На самом деле, есть проблема. Ну, скажем так, может быть, если не озаботиться.
Например НТ 1ГГц. Или PCIE какой. На обычном текстолите коротенькие(2-5-10см) проводнички можно реально мутить без заметных потерь(или с приемлимыми) до 2-3ГГц. А у него(НТ,PCIE) нечОтные гармоники уже как раз там и выше. А у последних редакцый и основные. Т.е вполне возможны потери 3-4-5Дб на 2-3-4см. В зависимости от номера гармоники. А они могут тянуться на 10-20см. И таво...Целостность сигнала под угрозой. ;О)

Совершенно с вами согласен. Трассировка в 45 градусов значительно улучшает качество сигнала, по сравнению с 90 градусами.
Так же ведет себя трасировка с заокруглением по сравнению с трассировкой в 45 градусов. Но только на частотах порядка 3-10ГГц - т.е. в СВЧ диаппазоне.
Если рассматривать диппазон 100-500МГц, то трасировка с заокруглением улучшает качество сигнала на несколько процентов всего .
Какой смысл тулить митеры везде где ни попадя, если проку в них почти никакого?

Уменьшая толщину препрега, мы вслед за тем уменьшаем ширину проводника W, чтобы сохранить нужное волновое. Уменьшать толщину препрега и ширину проводника менее каких-то разумных пределов нельзя, т.к.
- увеличивается брак
- увеличивается неравномерность волнового сопротивления (за счет большего относительного влияния колебаний толщины препрега, а также большего относительного влияния колебаний ширины проводника)
- увеличивается омическое сопротивление проводника

При выбранном волновом проводника и заданной ширине проводника W, у вас останется единственный способ борьбы с перекрестными - увеличение зазора между проводниками. Который вы упорно не желаете рассматривать.

Некоторые тут с Жекой пытались голословно спорить, а ведь данные AN-315 Алтеры согласуются с представленными им результатами: увеличение зазора всего с 3W до 4W способно уменьшить перекрестные помехи почти на порядок.

Ну и к чему сравнивать два разных примера? В первом симметричный стэк 13.2мила, во втором несимметричный, да еще и непонятно по рисунку как расположены пары относительно друг друга. Что тогда сравниваем?
Да и по приведенным графикам наводок - разница(на глаз, потому как макс. значения просто не указаны и проставлены разные шкалы) примерно в 5 раз и уровень наводки на ближайшую трассу не более 1мВ. И это на скоростях 3 с чем-то там ГБит. Так я могу смело уменьшать зазор! У меня еще запас по помехоустойчивости есть! Причем это и написано в итоге этих примеров: "However, keeping the differential pairs 3W apart was also effective in the first design example." За что еще бороться будем?

Конечно увеличивается.
Предположим мой производитель смело дает в серийных образцах норму 100/100мкм проводник зазор, в опытных - 75/75мкм на меди 17мкм (На меди в 9мкм еще меньше ).
Какой мне прок использовать норму 150/150мкм и медь в 35мкм, если стоимость одинаковая (ну почти одинаковая - до 10% процентов разница), а количество брака, в случае применения нормы 100/100мкм на меди 17мкм и в случае нормы 150/150мкм по меди в 35мкм, практически одинаковое?

Вы либо допустили описку, либо не совсем понимаете о чем говорите.
Производитель материалов для печатных плат дает допуск на толщину ламината 10%. Это относительное значение.
Т.е. чем тоньше ламинат, тем, соответственно, меньше абсолютное значение, применяемое в расчетах, погрешности его толщины.
Толщина препрега в изготовленной плате завист от параметров прессования и количества меди в смежных слоях. Никакого отношения этот параметр к допускам производителя материалов не имеет.
Чем мельче вязка основы препрега (а она мельче у тонких препрегов, как правило), чем более тонкая медь используется и чем более сбалансированы смежные слои (что такое сбалансированный по меди сигнальный слой обьяснять нужно?), тем более однородной получится толщина препрега по площади платы, тем более стабильным будет значение волнового.
А колебания значений ширины проводников меньше как раз у тонкой меди, при прочих равных условиях. Обьяснить почему?

