при работе с ним на предмет статики. Вопрос стабильности работы есть, решаем. Усиление в моей широкой полосе ~18dB. В Вашем случае будет больше. А входное сопротивление у них как раз достаточно низкое:~2.5 ohm. Если будут проблемы, обращайтесь.
|
|
|
|
|
Mar 9 2008, 23:03
|
Местный
  
Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487

|
Цитата(serges @ Mar 9 2008, 19:55)  А входное сопротивление у них как раз достаточно низкое:~2.5 ohm. Если будут проблемы, обращайтесь. Насчет входного сопротивления. Во-первых, вы взяли транзистор с выходной мощностью более 35 дБм, там не указано Zin. А вот если взять транзистор NE5520279A с выходной мощностью 32 дБм на 1 ГГц, то там Zin = 1.77 − j6.71 на частоте 1.8 ГГц, Так вот, если пересчитать в параллельный эквивалент и рассчитать емкость, то она будет порядка 14 пФ (поскольку реактивная составляющая много больше, то я активную часть не учитываю), что составляет 25 Ом емкостного сопротивления на 450 МГц, а параллельный эквивалентный резистор будет существенно больше, если пересчитать. Для стабильности все же лучше зашунтировать внешним резистором, к примеру 12 Ом, а затем согласовать обычным звеном к входным 50 Ом.
|
|
|
|
|
Mar 10 2008, 11:02
|
Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 807
Регистрация: 17-05-06
Из: Москва
Пользователь №: 17 175

|
Цитата(grandrei @ Mar 10 2008, 02:03)  Насчет входного сопротивления. Во-первых, вы взяли транзистор с выходной мощностью более 35 дБм, там не указано Zin. ............. внешним резистором, к примеру 12 Ом, а затем согласовать обычным звеном к входным 50 Ом. Там есть S-par, пересчитывайте как угодно; согласование-дело вкуса и образованности дизайнера, причем шунтирование-самый легкий способ.
|
|
|
|
|
Mar 10 2008, 16:20
|
Местный
  
Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487

|
Цитата(serges @ Mar 10 2008, 11:02)  Там есть S-par, пересчитывайте как угодно; согласование-дело вкуса и образованности дизайнера, причем шунтирование-самый легкий способ. Действительно, согласовывать можно использую различные варианты, однако, простой подход - не значит неэффективный. Тем более, что прелесть полевого транзистора именно в том и заключается, что как прибор, управляемый напряжением, он имеет емкостной вход, и на низкой частоте это сопротивление велико, как и коэффициент усиления. Поэтому и простой резистор с небольшой индуктивностью весьма эффективен как с точки зрения согласования в широкой полосе с постоянным коэффициентом усиления, так и обеспечению стабильности работы. А вот что касается S-параметров, то даются они обычно малосигнальные и для согласования в режиме большого сигнала непригодны. Вот то, что там также приведен Design Kit для Ansoft Designer и MWO очень хорошо, поскольку там явно дается нелинейная модель транзистора, и тогда лучше весь усилитель промоделировать с помощью одного из этих software, чем использовать данные для Zin и Zout в номинальном режиме.
|
|
|
|
|
Mar 11 2008, 05:42
|
Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 62
Регистрация: 29-08-07
Пользователь №: 30 123

|
Цитата(grandrei @ Mar 10 2008, 02:03)  Насчет входного сопротивления. Во-первых, вы взяли транзистор с выходной мощностью более 35 дБм, там не указано Zin. А вот если взять транзистор NE5520279A с выходной мощностью 32 дБм на 1 ГГц, то там Zin = 1.77 − j6.71 на частоте 1.8 ГГц, Так вот, если пересчитать в параллельный эквивалент и рассчитать емкость, то она будет порядка 14 пФ (поскольку реактивная составляющая много больше, то я активную часть не учитываю), что составляет 25 Ом емкостного сопротивления на 450 МГц, а параллельный эквивалентный резистор будет существенно больше, если пересчитать. Для стабильности все же лучше зашунтировать внешним резистором, к примеру 12 Ом, а затем согласовать обычным звеном к входным 50 Ом. 2grandrei Вообще-то здесь Zin указано для частоты 1.8 ГГц. На частотах 150 и 450 МГц Zin может быть совершенно другим. Поэтому думаю, что пересчитывать емкостное сопротивление с 1800 МГц на 450 МГц не совсем корректно. Что касается шунтирующего резистора, то его ставлю всегда во всех схемах в цепь питания затвора, но против самовозбуждения на низких частотах он не всегда помогает. Хорошо помогает от самовозбуждения RC-цепочка с затвора на сток, к тому же она здорово расширяет полосу, но в месте с тем ухудшая КПД и усиление. Цитата Делал на приложенном тран-ре усилитель 350-430MHz 1W. Проявить аккуратность при работе с ним на предмет статики. Вопрос стабильности работы есть, решаем. Усиление в моей широкой полосе ~18dB. В Вашем случае будет больше. 2serges Данные на NECEL-овские транзисторы уже видел ранее. Смутил диапазон рабочих частот, начинающийся от 450 МГц, а ведь надо сделать еще вариант передатчика и на 155+-10 МГц. ИМХО для такой полосы (20%) усиление 18 дБ довольно велико, можно пожертвовать несколькими дБ в пользу лучшей стабильности. Закажу оба транзистора - NE5520279A и NE5520379A, попробую... Спасибо всем за советы!
|
|
|
|
|
Mar 13 2008, 11:12
|
Группа: Новичок
Сообщений: 13
Регистрация: 25-07-07
Пользователь №: 29 361

|
|
|
|
|
|
Mar 14 2008, 05:26
|
Участник

Группа: Новичок
Сообщений: 62
Регистрация: 29-08-07
Пользователь №: 30 123

|
Цитата(Serj78 @ Mar 13 2008, 18:39)  Посмотрите RF2175 - от RFMD ... их достать можно. посмотрите усилители для CDMA Общался недавно с представителем из RFMD. Хотя RF2175 и остались на некоторых складах, но не так давно этот усилитель снят с производства. Так что в серийные изделия лучше их не закладывать. Аналогичные усилители RFMD больше не выпускает, у них все усилители с питанием +3В и Рвых > 1 Вт - на диапазоны частот выше 900 МГц.
Сообщение отредактировал RFMAN - Mar 14 2008, 05:36
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|