Смотря у кого что есть под рукой. Ск. стоит диод такого класса, а полевик. Думаю цены одинаковы

Что тут думать-то - возьми и посмотри.
Аргумент "у кого что есть под рукой" вообще не рассматривается.

FR607 от 3 - 5 руб. в среднем.
FR605 с ними хуже, но можно от 6 руб. купить
IRF840A 13 - 30 руб.
IRFBE30 от 15 руб. можно взять, в целом около 30 руб.

Видишь, цены отличаются в разы.
К тому же, чувствуешь? Это быстрые диоды.
Не подойдут они. Как и было уже сказано.
А вот для 1N4007 - вообще 20 коп. стоит.
Вот, это я называю - дёшево и сердито!

В следующий раз, прежде, чем флудить, посмотри хотя бы цены, хорошо?

Манулы на диоды и полевики:
 FR601_607.pdf ( 24.63 килобайт ) Кол-во скачиваний: 175
 IRF840A.PDF ( 89.22 килобайт ) Кол-во скачиваний: 352
 IRFBE30.PDF ( 167.57 килобайт ) Кол-во скачиваний: 147
 1n4001_07.pdf ( 68.91 килобайт ) Кол-во скачиваний: 139

А я вижу за отсутствием этих норм только одну вещь - ннормальному буржуину и в голову не могло прийти, что-кто-то будет использовать 50 герцовый диод на 40 кГц, скажем... Вот и не нормируют. Там и времени обратного восстановления нет, поскольку в предполагаемых для этого применения диодов - это не важно.

Не любите Вы буржуинов
На самом деле нормируют - около 2us.
Это для тех диодов, что с буковкой G - пассивированные стеклом.
А для тех, что без буковки, время будет примено таким же, только очень уж разброс большой.
Поэтому, видимо, и не нормируют.
Вот манулы:
 129_00033_0_1N4001G.pdf ( 60.03 килобайт ) Кол-во скачиваний: 154
 129_00036_0_1N4001L.pdf ( 59.2 килобайт ) Кол-во скачиваний: 158

А вот здесь ребята ошиблись, и всё сделали ноборот:
 284_02435_0_1N4001.pdf ( 550 килобайт ) Кол-во скачиваний: 198
 284_02442_0_1N4001GP.pdf ( 201.17 килобайт ) Кол-во скачиваний: 315

А вот эти для обычных указали 30us, чтоб с запасом, чтоб претензий потом не было
Для пассивированных те же 2us.
 455_01411_0_1N4001.pdf ( 419.88 килобайт ) Кол-во скачиваний: 181
 455_01044_0_1N4001G.pdf ( 402.76 килобайт ) Кол-во скачиваний: 196

К слову, PHILIPS почему-то не указали время.. видимо, это нормальные бужуины
А вот у Vishay, например, есть пунктик.
 513_10927_0_1N4001GPthru1N4007GP.pdf ( 36.67 килобайт ) Кол-во скачиваний: 463
 513_10926_0_1N4001thru1N4007.pdf ( 22.81 килобайт ) Кол-во скачиваний: 141

название режет слух, Снаббер по определению должен поглощать переходный процесс, там чем быстре
загасить тем лучше, предпочтение RC цепочкам ну и как составная часть( и не только) трансилы, быстрые Si диоды, про медленные не слышал отстал что ли??

Про разброс - это Вы верно заметили. А в нашем деле разброс не нужен. И это еще одна из причин, по которой применение обычных выпрямительных диодов в качестве подобных снабберов недопустимо. Причем, ток и время "накачки" так же должны нормироваться.



Извините, а Вы сначала эту ветку прочли? Там речь шла именно о поглощении, только не о совсем быстром.

Вот для таких вещей и сделали пассивацию стеклом.
Стоит копейки, а результат изумительный!
Конечно, от тока и времени накачки зависит время обратного восстановления.
Тут нам на пользу, если мы будем ток накачки гнать пропорциональный последующему обратному току через диод. Чему и способствует токовый транс.
А время нужно каким-либо образом стабилизировать.
Есть одна схемка, вчера в голову пришла. Пока не спешу выкладывать, попробую поизучать сначала.
Объединяет преимущества разных схем, но по комплектухе дороговато получается.
Пока хотя бы так сделать. Может быть, выгодно будет применять в сильноточных схемах...

Я попросил подключиться к нашей беседе специалиста в области полупроводников. Надеюсь, что сейчас он придет и всех нас рассудит.
А со стеклом в НТЦ СИТ делают вообще достаточно удивительные вещи. Не только диоды.

Оооо... Спасибочки за доверие, конечно. Но, это не совсем моя область - "парк" диодов я знаю слабовато, не могу быть экспертом сейчас.
Давайте лучше говорить в параметрах этого девайса. Какие нужны? Хотя бы основные. А тогда уже, возможно, чего-то и найдется.

