Я нигде не говорил, что IRF4905 "работает" при напряжени на затворе -8 В или что IRF4905 "плохой" транзистор. Я говорил всего лишь, что мы его проверяли при таком напряжении, поскольку это был наиболее простой способ выявить подделки. Как мне объяснили знающие люди, механизм подделок такой: либо воруют пластины, либо запускают подпольно производство в какую-нить третью-пятую смену, потом кристаллы, часто в кустарных условиях, разваривают в корпус. В результате получаются подделки либо надлежащего качества, либо брак. В приведенном примере с IRF4905 брак проявился в повышенном тепловом сопротивлении, что нас не устраивало и в статических характеристиках при пониженноим напряжении на затворе, что для нормальной работы было безразлично, но позволило простыми средствами отсеять подделки. В данном случае нам просто повезло - мы ведь оперировали упаковками по неск. тыс шт. и проверять, даже выборочно, тепловое сопротивление было бы зело накладно.
У меня есть и другие примеры, скажем, микросхема LM2575T - абсолютно исправная, вот только внутри у неё стоит другой кристалл - LM2576T. Ну, ошиблись китайцы, не ту маркировку шлёпнули, с кем не бывает...

Да, мне тоже известны махинации с подделками.
Но вы ведь говорили (обойдёмся без ссылка для экономии времени), что при 12-ти В на затворе - "всё тип-топ" (с).
Или это было для другого случая?

Добавлю (в унисон), что контора, продавшая нам этот контрафакт, очень известная. И никто не гарантирует, что у других будет лучше, а какие-то позиции у них же будут тоже контрафактными.

Выход один - нужно пробовать.


Пример из практики. Покупали обычную стандартную логику - инверторы. Перепробовали несколько фирм. У некоторых инверторы оказались с выходом "открытый коллектор", а нам такие не нужны были. А по обозначениям все продавали одно и то же! Выход один - покупали по десятку, пробовали, а потом покупали в той же фирме ту же партию.

Причём налететь на дешёвых компонентах гораздо легче, чем на редких и дорогих - процессоры и память никто подделывать не будет. А вот какую-нибудь "соплюшку", которая стоит несколько копеек, но из-за которой этот самый процессор не запустится - милое дело!

Да, говорил, при таком напряжении его и использовали, а проверять характеристики стали, когда обнаружили, что с ним что-то не так.

Это нонсенс. Транзисторы не должны работать ниже 10В?!?!?!
А для кого тогда приводится график (см. выше) зависимости выходного тока от входного напряжения? (При фиксированном выходном напряжении.) (Считайте, зависимость сопротивления канала от входного напряжения)

А для кого тогда gate threshold Voltage указывается? И зачем? Просто так что ли?
И почему он у всех разный? (У одних - работает от логических уровней, а других - раскачать надо...)

10В даётся для того, чтобы разработчики могли СОПОСТАВИТЬ разные транзисторы. Не более.



См. выше - стр. 3 Даташита - передаточная харектеристика

А я то тут при чём?
Я как раз против этого и выступаю...

давайте возьмём даташыт на тот же IRF7201
 irf7201.pdf ( 114.27 килобайт ) Кол-во скачиваний: 182

есть там типовая стоко-затворная характеристика (fig.3)
берём напряжение затвор-исток 5 В (при которых, по словам автора транзисторы только начинали открываться)
ток стока при этом при напряжении сток-исток 10 В около 20 А
Зайдём с другой стороны. Рисунок 1 - выходная хар-ка при температуре 25 С
Пусть на затворе 4.5 В, на стоке 1 В (состояние насыщения, или близкое к нему).
4-я снизу кривая:
Транзистор пропускает через себя больше 20 А, что соответствует сопротивлению канала 0.05 Ом
Следовательно, транзистор, о котором рассказал автор топика заявленным данным не соответствовал.
У wim, судя по всему, была аналогичная ситуация.

Сообщение отредактировал Vlas - Apr 7 2008, 11:35

Вы ничего не перепутали?
Биполярные с полевыми...




Какие 20А?
Успокойтесь, прочтите, уж действительно, даташит...
ПРи 4,5В - всего 3,7А и при ооооочень и очень большом ограничении (4)

 Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%

Согласен, для полевых нет такого понятия. Написал чисто условно. Простите. Как помню со школы - "триодная часть стоковой характеристики". Кажется - так.

Так о чём спорим-то?

Vlas ничего не перепутал. Вы скачайте файл и посмотрите на Fig.1. Примерно с 4,5В должно начинаться насыщение/открытие_канала.

Сообщение отредактировал HeatSink - Apr 7 2008, 11:28

Это условия измерения сопротивления канала, а не данные транзистора. Разработчик решил, что это оптимальный ток и оптимальное заполнение, при которых измеряется сопротивление канала.
Могу сказать более конкретно:из описаного выше транзисторы не соответствуют даташытам по пороговому напряжению затвора и по крутизне. У Heatsink, и у wim

Сообщение отредактировал Vlas - Apr 7 2008, 11:46

Да, так решил. Потому что в противном случае вы перегреете транзистор.
Что и было на практике.


PD @TC = 25°C Power Dissipation 2.5 W
PD @TC = 70°C Power Dissipation 1,6 W

@ Linear Derating Factor 0.02 W/°C

Напомню, P = I кв хR = ваших 20 х 20 х 0,05 = 4х 5 = 20Вт.

Короче, как в старом анекдоте (рассказать-напомнить? ) , "Не жалейте заварки!" (с)

Уточню:

"...Пусть на затворе 4.5 В, на стоке 1 В (состояние насыщения, или близкое к нему)..."

Мы могли взять любую точку характеристики на возрастающем ("триодном") участке. Это точка взята для наглядности.
20 А через транзистор никто пускать не собирался, упаси Господь от превышения режима. Речь шла всего лишь о том, что: если на затвор подать 4.5 В, сопротивление канала становится около 0.05 Ом, т.е. транзистор открыт практически полностью .
Каким способом разработчик снимал эти хар-ки - его проблема, если он их приводит в даташите, значит он "знает, что пишет". И если продавец продал нам транзисторы, в эти характеристики не укладывающиеся, то он посылается... и ищется новый (весьма упрощенно ). Пока так.
Что еще непонятно - пишите.

Сообщение отредактировал Vlas - Apr 7 2008, 12:35

===========
Вот давайте отвлечёмся от "ир".
Например, вот этот
http://www.picnote.com/download/sid/484044001

очень характерный график

у "ир" тоже есть. В приатаченном мною даташыте. Рисунок 7.
Кстати, спасибо, что ткнули. Оказалось всё проще.

Сообщение отредактировал Vlas - Apr 7 2008, 13:58