реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V   1 2 >  
Reply to this topicStart new topic
> Ширина затвора транзистора
Yura08
сообщение Jul 11 2008, 14:48
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 3
Регистрация: 11-07-08
Пользователь №: 38 882



http://www.osp.ru/cw/2001/48/47512/
Цитата
"Ширина затвора транзистора связана с часто используемой характеристикой процессоров — нормой проектирования (но не эквивалентна ей). Самые современные технологии обеспечивают норму проектирования 0,13 мкм: это означает, что на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы. Ширина затвора транзистора должна быть еще меньше (чтобы его можно было устанавливать между проводами) и в современных коммерческих микросхемах составляет около 0,1 мкм."
Цитата
"на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы"
А куда подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком, а не между сток-затвор и затвор-исток.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
DS
сообщение Jul 11 2008, 14:59
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250



Насколько я понимаю, 0.13 мкм - это Рэлеевский предел разрешения фотолитографического оборудования. Реально все элементы должны быть больше.


--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 11 2008, 15:54
Сообщение #3


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(DS @ Jul 11 2008, 18:59) *
Насколько я понимаю, 0.13 мкм - это Рэлеевский предел разрешения фотолитографического оборудования. Реально все элементы должны быть больше.
Поэтому для получения более мелких фотоизображений используют фотошаблоны с внесенными в картинку предъискажениями с учетом необходимых дифракции и интерференции. Например, в углы прямоугольников вписывают небольшие квадраты. Так, чтобы в результате засветки получился изначальный прямоугольник.
45нм - серийно выпускаемая продукция. Это фотолитография, жесткий УФ.
А есть еще и рентген.. smile.gif

Типивое расстояние между истоком и стоком для транзистора, изготавливаемого по 0.18мкм (длина затвора из поликремния) , уже около 0.1мкм.
Когда говорят о техпроцессе, например, 0.13мкм, то подразумевают как раз воспроизводимость минимального размера любого элемента на фотошаблоне. Реальный поликремний будет полоской около 0.13мкм. Плюс-минус на припуски и растрав.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Yura08
сообщение Jul 11 2008, 17:24
Сообщение #4





Группа: Новичок
Сообщений: 3
Регистрация: 11-07-08
Пользователь №: 38 882



Цитата(Yura08 @ Jul 11 2008, 17:48) *
http://www.osp.ru/cw/2001/48/47512/
"на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы"

Так куда же подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком "проводами" стока и истока, а не сток-затвор и затвор-исток.
Затвор же находится между стоком и затвором, следовательно минимальным должно быть расстояние между "проводами" сток-затвор/затвор-исток, а не "проводами" сток-исток...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 11 2008, 19:06
Сообщение #5


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(Yura08 @ Jul 11 2008, 21:24) *
Так куда же подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком "проводами" стока и истока, а не сток-затвор и затвор-исток.
Затвор же находится между стоком и затвором, следовательно минимальным должно быть расстояние между "проводами" сток-затвор/затвор-исток, а не "проводами" сток-исток...
Ааааа.... smile.gif Я понял, что Вы имеете в виду! Вы полагаете, что затворы делают из металла? Да, лет 20 назад делали (да и в наше время кое-что делают старое). Сейчас из поликремния. Почитайте описания техпроцессов хотя бы в общем виде. Там все есть.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
DS
сообщение Jul 11 2008, 20:19
Сообщение #6


Гуру
******

Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 11 2008, 19:54) *
Поэтому для получения более мелких фотоизображений используют фотошаблоны с внесенными в картинку предъискажениями с учетом необходимых дифракции и интерференции. Например, в углы прямоугольников вписывают небольшие квадраты. Так, чтобы в результате засветки получился изначальный прямоугольник.
45нм - серийно выпускаемая продукция. Это фотолитография, жесткий УФ.
А есть еще и рентген.. smile.gif

Типивое расстояние между истоком и стоком для транзистора, изготавливаемого по 0.18мкм (длина затвора из поликремния) , уже около 0.1мкм.
Когда говорят о техпроцессе, например, 0.13мкм, то подразумевают как раз воспроизводимость минимального размера любого элемента на фотошаблоне. Реальный поликремний будет полоской около 0.13мкм. Плюс-минус на припуски и растрав.


С учетом предыскажений и получиться лямбда/3, при этом разница в интенсивности между светлым и темным участком будет раза в 2, не больше. Разрешение, большее, чем лямбда/3 в far-field оптике получить нельзя по определению. я почему почти уверен в том, что это предельные размеры - уж больно точно ложаться эти размеры в 1/3 длину волны эксимерных лазеров на разных газовых смесях.
45 нм - это иммерсия на обычном эксимере. ВУФ литографию ASML пыталась разрабатывать прям в том здании, где я в основном нахожусь, только этажом ниже. Ни хрена не вышло, закрыли. А я уверен, что сильнее команду сейчас они вряд ли соберут. Для рентгена нету зеркал.

