Как ключевой, используется IRF7201. Греется!

Добавленный резистор 15 ом в цепь затвора убрал небольшие пульсации, но проблема в том, что (и с резистором и без) нарастание и спад управляющего напряжения Vdr сильно оставляют желать лучшего - всё равно греется. Драйвер явно не тянет.

Кто-то сталкивался с LM3478?
Есть ли способ увеличить крутизну, и, как следствие, скорость открывания/закрывания транзистора?
М.б. есть какой-то хитрый способ поднять крутизну у этой микросхемы, "помочь" драйверу?

Можно поподробнее, какое входное напряжение, выходное, выходной ток?

Входное напряжение - 10-30В - на любом так работает.
Нагрузка ключа - первичная обмотка импульсного транса.
Выходной ток - любой.

Завал управляющего импульса не зависит ни от напряжения, ни от тока. Он одинаков как при 0 Вт, так и при 5-6 Вт нагрузки.

Там внутренний источник напряжение есть (ограничивает максимальное напряжение импульса значением 7,2В). Думаю, он не тянет - его выходное сопротивление таково, что не позволяет быстро качнуть затвор транзистора.
Оно и понятно - микросхемка маленькая, мощность низкая, при хорошем LDO она бы грелась как проклятая.

Что-то здесь не так. У меня практически такая же LM3488 работает на затвор FDN5630, там входная ёмкость до 400 пФ вместо Ваших 550, никаких проблем, и микросхема холодная, и транзистор.
А можно всю схему в студию?

Схема - страница 20 даташита LM3478. Ни больше, ни меньше. Flyback.

2 Дима: У Вас какая нагрузка? И частота?

Я заводил на 500-800кГц. Рабочий цикл не превышал 50% во всех исследуемых случаях. Проверяю на нагрузке 5Вт. Транс мотал-перематывал. Ограничение по току менял туда-сюда.... Но нагрузка есть нагрузка. Если транзистор греется, значит плохо ему....
М.б. у Вас режим попроще? Потому транзистор не так сильно замечает "неключевые" моменты в работе?

Грешным делом начал думать о том, чтобы всобачить туда дополнительный драйвер для транзистора....

Это далеко не первая моя схема импульсника. Но в первый раз сталкиваюсь с таким пологим фронтом для управления транзистором. Там практически трапеция вместо положенного меандра.

2 Дима: У Вас чёткий меандр на выходе DR?

У меня фронт и спад занимают чуть ли не 1/4-1/3 от времени "открыто". В нагрузке - только 500пФ затвора...

Какое выходное напряжение?

10В. А для Flyback в данном случае это имеет значение? Интересно, какое?!?!?!?!?

У меня был реализован SEPIC на 3,6В выходного( вход 4 Ni-Mh) и ток 1А на этой микросхеме. Транзистор был Si4840, в затворе никаких резисторов не было, частота 500кГц. Никаких проблем с драйвером не наблюдалось, полевик переключался с рёвом и ничего не грелось.

Возможно, что-то мешает IRFу нормально переключаться. Можно попробовать, для эксперимента, заменить трансформатор дросселем и нагрузить его таким же эквивалентом нагрузки - этим убираются сразу и индуктивность рассеяния и паразитные ёмкости.
Кроме того, хорошо бы проверить монтаж - бывает, что-нить не то впаяли, или не туда, или не так.
И совсем глупый вопрос - а проверяли IRF в статике, он от 7 В открывается нормально? А то мне как-то IRF4905 попались (китайские), так у них при -8 В на затворе сопротивление канала было в районе двух Ом, а при -12 В - всё тип-топ.

Так а он, вроде, никогда не был "с логическим уровнем"....

10В не имеет, 1000В имеет

Что-то странное...
Заводил флай на этой микросхеме, частота чуть больше 100кГц. Все тип-топ, входное 10-36В, выходное 70В, 6 Вт, КПД в районе 80%, в качестве ключа поставили вроде IRLL024N.
НО! Завелось все как надо только после изготовления платы с хорошей разводкой.
На монтажке тоже как-то работало, выдавало нужные напряжения на выходе, но эпюры напряжения на входной обмотке были далеки от идеала.

Вы не ответили на вторую часть вопроса. Уточню: какое влияние может оказать значение выходного напряжения?

Такие проблемы наблюдаются во флаях, когда трансформатор сделан коряво. Вы можете показать эпюры на стоке ключа?