И что? Он грется начнет?
Или станет хуже выполнять свои функции?
Потери на 1ГГц для 150/150мкм и медь в 35мкм составят 0,09дБ, для 100/100мкм и медь в 17мкм составят 0,11дБ.
Очень существенная разница?

Чем меньше у меня норма проводник/зазор, чем более тонкая медь используется, чем меньше расстояние к опорным слоям, тем меньше кросталки и больше свободного места , которое Вам так нужно для увеличения зазоров.
Но какой смысл их увеличивать, если кросталки уже были уменьшены другими способами до приемлемого уровня? Разве что впрок , на всякий пожарный .

Посмотрите пожалуйста на рисунок 31, приводимого вами в пример документа, и почитайте все со страницы 33 очень внимательно. Вам откроется истина .
Кроме того: "The crosstalk numbers are very small (in the micro volts range)" - этот текст идет несколько ниже приведенного Вами рисунка.
Иногда полезно не только картинки разглядывать в книгах, но и читать их (книги ).
Альтере.

P.S. Uree -

Из контекста должно быть видно, что я рассматриваю готовую ПП, а не исходные материалы. Но раз уж вы затронули этот вопрос, то отмечу, что более тонкие материалы имеют больший относительный допуск на толщину: 5 mils +-20%, 10 mils +-15%, 42 mils +-12% (данные Merix)


Емкость меняется пропорционально относительным изменениям расстояния междy обкладками. Поэтому абсолютное значение погрешности толщины роли не играет. Зачем вы сюда ее приплели - непонятно.


При фиксированной толщине меди относительная неравномерность толщины по площади платы будет больше для более тонкого препрега. Хотя бы потому, что относительное влияние этой меди на более тонкий препрег будет больше. Соответственно, величина колебаний волнового, вызванная неравномерностью толщины препрега в готовой ПП, будет выше для более тонкого препрега.


Говорите прямым текстом, что вы имеете ввиду. Мне трудно угадать, что конкретно там показалось вам откровением.


Угу. А еще полезнее при этом думать.

AN315 приводит примеры кросстока для дифф.пар. Как известно, характерным свойством дифф.пар является как раз малый кроссток: они и сами излучают мало, и невосприимчивы к помехам. Вдобавок к этому, амплитуда сигнала-агрессора, приведенная в AN315, составляет всего несколько сотeн милливольт, что тоже типично для скоростных дифф.пар.

До сих пор в топике обсуждался кросток для обычных сигналов. Делать для них выводы об абсолютной величине кростока на основе результатов, приведенных для дифф.пар, могут только очень наивные люди.

Однако закономерность - относительное изменение кросстока примерно на порядок, получаемое при раздвижке с 3W до 4W - имеет смысл обсуждать и принимать во внимание. Потому что для обычных сигналов уменьшение кросстока при небольшой раздвижке проводников тоже будет аналогичное, примерно на порядок.

Если не делаем выводов, то к чему было приводить эти выдержки?



На порядок изменения нет, смотрите графики внимательнее. В разы есть(раза в четыре примерно), но не в десяток...

в русском языке слово "порядок" все применяют как хотят - кто-то умудряется в 2 раза - значит "на порядок". Такое в телике - сплошь и рядом. Вот и оппоненты туда же...
Хотя для програмеров это - наверное самое то, поскольку в 2 раза - это как раз в бинарном представлении сдвиг на разряд

AN-315 Fig.30:


- Верхний график, размах примерно +-700 мкВ = 1400 мкВ
- Нижний график, размах +40-20 мкВ = 60 мкВ

Разница более чем в 20 раз

AN-315 Fig.33:

- Верхний график, размах примерно +20-10 мкВ = 30 мкВ
- Нижний график, размах +200-250 мкВ = 450 мкВ

Разница примерно в 15 раз


Да уж, "оппоненты", прости господи...

