Вопрос: Например сигнальная цепь выходит на наружный разъем прибора. на ней помеха.
помеху создает разрядник или генератор нс помех.
Сможете Вы опознать ее происхождение только по осцилограмме в данной цепи?
предполагаем что
1. Вы не знаете подключен кабель или нет
2. разрядник и генератор нс помех сертифицированны

Наносекундные импульсы (EFT) и статические разряды (ESD) имеют разную форму и параметры импульсов. Но, как правило, устройства их подавления (фильтры, TVS-диоды итп) ослабляют и то, и то. Но, например, для более эффективного подавления ESD в общем случае нужны TVS-диоды с меньшей ёмкостью pn-перехода. Но, как уже верно сказали, конструктив устройства, разводка платы, земли, экраны зачастую влияют на подавление помех больше, чем фильтры и сапрессоры (например, если индуктивность соединения анода TVS-диода с заземлением велика, то эффект от этого сапрессора будет минимальным).

Возможно Вы это знаете, но на всякий случай напомню, что и EFT, и ESD являются common-mode помехами, т.е. распространяются между устройством (включая кабели) и "реальной" землёй. Кстати, отсюда следует использование common-mode choke для подавления EFT.

Рекомендую почитать Генри Отта (Ott), Дж.Барнса, да и другие полезные материалы есть.

Я не совсем понял смысл вопроса, но с тем, что написал cioma выше согдасен полностью.

спрошу еще раз
Вы сможете отличить ЭСР от нС помехи на одном и том же входе(выходе) одного и того же устройства? допустим что устройство удачно сконструировано и ничего не выгорает и не глючит.
в каких конкретно параметрах импульса приведенного к входу(выходу) там разница? фронты, длительности, напряжения, токи?

Именно длительность переднего фронта, амплитуда напряжения холостого хода и тока короткого замыкания, длительность импульса. Для EFT эти импульсы подаются пачками.

Для начала я бы глянул вот это, основные аспекты станут понятны:
http://www.caxapa.ru/lib/emc_immunity.html
http://www.ramayes.com/EMC_Test_Specificat...C_61000-4-2.htm
http://www.ramayes.com/EMC_Test_Specificat...C_61000-4-4.htm
http://www.teseq.com/com/en/news_events/sp...rts.php?navid=5

Думаю, отличить ЭСР от нС помехи на одном и том же входе(выходе) одного и того же устройства можно, вопрос как это дело измерить, т.к. паразитные параметры, например осциллографа, да и само наличие человека в непосредственной близости сведут чистоту эксперимента на нет (я говорю о реальных условиях на столе разработчика, у которого нет осцилла за 50k EUR )

ЭСР - фактически импульс тока, возникающего при разряде. Характеризуется очень крутым передним фронтом, порядка 1 нс. Помеха от ЭСР может влиять на схему через ток, протекающий по цепям стекания заряда на землю. Может влиять как наводка в соседних цепях от протекающего тока разряда, поскольку ток разряда в пике может достигать 40А.
Наносеки (или EFT) - импульсы напряжения определенной амплитуды, фронт - 5 нс. Идут как правило пачками. За счет короткого фронта лезут через паразитные емкости по разным цепям схемы.
Вот Surge - это вообще песня, энергии дофига, но фронты пологие, никуда скрыто не лезут, ломятся просто напролом, такие предсказуемые, люблю их...

Даааа, я surge тоже люблю (в хорошем смысле этого слова ), газоразрядники, варисторы...
И, как было верно подмечено - намного более предсказуемы. Но если эта бяка пролезет через защиту, то всё - туши свет, сливай масло и суши весла .

А наиболее интересно когда надо защититься от всех этих помех + свои излучаемые и кондуктивные помехи свести в минимум + еще какие-нибудт специфические требования по шумам (при точных измерениях, например).

Гм. Я всегда считал, что собственная емкость перехода играет только положительную роль - как дополнительный фильтр нижних частот, состоящий из сопротивления (R и L подводящей цепи в сочетании с Cперехода). Конечно, при правильной топологии - минимальной индуктивности выводов диода. Или я не прав?

Опс, верно подметили, ошибся я в причинно-следственных связях

Попробую исправить:

- для наилучшего подавления ESD нужны компоненты с минимальным временем срабатывания;

- следует учитывать влияние емкости сапрессоров на качество сигнала. Это особенно актуально для высокоскоростных интерфейсов (USB, Ethernet итп) где следует применять компоненты с минимизированной собственной емкостью.