Расстояние между какими-то элементами может быть меньше величины разрешения, но тогда будет толще засвеченная часть - разрешением называется расстояние между светлым и темным, которое еще позволяет их разрешить. Поэтому при разрешении в 0.13 мкм можно получить промежуток в 0.05 (если все стабильно в смысле и оптики и химии), но при этом толщина засвеченной части будет 0.08.


--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 11 2008, 21:50
Сообщение #7


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Возможно, разница в освещенности в 2 раза является достаточной для специальных фоторезистов. Не знаю тонкостей этой науки. Но, как-то же делают и меньше в разы! Лазеры, наверное, какие-то сверх-коротковолновые? Читал, что такие установки для экспозиции - "степперы" делают только 2 фирмы в мире - Canon и Nicon. Причем, все в большом секрете и очень медленно (заказывают типа за год). И "умения" свои передают "от отца к сыну" smile.gif
Вот, если интересно, книжка, в которой немного сказано о методике внесения предыскажений в топологию автоматически:

http://rapidshare.com/files/128989127/Auto...nology__Re.html
Go to the top of the page
 
+Quote Post
DS
сообщение Jul 11 2008, 22:01
Сообщение #8


Гуру
******

Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 01:50) *
Возможно, разница в освещенности в 2 раза является достаточной для специальных фоторезистов. Не знаю тонкостей этой науки. Но, как-то же делают и меньше в разы! Лазеры, наверное, какие-то сверх-коротковолновые? Читал, что такие установки для экспозиции - "степперы" делают только 2 фирмы в мире - Canon и Nicon. Причем, все в большом секрете и очень медленно (заказывают типа за год). И "умения" свои передают "от отца к сыну" smile.gif
Вот, если интересно, книжка, в которой немного сказано о методике внесения предыскажений в топологию автоматически:


Лазеры известны - Ксенон-хлор - 308 нм, Криптон-фтор - 247 нм, аргон-фтор - 193 нм, фтор-фтор- - 157 нм. Других нету. Главный секрет - большие линзы (наверное, еще и асферические) из СaF2 идеального качества.
45 нм получается так 193/3/(показатель преломления воды на 193 нм = 1.4 с копейками) = 45 нм. Фтор-фтор не уверен, что сейчас используется, уж больно гадкий.
Без внесения предыскажений разрешение будет хуже раза в три (порядка длины волны).

Вот, wikipedia с моими размышлизмами согласна - http://en.wikipedia.org/wiki/Photolithography


--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 11 2008, 22:14
Сообщение #9


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



А почему не вышло? Бабки не дали или проблемы не решались? Дело-то востребованное "по самое не хочу".
Степпер - главный инструмент для любой технологической линейки. А сейчас желающих - очередь.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
grandrei
сообщение Jul 11 2008, 22:16
Сообщение #10


Местный
***

Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487



По-моему, тут какая-то путаница: что за провода (наверное контактные площадки, хотя это тоже не совсем так), когда в кристалле процессора находится миллионы транзисторов, к тому же за быстродействие отвечает длина затвора, а не его ширина. Ширина определяет ток через транзистор и соответственно его мощность. Вот, например, информация из AMD от 2003 года:
Zoran Krivokapic, the lead researcher on the multigate project, based at the company's technology research group in Sunnyvale, Calif., reported that the transistor switching speed — expressed as CV/I, a measure of capacitance, voltage and current — was 0.26 picoseconds for the NMOS devices and 0.45 ps for the PMOS transistors. AMD said those are the fastest transistors reported to date for 20-nm gate length structures. http://www.eetimes.com/story/OEG20030918S0010
А конце 90-х действительно транзисторы делали по технологии 0.13 мкм, что означало длину затвора в 130 нм. Теперь эту устаревшую технологию продают нам за ненадобностью.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 11 2008, 22:29
Go to the top of the page
 
+Quote Post
DS
сообщение Jul 11 2008, 22:24
Сообщение #11


Гуру
******

Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 02:14) *
А почему не вышло? Бабки не дали или проблемы не решались? Дело-то востребованное "по самое не хочу".
Степпер - главный инструмент для любой технологической линейки. А сейчас желающих - очередь.


Проблемы не решались. Если бы виден был путь решения проблем, ASML бы за бабками не постояла. Она миллионов на сто неустойки 5 лет назад влетела, когда пообещала Интелу сделать ВУФ литографиб и не сделала.
Основная проблема - лазер лампой практически невозможно переплюнуть, да и зеркала на такие короткие длины волн хреновые. У них начиналось с техзадания на источник излучения на 13 нм порядка десятков ватт, а под конец речь уже о киловаттах шла. Ну и на кашдом шагу вперед по огромной технической заднице - оптический путь в вакууме, там ионы из источника летят, при киловаттных мощностях они разрушают зеркала за часы ну и так далее.
Мой научный руководитель в свое время любил заставить студентов на лекции прикинуть размер и потребляемую мощность установки, которую пришлось бы строить до изобретения лазера, если, как он выражался -"партия и правительство потребовали бы создать источник излучения с параметрами небольшого гелий неонового лазера". Получалось нехилое здание, чуть не с мегаваттом потребления.