В высоковольтниках очень большая емкость транса и если он сделан не грамотно как следствие ключ представляет некое подобие утюга.

Причины проблемы выяснены!!!

Уважаемый wim навёл на мысль. Я тут же бросился проверять и выяснил, что транзистор, на котором написано IRF7201 не соответствует характеристикам!

Действительно, глупая причина, которая отметалась как самая невероятная: заявлено, что изделие должно переключаться при 1В, а эксперимент показал, что оно с трудом начинает включаться только при 5В!

Более того, по всей видимости, у подделки достаточно крупная входная ёмкость, что приводит к сильному завалу фронтов.

Вывод: не слушать руководство и не соглашаться на дармовые предложения "минимизации стоимости" - всё равно всё стоит своих денег.


Большое спасибо также всем, кто откликнулся! Ваш опыт, данные, примеры и советы помогли решить эту глупую проблему.





Проблема решена. (см. чуть выше)
По поводу ёмкостей и т.п. Вы совершенно правы. Так бы и спросили. Но в этом вопросе я был уверен. Тем более, как отвечал уже, у меня на выходе 10В - совсем не такой крайний случай.


Чем меня удивила эта проблема - своей непонятностью. Я строил Flyback и на 100 Вт. Компоненты грелись, естессно, но "в пределах приличия". А тут - какой-то паршивый 5-6 Вт и почти отпаивается! (И явно осциллограммы показывают, что дело не в реактивносятх, а в банальном факте включения-переключения.) Просто в первый раз применил микросхему 3478. Думал - в ней проблема. Может, хитрость какая. А оказалось - гнилой транзистор.

Спасибо.

8 В на затворе - это не "логический" уровень, это напряжение, при котором сопротивление канала должно быть доли Ома, но никак не два. Это или отходы производства, или китайцы научились делать контрафакт с ухудшением некоторых тех. характеристик - тех, что обычно не проверяют на входном контроле.

А почему вы решили, что именно столько? И почему при именно 8 В? А почему не при 6, скажем...
Берём даташит и смотрим.
Там указано ( лист 2, таблица, третья строка "при 10В". Да и в первой таблице то же самое...
А для любопытства можно сколько угодно смотреть на графики выходных характеристик при разных температурах (25 и 125) , но это уже другая история....

В даташите на рассматриваемый транзистор 4905:

Это значит изделие как минимум пр -4 должно начинать проводить (хоть и без тока - без мощного открытия канала, как видим по графику - 3-8А).

А на странице 3 как раз в передаточной характеристике показано, что при -8В изделие должно обеспечить ток Id более 100А. При 2Ом это нереально.

Все транзисторы "рейтингуются" при 10В. Это как стандарт. Но это не значит, что на меньших напряжениях они не должны работать как заявлено.

Да просто, столкнувшись с массовым потоком контрафакта, стали более внимательно исследовать харакетристики элементов. У "фирменных" IRF параметры хорошо кучкуются возле типовых значений, а у подделок - нет. Что, собственно, позволяет отсеять контрафакт ещё до того, как его привезут к нам в большом количестве.

А сопоставить контрафакт и продавца не удаётся?

Если бы я назвал, у кого купили контрафакт, многие были бы в шоке - ну очень известная и в целом приличная фирма. Продавцы наши, похоже, сами не знают, чем торгуют. Но, поскольку скандалов никто не любит, то, если им объяснить, что не устраивает, они могут договориться с поставщиками в Китае.

Это как раз означает, что производитель гарантирует их работу при напряжении более 10В.
А вот при меньшем они могут и НЕ работать. (так как вам хочется, но они не обязаны... )

Ещё раз внимательно перечитал даташит (два раза) и нигде не обнаружил упоминания о том, что производитель гарантирует "работу" (work) изделия.

Производитель приводит данные ( о токе и т.д.) при напряжении на затворе 10В.
А вот откуда вы взяли, что и при 8 должен работать?

Напомню:




Уверен, что и при 10В те, "китайские", соответсвовали даташиту (по-советски, "ГОСТу" или ТУ)
То, что завод IR находится в Китае, не есть основание хаить транзистор, используя его при неоговоренных производителем (вернее, разработчиком) режимах.
А так ведь, по-вашему, самолёт не летит, а падает, при низких скоростях... И потому он плохой.
-------
На этом я заканчиваю с вами препираться. Мне надоело...

В этом чувствуется что-то глубоко личное - простите великодушно, если чем обидел ...

