Всем здрасте!
пытаемся сделать DCDC с синхронным выпрямлением на выходе. Обломились жестоко с тем что транзистор
IRF2804 в потенции делжен выдавать Rси 2мОм, а на макете при работе в меандре на чатоте 100кГц - Rси на порядки выше.
пытаясь поподробнее рассмотреть его собрал макет приближенно напоминающий Fig 18a. Switching Time Test Circuit даташита. различия - резистор нагрузки составил из параллельно соединенных 10х 1Ом 1206. дополнительно к резистивной нагрузке добавил индуктивную из параллельно соединенных китайских керамических резисторов 9х SQP25Wt 0.1Ом. измеренная индуктивность составила 0.27uH. на плате рядом с транзистором напаял батарею конденсаторов : 5х 68uF танталы и 10х 3.3uF 1206 которая стоит параллельно источнику питания.
в затворе драйвер lm5110. генератор выдает импульсы 8us с периодом 800us.
параллельно стои-исток поставлен TVS диод SMBJ15A - для блокирования выбросов индуктивной нагрузки.
сопротивление канала вычислял в конце импульса по формуле Uc/Uds - где Uc - напряжение питание измеренное на батарее кондеров (оно за время импульса успевает egfcnm на 1/4), Uds - напряжение с-и транзистора.
результат: без индуктивности и с индуктивностью Rds =5мОм приблизительно. при заявленых фирмой 2мОм
с индуктивностью диаграмма напряжения Uс-и транзистора несовпадает со здравым смыслом и моделью никак. согласно модели транзистор открывается при нулевом токе - посему напряжение Uds должно резко обвалится до 0 и плавно нарасти вместе с током индуктивности. в реальности оно експоненциально монотонно уменьшается все время импульса.

кто нибудь сталкивался с чем подобным? объясните мне олуху как сделать так чтобы оно заработало хотябы близко к тому что даташит заявляет.

У супрессора SMBJ15A емкость 1600пФ, вы это учли?
Еще он быстро открывается, но не указано как быстро рассасываются в нем заряды.
Обычно делают развязку быстродействующим диодом.
По дросселю такие сомнения:
Эти резисторы могут быть намотаны достаточно "толстым" проводом и на микросекундных фронтах сопротивление может отличаться от измеренного.

У "родных" IRF2804 (в TO-220) в открытом состоянии обычно даже меньше 2 мом, примерно 1.8 при комнатной и Ug>12V. Это если мерить на толстых частях выводов. Переход на тонкую часть сразу добавляет примерно 0.3 мом. Можно набрать и на монтаже - там миллиом, там другой. Пайка, вполне рабочая с виду и аккуратно сделанная, может дать до 0.2 - 0.3 мом. Но если Вы измеряли напряжение непосредственно на ножках транзистора возле корпуса, это отпадает.

Может, он не совсем от IRF? Всяко бывает... Померяйте в статике по четырехпроводной схеме, будете знать...

успеет хорошо разрядиться пикосекунд за 5-10...


Тогда транзистор казался бы более низкоомным, а здесь наоборот...


Глянуть бы макет живьем и как измеряется, но на всякий случай - от экранированного кабеля короткие выводы (витая пара миллиметров меньше 20 длиной) припаять прямо к выводам транзистора возле корпуса, при измерениях перемещать-наклонять, наводиться все равно может, если это есть, картинка будет меняться ...


Если лениво организовывать корректный замер, можно не заморачиваццо, а ориентироваться по нагреву транзистора... Потому что на таких сопротивлениях и частотах лишние 30 мм проводника - уже индуктивность, искажающая результат...

Посмотрите для начала на постоянке. На затвор - сколько влезет (без пробоя). Сток - исток -к источнику с ограничением тока. 10А*2мОм=20мВ, Р=0.2Вт. Хорошим тестером посмотреть можно.
(То/не то ?). Дальше смотрим в импульсном режиме.
Контролировать затвор. Т.е. смотреть Uси, когда на затворе гарантированное напряжение.

