реклама на сайте
подробности

 
 
> Ширина затвора транзистора
Yura08
сообщение Jul 11 2008, 14:48
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 3
Регистрация: 11-07-08
Пользователь №: 38 882



http://www.osp.ru/cw/2001/48/47512/
Цитата
"Ширина затвора транзистора связана с часто используемой характеристикой процессоров — нормой проектирования (но не эквивалентна ей). Самые современные технологии обеспечивают норму проектирования 0,13 мкм: это означает, что на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы. Ширина затвора транзистора должна быть еще меньше (чтобы его можно было устанавливать между проводами) и в современных коммерческих микросхемах составляет около 0,1 мкм."
Цитата
"на таком расстоянии друг от друга расположены провода на поверхности микросхемы"
А куда подевали "провода" над самими затворами? 0,13 мкм - это же расстояние между стоком и истоком, а не между сток-затвор и затвор-исток.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
2 страниц V  < 1 2  
Start new topic
Ответов (15 - 22)
zzzzzzzz
сообщение Jul 12 2008, 07:55
Сообщение #16


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(grandrei @ Jul 12 2008, 02:37) *
Наваять-то много чего можно, хотя у меня нет большой уверенности в качестве даже такой продукции. Ведь в свое время была импортная техника, а качество получалось как всегда, технологическую дисциплину ведь надо же соблюдать. С другой стороны, это бытродействие нужно не только в CMOS технологии для процессоров, а также в любом другом как-то HBT или HEMT для того, чтобы проектировать санти- и миллиметровые радиоэлектронные устройства. А мы тут говорим о каких-то 5-х поколениях устройств в авиации, радарах и т.д. То есть имеем желание, но не имеем возможности, и каков же будет результат?
Уверенность появится, когда сделаете какой-нибудь конкретный девайс smile.gif . Для ВП, кстати, далеко не всегда приемлем субмикрон. По соображениям надежности в космосе. Но, есть схемотехнические и топологические приемы, с помощью которых достигается и высочайшая надежность, и скорость и т.п.
Мой личный опыт распространяется до 0.18 мкм (ниже - скачок стоимости производства, и далеко не всем становится рентабельно туда лезть). Никаких проблем с качеством.
А частоты, достижимые для этого техпроцесса - порядка 15ГГц.
В России пока нет таких производств, но заранее обвинять наших технологов в низком качестве я бы не стал. Это вопрос организации производства. Посмотрим через год-другой.
ПС. Качество и надежность - не вопрос веры, а испытаний. smile.gif

Цитата
Разве? А как же влияние ширины затвора на паразитную емкость?

Yura08, странный у Вас подход к изучению основ технологии. Вы лучше книжки грамотные почитайте, чем всякие глупые статейки из журналов, написанные переводчиками - двоечниками.

Цитата(DS @ Jul 12 2008, 02:43) *
Насколько я знаю, пригодных для работы на серийном заовде систем ВУФ литографии нет, и пока не предвидиться. Такие вещи в кармане не спрячешь.
Для серийного производства, похоже, да. И не спорю. Но, "вести из лабораторий" вещают нам о получаемых рекордах типа 15нм, и, если не ошибаюсь, вроде читал про 6 нм! Это, наверняка, не серийные степперы, и большую схему по ним пока не сделать, но какие-то прототипы значит есть. Вообще, тема интересная. Как, впрочем, и любая тема с "переднего края" науки-техники. Тому, кто работает на этой "грани", можно сказать, повезло и с работой, и с мотивацией. :-)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
DS
сообщение Jul 12 2008, 08:44
Сообщение #17


Гуру
******

Группа: СуперМодераторы
Сообщений: 3 096
Регистрация: 16-01-06
Из: Москва
Пользователь №: 13 250



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 11:55) *
Для серийного производства, похоже, да. И не спорю. Но, "вести из лабораторий" вещают нам о получаемых рекордах типа 15нм, и, если не ошибаюсь, вроде читал про 6 нм! Это, наверняка, не серийные степперы, и большую схему по ним пока не сделать, но какие-то прототипы значит есть. Вообще, тема интересная. Как, впрочем, и любая тема с "переднего края" науки-техники. Тому, кто работает на этой "грани", можно сказать, повезло и с работой, и с мотивацией. :-)