Вообще-то в тех же даташитах приводятся стоко-затворные характеристики, и транзистор, скорее всего, в них не укладывался.
Для меня такое описанное явление ново, буду знать, что такое бывает.


Т.е. эти характеристики вполне конкретно оговорены

Вообще-то, если технология нарушена, то "уши" растут, как правило, в разных местах. Например, у тех, что мы исследовали, тепловое сопротивление кристалл-среда было больше, чем положено (то ли приварили криво, то ли медь у них не той системы). Но из всех способов входного контроля измерение статических характеристик оказалось наиболее простым и малозатратным.

При разработке, имхо, надо "закладываться" на реальные характеристики прибора (компоненты).
Естественно, при производстве могут быть чуть лучшие, чем остальные, но соответсвующие нормам, компоненты.
.
Но делать упор на самые лучшие из тех, которые так или иначе соответсвуют нормам, неправильно.
Схема (или девайс в целом) должен работать на любом приборе,(компоненте), соответствущем нормам (например, по даташиту).
Надеюсь, мысль понятна
Кстати, специальный отбор был всегда. На стадии производства. "Буквы" на транзисторах, приёмка ОТК или ПЗ...
Но не на столе у разработчика. ПЗ для ОТК или для ПЗ, но лучший экземпляр...

Если же, как вы пишите, не соотвествовали нормам ("как положено"), то это брак. Так ли это?
Но я лично не уверен, что вы "отсекали" только не соответсвующие нормам приборы...
Может надо было что-то "в консерватории" (с) подправить?
---
Вот вспомнил... Первые транзисторные магнитофоны переносные. Там схемотехника на транзисторах была, мягко говоря, без термокомпенсации. Ну, не умели тогда разработчики разрабатывать правильные транзисторные схемы. Чуть поработает - всё уплыло, хрипеть начинало...
Винить транзисторы, что они, собаки, грелись и их характеристики уплывали?

Ничего личного. К вам тем более...
Просто я и сейчас не согласен с тем, что транзистор 4905 плохой, только от того, что не работает (должным образом) при 8 В на затворе.
И когда говорил о "консерватории" - имел ввиду подправить схему до доведения нужных параметров по управлению.
-----------
Хотя, если честно, 4905 не есть лучший прибор Р-типа.
Иногда лучше, хотя нужно менять схемотехнику, перейти на N-типа....
Или, если позволяют режимы, перейти на лучший мосфет с меньшим Rdson.

Я нигде не говорил, что IRF4905 "работает" при напряжени на затворе -8 В или что IRF4905 "плохой" транзистор. Я говорил всего лишь, что мы его проверяли при таком напряжении, поскольку это был наиболее простой способ выявить подделки. Как мне объяснили знающие люди, механизм подделок такой: либо воруют пластины, либо запускают подпольно производство в какую-нить третью-пятую смену, потом кристаллы, часто в кустарных условиях, разваривают в корпус. В результате получаются подделки либо надлежащего качества, либо брак. В приведенном примере с IRF4905 брак проявился в повышенном тепловом сопротивлении, что нас не устраивало и в статических характеристиках при пониженноим напряжении на затворе, что для нормальной работы было безразлично, но позволило простыми средствами отсеять подделки. В данном случае нам просто повезло - мы ведь оперировали упаковками по неск. тыс шт. и проверять, даже выборочно, тепловое сопротивление было бы зело накладно.
У меня есть и другие примеры, скажем, микросхема LM2575T - абсолютно исправная, вот только внутри у неё стоит другой кристалл - LM2576T. Ну, ошиблись китайцы, не ту маркировку шлёпнули, с кем не бывает...

Да, мне тоже известны махинации с подделками.
Но вы ведь говорили (обойдёмся без ссылка для экономии времени), что при 12-ти В на затворе - "всё тип-топ" (с).
Или это было для другого случая?

Добавлю (в унисон), что контора, продавшая нам этот контрафакт, очень известная. И никто не гарантирует, что у других будет лучше, а какие-то позиции у них же будут тоже контрафактными.

Выход один - нужно пробовать.


Пример из практики. Покупали обычную стандартную логику - инверторы. Перепробовали несколько фирм. У некоторых инверторы оказались с выходом "открытый коллектор", а нам такие не нужны были. А по обозначениям все продавали одно и то же! Выход один - покупали по десятку, пробовали, а потом покупали в той же фирме ту же партию.