Не очень давно было нечто похожее. Полевик в качестве сильноточного ключа на постоянке.
Сопротивление в открытом состоянии на порядок больше заявленного. Точно не помню:
должно было быть 3.8мОм, а греется как печка. Реально померили: 35..40 мОм.
Списали на левизну. Решили, что на дешевенькие приборы сознательно нанесена "чужая" маркировка.

И это Вы называете "на порядки"? На порядки - это в десятки, сотни и т.д. раз.


Очень похоже на то, что тока драйвера не хватает и ёмкость затвора заряжается слишком медленно.

Да смотрел осцилом с пружинной землей прямо на выводах транзистора. для блокирования прегрузки канала осцила большим напряжением Uds (я выставлял постоянное напряжение питания 2В {в итоге ток транзистора получаецца 20А и спадает до 14А} и при чувствительностьи щупа 20мВ\дел вход осцила перегружаецца, и провал в результате ненаблюдаеца) использовал атеньюатор - резистор 500ом, и батарея встречно-параллельно включенных RF-диодов (каждая из параллельных ветве состоит из 2х последовательно соединенных диодов), он ограничивает амплитуду сигнала до 500-600 мВ.

в статике сам не наблюдал но, начальник глаголит что по его испытаниям транзистор набирает номинальное сопротивление за 1мс точно.

я лично наблюдал номинальное сопротивление 2мОм етих транзисторов но в несколько модифицированной схеме тестирования:
на выходе с входных емкостей включен делитель из индуктивных сопротивлений -
верхнее плечо = 4 последовательно соединенные батареи из параллельных 3хSQP 0.1оМ, в совокупности R=4*(0.1оМ/3)=120мОм, нижнее плечо состоит из параллельно соединенных 9хSQP 0.1Ом, и батарея чип резисторов параллельных 10х1Ом (все параллельно) - в совокупности R = 0.1/10 = 10мОм. транзистор шунтирует нижнее плечо делителя.
при томже генераторе импульсов и драйверах затвора, транзистор делал номальные ожидаемые провалы, и показывал номинальные 2мОм. при етом ессно небыло необходимости использовать аттеньюатор.




ети результаты получил я в своем макете. а начал я делать макет иззаого что начальник до етого в своем образце ИП получал те самые десятки-сотни на синхронном выпрямителе, который выпрямлял меандр 100кГц.


напряжение затвора я проконтролировал - фронты импульса отвесные, что и неудивительно, драйвер 5А, а напряжения маленькие, следовательно никакого эфекта миллера неожидаеца

Сообщение отредактировал AlexRayne - Jun 16 2008, 15:10

Ну, если так все подробно испытали, остаецца думать на левый транзистор.. Обычно чисто IRF при не сильно нагретом кристалле имеют запас от заявленного...Потому что рассчитано на 175 град...

а какой температуры корпус (железка) тразистора?

при моих условиях оно вообче негрееца. если на температуру грешить то - только если мгновенную в моменты коммутации. но по тестовой схеме транзистор включается с условием ZCS, а по осцилограммам етого ненаблюдается - на фронте експоненциальный спад напряжения Vds(как будто он емкостную нагрузку имеет а не индуктивную), а не отвесный


по поводу подозрений на левизну: IRF в параметрах IRF2804s-7p параметр Rds оговаривает как
RDS(on) SMD \ Static Drain-to-Source On-Resistance \ ....... \ VGS = 10V, ID = 160A (3)
где
(3) Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%.
как ето понимать? в каком месте импульса меряется Rds? наверняка в конце импульса
infeneon Rds указывает тоже как static параметр.

тобиш, подозреваю что просто происходит недопонимание или недоописание сущности параметра RDS(on)

тотже параметр у Si7686DP (trenchFET для синхронных выпрямителей) указан для импульсов уже 300мкс
интересно былоб узнать как они работают в реальных выпрямителях на частотах 100к.

да так и понимать, берешь и в лоб считаешь, если надо температуру учесть - то либо систему уравнений либо несколько итераций
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1084.pdf
http://www.infineon.com/dgdl/Application+N...SFET_Losses.pdf

8us вообще-то немного меньше, чем 1 мс
У этого транзистора нормируется быстродействие?