Дело в том, что вести из лабораторий, к сожалению, в основном строятся по принципу "наше дело прокукарекать, а дальше хоть не рассветай". Т.е. люди заранее знают, что ничего путного не выйдет, но статьи громкие пишут - издержки грантовой системы. Так что с мотивацией тут все обычно.
6 нм с помощью электронно-лучевой литографии IBM умеет делать уже лет 20, но беда в том, что в отличие от фотолитографии, где весь чип засвечивается сразу, тут каждый транзистор надо вырисовывать, поэтому о миллиарде штук на кристалл и серийном производстве чипов по цене "рупь ведро" речь в принципе не идет.
Кроме этого, если маразм не изменяет, при размерах порядка 20 нм в кремнии начинают сказываться квантовые эффекты, т.е. транзистор в некотором роде перестанет быть транзистором, а станет устройством, работающим под управлением теории вероятностей. Посему мне кажется, что кремниевый прогресс остановиться где-нибудь в этом районе размеров, с иммерсионной литографией с какой-нибудь ядовитой гадостью с показателм преломления около 2.


--------------------
Не бойтесь тюрьмы, не бойтесь сумы, не бойтесь мора и глада, а бойтесь единственно только того, кто скажет - "Я знаю как надо". А. Галич.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
khach
сообщение Jul 12 2008, 09:31
Сообщение #18


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741



Дурацкий вопрос. Как соотносятся проектные нормы фотолитографии на кремнии, по которым тут меряют развитие технологии и фотолитографии на нетрадиционных полупроводниках? Ведь не секрет, что для оптоэлектроники и СВЧ кремний- это только управление и обработка сигнала, а само устройство СВЧ строится на базе SiGe, GaAs, InP, GaN или InGaAs, InSb для оптоэлектрониики. И проблем с технологическими нормами гораздо больше- карты техпроцессов другие совершенно.
Вообще, что планируется с созданием небольших технологических линий на каждое семейство полупроводников? Во всем мире этим занимаются небольшие фирмочки с полной технологической цепочкой- реакторы роста (MBE, MOCVD), фотолитография, травление, часто плазменное (RIE), нанесение изоляции и металлизации, тестирование изделия. И именно такие фирмочки пекут кристаллы для СВЧ, сенсоров, оптики итд.
Или будет как всегда- все вбухают в субмикронный кремний а все остальное покупать из-за рубежа?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
grandrei
сообщение Jul 12 2008, 10:07
Сообщение #19


Местный
***

Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487



Цитата(Yura08 @ Jul 12 2008, 07:54) *
Разве? А как же влияние ширины затвора на паразитную емкость?

Дело в том, что при большей ширине также пропорционально увеличивается крутизна транзистора, а параметр fT, при котором коэффициент усиления по току равен единице и который является показателем быстродействия транзистора, определяется как отношение крутизны и входной емкости транзистора (затвор-исток плюс затвор-сток). Естественно при большей ширине за счет распределенного эффекта реальная крутизна становится чуть меньше, но это не столь значительно.

Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 08:55) *
Уверенность появится, когда сделаете какой-нибудь конкретный девайс smile.gif . Для ВП, кстати, далеко не всегда приемлем субмикрон. По соображениям надежности в космосе. Но, есть схемотехнические и топологические приемы, с помощью которых достигается и высочайшая надежность, и скорость и т.п.
Мой личный опыт распространяется до 0.18 мкм (ниже - скачок стоимости производства, и далеко не всем становится рентабельно туда лезть). Никаких проблем с качеством.
А частоты, достижимые для этого техпроцесса - порядка 15ГГц.