Причём налететь на дешёвых компонентах гораздо легче, чем на редких и дорогих - процессоры и память никто подделывать не будет. А вот какую-нибудь "соплюшку", которая стоит несколько копеек, но из-за которой этот самый процессор не запустится - милое дело!

Да, говорил, при таком напряжении его и использовали, а проверять характеристики стали, когда обнаружили, что с ним что-то не так.

Это нонсенс. Транзисторы не должны работать ниже 10В?!?!?!
А для кого тогда приводится график (см. выше) зависимости выходного тока от входного напряжения? (При фиксированном выходном напряжении.) (Считайте, зависимость сопротивления канала от входного напряжения)

А для кого тогда gate threshold Voltage указывается? И зачем? Просто так что ли?
И почему он у всех разный? (У одних - работает от логических уровней, а других - раскачать надо...)

10В даётся для того, чтобы разработчики могли СОПОСТАВИТЬ разные транзисторы. Не более.



См. выше - стр. 3 Даташита - передаточная харектеристика

А я то тут при чём?
Я как раз против этого и выступаю...

давайте возьмём даташыт на тот же IRF7201
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
есть там типовая стоко-затворная характеристика (fig.3)
берём напряжение затвор-исток 5 В (при которых, по словам автора транзисторы только начинали открываться)
ток стока при этом при напряжении сток-исток 10 В около 20 А
Зайдём с другой стороны. Рисунок 1 - выходная хар-ка при температуре 25 С
Пусть на затворе 4.5 В, на стоке 1 В (состояние насыщения, или близкое к нему).
4-я снизу кривая:
Транзистор пропускает через себя больше 20 А, что соответствует сопротивлению канала 0.05 Ом
Следовательно, транзистор, о котором рассказал автор топика заявленным данным не соответствовал.
У wim, судя по всему, была аналогичная ситуация.

Вы ничего не перепутали?
Биполярные с полевыми...




Какие 20А?
Успокойтесь, прочтите, уж действительно, даташит...
ПРи 4,5В - всего 3,7А и при ооооочень и очень большом ограничении (4)

 Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%

Согласен, для полевых нет такого понятия. Написал чисто условно. Простите. Как помню со школы - "триодная часть стоковой характеристики". Кажется - так.

Так о чём спорим-то?

Vlas ничего не перепутал. Вы скачайте файл и посмотрите на Fig.1. Примерно с 4,5В должно начинаться насыщение/открытие_канала.

Это условия измерения сопротивления канала, а не данные транзистора. Разработчик решил, что это оптимальный ток и оптимальное заполнение, при которых измеряется сопротивление канала.
Могу сказать более конкретно:из описаного выше транзисторы не соответствуют даташытам по пороговому напряжению затвора и по крутизне. У Heatsink, и у wim

Да, так решил. Потому что в противном случае вы перегреете транзистор.
Что и было на практике.


PD @TC = 25°C Power Dissipation 2.5 W
PD @TC = 70°C Power Dissipation 1,6 W

@ Linear Derating Factor 0.02 W/°C

Напомню, P = I кв хR = ваших 20 х 20 х 0,05 = 4х 5 = 20Вт.

Короче, как в старом анекдоте (рассказать-напомнить? ) , "Не жалейте заварки!" (с)

Уточню:

"...Пусть на затворе 4.5 В, на стоке 1 В (состояние насыщения, или близкое к нему)..."

Мы могли взять любую точку характеристики на возрастающем ("триодном") участке. Это точка взята для наглядности.
20 А через транзистор никто пускать не собирался, упаси Господь от превышения режима. Речь шла всего лишь о том, что: если на затвор подать 4.5 В, сопротивление канала становится около 0.05 Ом, т.е. транзистор открыт практически полностью .
Каким способом разработчик снимал эти хар-ки - его проблема, если он их приводит в даташите, значит он "знает, что пишет". И если продавец продал нам транзисторы, в эти характеристики не укладывающиеся, то он посылается... и ищется новый (весьма упрощенно ). Пока так.
Что еще непонятно - пишите.

===========
Вот давайте отвлечёмся от "ир".
Например, вот этот
http://www.picnote.com/download/sid/484044001

очень характерный график

у "ир" тоже есть. В приатаченном мною даташыте. Рисунок 7.
Кстати, спасибо, что ткнули. Оказалось всё проще.

Нет уж, рассказывайте




Кстати, у NEC_а он как-то симпати_ш_нее
Чётко видно, куда "залазить" не нужно...


... чтобы было "тип-топ" (с) (wim)