Очень умно, да. А комменты к графикам??? На Fig30 верхний график это наводка на ближнюю(closer, nearer) трассу дифпары, нижний - на дальнюю(further). На Fig33 наоборот. Или Вы считаете что там другое написано?

ps прощаю, в словарь иногда смотрите, если сомнения возникают.

Хм, посмотрел внимательнее - да, для фиг.30 они приводят наводки для каждого проводника пары по отдельности. То есть, для ближнего - на расстоянии 3W, и для дальнего - на расстоянии 5W. Что же касается фиг.33, то графики приведены для полностью симметричной конструкции, показанной на фиг.31, там нет "ближнего" и "дальнего" проводника. Зато в тексте сказано о расстояниях в 3W и 4W.

Тем не менее, разница сигналов на графиках - более чем на порядок. Откуда у вас взялось "в 4 раза"?

Вот не уверен я насчет полностью симметричной конструкции - судя по цифрам стэка:
-10.2милса между плэйнами,
-4.5 сигнал-плэйн,
-если предположить, что второй симметрично то тоже 4.5 до плэйна,
-итого 9,
-и остается всего 1.2милса между сигнальными, - я не слышал о таких препрегах),
межслойной просто не может быть 4W(это как-бы 20 милс, а там всего на картинке 10,2:), да и в описании указано side-by-side. Просто я эту апноту уже полтора года периодически просматриваю, и как понять это место до сих пор не знаю
А 4 раза - это как раз наводка на closer trace fig30 и на nearer trace fig33, т.е. наводка на ближнюю трассу для двух случаев зазора между ними. Там как раз 4-х кратная разница и наблюдается. А сравнивать наводку на ближнюю и дальнюю трассы пары не вижу смысла, ясно что там разница намного больше будет.

Я подразумеваю зеркально-симметричную конструкцию, но не обязательно центрально-симметричную.


С чего бы так? Ясно сказано, что расстояние от верхнего референс плэйна 10.2 милса, расстояние от нижнего референс плэйна 4.5 милса, - значит, в сумме 14.7 милс. Еще сказано, что расстояние между плэйнами 20 милс, - значит, между сигнальными слоями 5.3 милс, если не учитывать толщину меди. А если учитывать (скажем, 0.7 милс) , то примерно 4.6 милс.


Причем тут "межслойной"? Они для начала задали горизонтальное расстояние между вертикальными парами 3W=15 милс. А потом, очевидно, пересчитали для 4W.


То ли опечатка, то ли широко трактуют side-by-side. Типа, вертикалные пары "рядом друг с другом".


Совсем разные исходные условия в двух примерах, у вас нет основания для таких натяжек.

Ок, действительно, 14.7.



Как же так? Вы же в предыдущей абзаце написали - между плэйнами 14.7, где в них еще и второй сигнальный(это кстати к слову о возможностях построения "тонких" стэков)



Межслойные 4W - я имел в виду случай, когда пары симметрично идут на разных слоях друг под другом. По толщине такой вариант в приведенный стэк не укладывается, вертикальные пары(трассы пары на разных слоях) тоже экзотика. Остается только вариант две пары, на соседних слоях с зазором между ними.





Теперь я не пойму, что Вы натягиваете? Примеры приведены для совершенно разных исходных условий. Графиков наводок для одинаковых условий с разницей только в зазорах нет(первый график одни условия. второй другие, сравнение 3 и 4W только словами, без цифр, в одном предложении). Так откуда Вы взяли мысль, об изменении почти на порядок величины наводок?

От одного сигнального до ближайшего к нему плейна плейна 10.2. От второго сигнального до блихайшего к нему (соответственно, другого) плейна 4.5. От плейна до плейна 20. Чего тут непонятного?