Хорошо. Я попробую. Надеюсь уважаемое сообщество поправит, если что-то будет не так, или дополнит. Итак:
1. Надо иметь регулируемое время обратного восстановления от 200нс до 2 мкс.
2. Время обратного восстановления должно быть пропорционально прямому току через девайс перед подачей на него обратного нпряжения.
3. Прямой ток, обеспечивающий указанные времена обратного восстановления не должен быть очень большим. В идеале хотелось бы иметь 10 мА для 100 нс времени обратного восстановления и 200 мА для 2 мкс (на модели эти токи для обозначенных времен значительно больше).
4. Время нахождения прибора в состоянии проводимости не должно в идеале влиять на время обратного восстановления.
5. Обратный ток через прибор во время его восстановления может достигать 100 А и повторяться с частотой до 100 кГц. Впрочем, прибор может допускать параллельное соединение. Тогда предельно допустимый ток обратного восстановления может быть несколько меньше. Но в этом случае надо обеспечить возможность равномерного распределения токов при параллельной работе.
6. Обратное напряжение в закрытом состоянии должно быть не менее 1200 В.
7. Может и еще чего, пусть желающие дополнят...

Во время обратного восстановления напряжение на диоде не должно быть очень большим.
Скажем, менее 4В.
Обратное напряжение можно и меньше.
400В для применений в полумостах от 220В и 800В для 380В.
То есть, 1000В диод вполне прокатывает.

Не понятно, зачем нужна прямая зависимость trr от If ?
Достаточно просто, чтобы trr не изменялось бы при неизменном Ir / If
Или изменялось в небольших пределах.

Ещё одно.
Если trr будет изменяться от температуры, увеличиваться - ничего страшного. Даже плюс.
Потому что у IGBT та же ситуация с хвостом тока...
А если характеристики будут соответствовать друг другу - просто чудно

Сообщение отредактировал SAVC - Aug 2 2008, 12:11

Это правильно, иначе затея не имеет особого смысла. Только я бы увеличил это напряжение вольт до 10, поскольку падение на открытом скоростном IGBT в настоящее время около 3-х вольт. А еще некоторые могут добавить и быстрый диод со своим падением.


Я настаиваю на 1200 В, поскольку это потенциально расширяет область применения. И еще - при высоковольтных применениях такой фокус гораздо нужнее, чем при низковольтных, поскольку динамические потери здесь уже на первом плане.



Ну, это пожелание. Вы же сами здесь говорили о трансформаторах тока и прочей ерунде. Вот для этого и нужна пропорциональность или нечто близкое к ней.


Поддерживаю.
Да, чуть не забыл... Еще и PSpice модель ...

Сообщение отредактировал Прохожий - Aug 2 2008, 12:36

Говорил. И не ерунда это вовсе
У Вас там в схеме оный тоже имеется.
А вот зачем нужна пропорциональность, не понял.

Задача нестандартная. Сейчас все наоборот, стремяться разрабатывать диоды с минимальным временем восстановления. Для этого чего только не придумывают технологически.
Но, в том, что Вы описали, нет фундаментальных ограничений.
Мои попытки найти такой диод не дали результатов, но, возможно, вы это сможете сделать лучше меня.
Разработать такой диод можно наверняка, но это полноценная ОКР с несколькими итерациями - даже не представляю, кто бы мог сейчас такую провести.

- Если актуально, то надо пообщаться с разработчиками техпроцессов и приборов, работающих плотно в ТСАD. Они могут точно подтвердить или опровергнуть возможность изготовления диода с такими параметрами. Проводить же нужные расчеты вручную возможно, но это крайне хлопотное занятие с высокой погрешностью.

- Если весь этот огород только для того, чтобы задержать низкий потенциал на коллекторе IGBT транзистора на время его закрытия, то мне лично это представляется не совсем "в струе НТ прогресса" - гораздо эффективнее разрабатывать в таком случае не какой-то "волшебный" диод, а более шустрый на закрывании транзистор.

- Возможно, стоит рассмотреть возможность использования мощного высоковольтного МОП-транзистора вместо этого диода. Управление им можно организовать любое необходимое. Таким путем идет "просвещенное человечество" уже давно, и схем синхронных и интеллектуальных мостов, например у IRF, множество.

Извините, пока мне больше сказать как бы и нечего. Рад бы помочь чем-нибудь, но это не "моя чашка чая". В этой области Вы знаете побольше меня, как мне кажется.

Неужели все так плохо в нашей стране?

В общем-то актуально и при определенной рекламе, ПМСМ, даже коммерчески выгодно. Я уже здесь говорил - такими диодами занимались в Запорожье в начале 90-х годов. Чем там все кончилось я не знаю. Сейчас это для меня другое государство.
А с другой стороны, я представляю себе, где можно взять денег (500...750 кРуб) под это дело, причем без возврата.

Таких подвигов никто не требует. Мы же здесь просто общаемся ...

Дело в том, что "шустрые" транзисторы на 1200 Вольт в обозримом будущем вряд ли появятся, а нужны они именно сейчас. Кроме этого - есть одно но, чем "шустрее" транзистор, тем больше у него напряжение Uce в открытом состоянии, а так же стоимость. Отсюда постоянная возня с резонансными преобразователями на сравнительно медленных IGBT и прочий гемор со снабберами.

Опять же Вы правы, но не очень. Беда в том, что один, даже самый маленький сбой в подобной высоковольтной системе однозначно приводит к полному краху последней. Опять же из-за высоких напряжений и больших токов, которые ни в коем случае не должны "появляться" вместе. Применение дополнительного управляемого элемента - верный путь к такого рода вещам. Заметьте, все синхронные мосты и выпрямители расчитаны на работу при низких напряжениях.