Для ВП субмикрон должен быть не то, что приемлем, а просто обязателен, иначе для самолетов нового поколения всю авионику будем покупать у какого-нибудь Израиля, а сантиметровые радары или спутниковую связь - у кого? Судя по складывающейся ситуации у Китая, который уже имеет подходящие технологические фабрики. Тем более, что наличие таких технологий позволяет делать монолитные схемы. К тому же не на CMOS процессе строят эти устройства как тут правильно было сказано, а на галлий-арсениде новых поколений с различными гетероструктурами типа InGaP, SiGe или GaN. Те же миллиметровые радары для автомобилей строят на SiGe технологии с fT = 200 ГГц.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 12 2008, 12:21
Сообщение #20


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Цитата(khach @ Jul 12 2008, 13:31) *
Вообще, что планируется с созданием небольших технологических линий на каждое семейство полупроводников? Во всем мире этим занимаются небольшие фирмочки с полной технологической цепочкой- реакторы роста (MBE, MOCVD), фотолитография, травление, часто плазменное (RIE), нанесение изоляции и металлизации, тестирование изделия. И именно такие фирмочки пекут кристаллы для СВЧ, сенсоров, оптики итд.
Или будет как всегда- все вбухают в субмикронный кремний а все остальное покупать из-за рубежа?
Покупать за рубежом можно и нужно - практически невозможно дублировать номенклатуру всего мира. Но, многое, конечно, будут делать и в РФ (оптимизм). Есть в России и арсенид галлия 0.11мкм линейка. Неработает целиком, правда, - никак не запустят толком. Но, кое-что делают. Ячейки ФАР супер-современные, например. Так сложилось, что СВЧ-шники - народ молчаливый, и не трубит о своих успехах smile.gif
Причина неохотного использования субмикронных БИС в космосе связана с несколькими факторами:
- бОльшая "уязвимость" элементов схемы к тяжелым частицам;
- мало кто использует продвинутые варианты топологии, обычно тупые линейные транзисторы. Которые значительно текут при субмикроне. И течь их усиливается при наборе дозы. Но, в принципе, это вопрос необходимого ресурса работы - если надо на "чуть-чуть", то можно и запустить полетать;
- трудности пробивания использования чужой ЭБ - трудно доказать, что без вот этой именно Альтеры или Ксайлинкса - ну никуда. Да обычно это и не так.


Насчет Израиля - посмотрим. Я лично уверен, что сделать ЭБ значительно сложнее, чем ее применять. А грамотных разработчиков аппаратуры и программистов у нас много. Израиль с удовольствие "обувает" софтом наше "железо". Не просто так. И, опять-таки, сделать хороший самолет значительно сложней, чем навесить на него авионику на готовой ЭБ. ПМСМ. Нужна только воля на гос. уровне. Так что....

ПС. Есть такой негативный момент сегодня - разработчики аппаратуры совершенно не заботятся о развитии нашей ЭБ. А сама она никогда не появится. Надо заказывать и оплачивать. Порой просто тупо берут какую-нибудь здоровенную БИС, и программируют на ней примитивный мультиплексор. Вместо того, чтобы заказать разработку действительно надежной и стойкой ASIC у наших фирм. Сейчас это вполне может оказаться и быстрее, и даже дешевле. Парадокс. Или спешка такая, что прямо дым из задницы идет? :-)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
grandrei
сообщение Jul 12 2008, 13:23
Сообщение #21


Местный
***

Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 13:21) *
Но, кое-что делают. Ячейки ФАР супер-современные, например. Так сложилось, что СВЧ-шники - народ молчаливый, и не трубит о своих успехах smile.gif


Увы, но я немного знаком с реальными делами в этой сфере, и не зря поминал тут Китай. Нет у нас ни современных, а тем более суперсовременных монолитных ФАР, а есть гибридные громоздкие и не супер. И если мы еще пользуем метровые радары, то они сантиметровые, а соответственно и точность, и быстродействие, и дальность другие.

Цитата
Насчет Израиля - посмотрим. Я лично уверен, что сделать ЭБ значительно сложнее, чем ее применять. А грамотных разработчиков аппаратуры и программистов у нас много. Израиль с удовольствие "обувает" софтом наше "железо". Не просто так. И, опять-таки, сделать хороший самолет значительно сложней, чем навесить на него авионику на готовой ЭБ. ПМСМ. Нужна только воля на гос. уровне. Так что....