--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 11 2008, 22:26
Сообщение #12


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(grandrei @ Jul 12 2008, 02:16) *
По-моему, тут какая-то путаница: что за провода, когда в процессоре находится миллионы транзисторов, к тому же за быстродействие отвечает длина затвора, а не его ширина. Ширина определяет ток через транзистор и соответственно его мощность. Вот, например, информация из AMD от 2003 года:
Zoran Krivokapic, the lead researcher on the multigate project, based at the company's technology research group in Sunnyvale, Calif., reported that the transistor switching speed — expressed as CV/I, a measure of capacitance, voltage and current — was 0.26 picoseconds for the NMOS devices and 0.45 ps for the PMOS transistors. AMD said those are the fastest transistors reported to date for 20-nm gate length structures. http://www.eetimes.com/story/OEG20030918S0010
А конце 90-х действительно транзисторы делали по технологии 0.13 мкм, что означало длину затвора в 130 нм. Теперь эту устаревшую технологию продают нам за ненадобностью.
Да это журналист же в статье топикстартера писал. Чего там правду искать-то? "Проводники" - это, по сути, малоизвестный сленг. smile.gif
А насчет покупки устаревшего - так это вопрос цены. Если не шибко дорого - то за счастье. Сами-то такого сделать пока не можем. А по 0.13 (да и по 0.18) можно таких чудес еще наваять, ого-го! Не все же последние микропроцессоры делают. Нужно много чего и другого.
Цитата(DS @ Jul 12 2008, 02:24) *
Проблемы не решались....
Понятно. Там целый "букет" сложностей, конечно. Одно должно "успокаивать" разработчиков таких "чудес" - кое-кто это уже реализовал. Правда, затратил на это годы и миллиарды.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
grandrei
сообщение Jul 11 2008, 22:37
Сообщение #13


Местный
***

Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 11 2008, 23:26) *
А насчет покупки устаревшего - так это вопрос цены. Если не шибко дорого - то за счастье. Сами-то такого сделать пока не можем. А по 0.13 (да и по 0.18) можно таких чудес еще наваять, ого-го! Не все же последние микропроцессоры делают. Нужно много чего и другого.


Наваять-то много чего можно, хотя у меня нет большой уверенности в качестве даже такой продукции. Ведь в свое время была импортная техника, а качество получалось как всегда, технологическую дисциплину ведь надо же соблюдать. С другой стороны, это бытродействие нужно не только в CMOS технологии для процессоров, а также в любом другом как-то HBT или HEMT для того, чтобы проектировать санти- и миллиметровые радиоэлектронные устройства. А мы тут говорим о каких-то 5-х поколениях устройств в авиации, радарах и т.д. То есть имеем желание, но не имеем возможности, и каков же будет результат?

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 11 2008, 22:40
Go to the top of the page
 
+Quote Post
DS
сообщение Jul 11 2008, 22:43
Сообщение #14


Гуру
******

Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 02:26) *
Понятно. Там целый "букет" сложностей, конечно. Одно должно "успокаивать" разработчиков таких "чудес" - кое-кто это уже реализовал. Правда, затратил на это годы и миллиарды.


Насколько я знаю, пригодных для работы на серийном заовде систем ВУФ литографии нет, и пока не предвидиться. Такие вещи в кармане не спрячешь.


--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Yura08
сообщение Jul 12 2008, 06:54
Сообщение #15





Группа: Новичок
Сообщений: 3
Регистрация: 11-07-08
Пользователь №: 38 882



Цитата(grandrei @ Jul 12 2008, 01:16) *
что за провода (наверное контактные площадки, хотя это тоже не совсем так)
Почему на счет контактных площадок не совсем так?
Цитата(grandrei @ Jul 12 2008, 01:16) *
к тому же за быстродействие отвечает длина затвора, а не его ширина.
Разве? А как же влияние ширины затвора на паразитную емкость?
Цитата
Philips - дельное предложение
Как правило, в субмикронных транзисторах ширина затвора значительно больше длины. Обычные соотношения таковы: 0.1мкм – длина, 7мкм – ширина. Большая ширина позволяет снимать достаточно большой ток с транзистора. Однако, с другой стороны, большая ширина приводит к большому RC времени затвора, поскольку пропорционально ширине растет как емкость C, так и сопротивление R. Специалисты Philips предлагают в каждом транзисторе делать несколько нешироких затворов, включенных параллельно. Моделирование, проведенное с помощью программы DAVINCI, которая решает диффузионно-дрейфовые уравнения, показало, что даже на серийных транзисторах с длиной канала 0.18мкм можно достичь ft=70ГГц и fmax=150ГГц! Стоит обратить внимание на это предложение.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 3rd August 2025 - 09:12
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01515 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016