Ваш оптимизм бы да в жизнь. Грамотные разработчики уже на пенсии, потому что то, что делается сейчас по большому счету и разработками назвать нельзя, поскольку своих технологий нет, а купить - так они стоят дорого для любого процесса. Вот когда, хоть что-то помимо водки и икры станет конкурентноспособным за рубежом, тогда другое дело и уже можно будет говорить про уровень. И не надо тешить себя иллюзиями, что там за стенами суперсекретных интститутов что-то такое делают, это абсолютная ерунда. Когда бываешь в тех стенах, то такое впечатление, что вернулся на 30 лет назад. А насчет того, что сложнее самолет сделать, чем электронику, так ведь жизнь как раз и показывает, что последнего мы сделать не в состоянии. Так что в таком случае сложнее? И что собой будет представлять самолет без соответствующей начинки? Да и с волей не все так просто, поскольку сейчас при наличие денег не могут найти нормальных подрядчиков: нет ни людей, ни возможностей, даром 15 лет развала не проходят. Да уже с середины 80-х наблюдался полный застой.

Сообщение отредактировал grandrei - Jul 12 2008, 13:25
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zzzzzzzz
сообщение Jul 12 2008, 14:17
Сообщение #22


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 724
Регистрация: 1-05-05
Из: Нью Крыжопыль
Пользователь №: 4 641



Уныние - грех.. smile.gif "Делай что должен, и будь что будет"(с).
Людей мало, это точно. Но есть. И работают.

ПС. А ячейки ФАР размером со спичечный коробок делают. Это более чем.

ПС2. Я вот готов и по 1мкм КМОП-технологии разрабатывать чипы с частотой 1ГГц. Не заказывают особо. Так что ж теперь? Делаем то, что заказывают. Придется ждать "просветления умов" и пока готовить молодых.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
grandrei
сообщение Jul 12 2008, 14:51
Сообщение #23


Местный
***

Группа: Новичок
Сообщений: 211
Регистрация: 20-12-07
Из: Дублин-Москва
Пользователь №: 33 487



Цитата(zzzzzzzz @ Jul 12 2008, 15:17) *
Уныние - грех.. smile.gif "Делай что должен, и будь что будет"(с).
Людей мало, это точно. Но есть. И работают.


Это так, но хотелось бы, чтобы на нормальном оборудовании, как и во всем мире. А пока нет своих Филипсов, Сименсов, Эриксонов, Мицубишей или Моторол, о чем речь. Обидно, что тот же Хуавэй рассматривается как очень серьезный конкурент тому же Алкателю-Люсенту, более того позволяет нагло себе строить производственные офисы в Америке и сманивать тамошних людей. А ведь по сути государственное предприятие и особо денег не считает, но результат есть.

Цитата
ПС. А ячейки ФАР размером со спичечный коробок делают. Это более чем.


Не знаю, что за ячейку вы видели и на какой диапазон и с какой элементной базой (я видел гибридный усилитель, настраиваемый вручную индием, на западных транзисторах), но за рубежом делают монолитные схемы, включая и усилители, и фазовращатели и аттенюаторы, и переключатели. Ну а с учетом мощности в 10 ватт на один ФАР модуль, там еще нужен и радиатор, все ж КПД не столь высок. И процесс используется pHEMT, который есть уже у китайцев, а мы не можем его покупать для военных целей, даже из какого-нибудь Тайваня, а создать у себя не в состоянии.

Цитата
ПС2. Я вот готов и по 1мкм КМОП-технологии разрабатывать чипы с частотой 1ГГц. Не заказывают особо. Так что ж теперь? Делаем то, что заказывают. Придется ждать "просветления умов" и пока готовить молодых.


А кому нужно то, что пользовалось в компьтерах 90-х годов, когда можно купить современные импортные микросхемы, да и потом у нас нет нормального рынка: сами мало, что создаем, а с импортными изделиями разве что пока больше отверточная сборка. Вот приходится также обучать молодых, но не у нас, к сожалению, а там где есть соответствующие потребности и возможности.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V  < 1 2
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 3rd August 2025 - 11:03
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01439 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016