Сначала суть. Вниманию уважаемого сообщества предлагается снаббер следующей конструкции:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Это общеизвестная идея. Здесь VD1 - диод с большим временем обратного восстановления.
В теории это должно работать следующим образом:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Здесь зеленое - напряжение на IGBT, а красное - его ток коллектора.
Как видно из последнего рисунка - закрывание IGBT происходит при низком напряжении, что позволяет снизить динамические потери.
Беда только в одном - таких диодов (типа VD1 из верхнего рисунка) в реальности не существует.
А может существуют?... А я не нашел?
Если кто в курсе - подскажите, пожалуйста.

Прикольно, конечно.
20ETS08
Какие-нить другие НЧ диоды можно взять, напр. КД203. Однако задержку больше микросекунды вряд ли получишь. Да еще ток надо давать для их открывания. В порядке экономии можно давать ток в диод перед закрыванием транзистора.

40EPS08_IR Если мне память не изменяет, время как раз около 1мкс или наши ДЧ-ХХХ-Х.
Вот только в MicroCap'e 9.0 немогу повторить ваши картинки. И еще немного не понятна выгода от такого решения, потери переключения в этом случае начнут выделятся в диоде, в чем плюс такого решения?

У медленных диодов кристалл более "грубый", лучше выдерживает перегрузки. И кроме того, выбираются диоды с "жестким" восстановлением, то есть напряжение начинает существенно нарастать, когда ток совсем прекратится. В такой диод можно и несколько меньше тока давать, чтобы он открылся.
На самом деле свойство жесткости, мягко говоря, неидеально - но разница между типами все же заметна.

Если тред не навеян вот этим : http://www.radioland.mrezha.ru/dopolnenia/hvost/hvost.htm , то на всякий случай даю ссылочку...



Хорошо использовать медленные диоды в обратноходовых преобразователях - 1N4001 GP (пассивированные стеклом, нормированное время восстановления) - вместо звона на обратном ходе может получиться почти прямоугольная полочка "как в учебнике".
С момента закрывания транзистора до момента закрывания диода это работает почти как актив кламп. Но есть небольшое "но" - открывание у них тоже чуть медленнее, потому в начале выброса "иголка", что требует кроме клампера на медленном диоде применять также снаббер для замедления нарастания напряжения на транзисторе. Бывает удобно использовать снаббер во вторичной цепи.

Лет 5 назад тоже применял медленные диоды для этих целей и выбрал 1N4007. Искал у какого диода время восстановления побольше. Чем высоковольтнее диод, тем у него это время больше. Так что вместо 1N4001 1N4007 получше будут. И кстати в форумах эта тема уже поднималась.

Виноват, именно 4007 и использовал... из-за напряжения, нужно было максимальное...
Тема поднималась уже, действительно... но тема хорошая... Картинки радуют глаз, резисторы холоднее намного...

Приветствую! Рад видеть тебя.
Расскажи чуть подробнее, пожалуйста. Какую схему применял, результаты?

Посмотрел статью у Семёнова на сайте. Он не объясняет процессы, происходящие в схеме.
Есть результаты одного эксперимента, но сам эксперимент не расписан.
Вобщем, всех карт не раскрывает. Зато, есть ссылка на авторское свидетельство, что наталкивает на мысль: эта статья - просто "засвет" идеи свидетельства.
К тому же, ошибка у него на рисунке 2в - диод D1 включен наоборот.

На рис. 7 не обозначены трансы. Надо думать, левые - это один транс, а правые - другой. Ладно, пусть... Фазировку трансов указал наоборот!

На рис. 6 у дросселей зачем-то поставлена точка - вводит в заблуждение? Вообще, какое-то многоточие нарисовано...
Пытаюсь сейчас смоделировать - оно не работает!!!

Думаю, что должно быть что-то вроде этого:
Пока для одного транзистора. Понятно, что для полумоста будет два таких же.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

В архиве лежит скриншот схемы в PSD и сам проект для OrCAD v15.7
Начинает работать, часть тока течёт через диод. Нужно подбирать компоненты схемы.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Спасибо всем ответившим.
Однако, применение 1N4007 для моих токов неуместно. Боюсь его просто разорвет.
Что же касается остальных вариантов, то в качестве медленного диода за основу была взята модель диода 40EPS12. Для достижения результата, полученного в виде рисунков, в исходной модели значительно увеличены параметры TT и СJO. Иначе, ток "накачки" получается очень большой.
Предложение о токе перед закрыванием может привести к чрезмерному усложнению управляющей схемы. Кроме этого, время "накачки" диода током так же имеет значение. Если это время малО, то и задержка так же малА.
Кроме всего прочего, работа стандартных выпрямительных диодов при больших, часто повторяющихся токах реверса, производителем не гарантируется. Поэтому, применение этих диодов в подобных снабберах считаю радиолюбительством.
Речь в стартовом сообщении шла о специальных диодах, которые в полном смысле слова "диод" таковыми, по всей вероятности, уже не являются.
По моим данным 15 летней давности, разработкой таких полупроводниковых приборов занимались в Запорожье в приложениях с GTO.
Допускаю так же, что подобные решения могут быть интегрированы непосредственно в силовые модули ряда фирм. Особенно, если предположить, что ток "накачки" удалось уменьшить до единиц миллиампер.
Вопрос состоял в следующем - может кому доводилось встречать в жизни подобные полупроводниковые приборы?

Не совсем понятна в чем причина опасения использования диодов в таком режиме? Из-за чего диод может вылететь? Напряжения, тока, их скорости нарастания, перегрева? Вы случайно не о transient voltage suppressor спрашивали?

Прохожий! Не идеализируете лы Вы условия в программе? На чем моделируете? Что это за параметры под транформатором изображены?

Получился "ну очень медленный" диод...
На ум приходят только селеновые столбы


Если не превышается допустимая температура кристалла, то всё ОК. Какие ещё есть ограничения?
А это как раз уже не радиолюбительство получается, а супер профи
Тепловой расчёт для импульсных токов.

Мне всё покоя не даёт эта статья с сайта Семёнова. Та схема, с токовым трансом - она, ведь, не будет работать! Единственный вариант - токовый транс использован как дроссель, и ток перепрыгивает во вторичку, когда транзистор начинает закрываться. Появляется дополнительная гибкость к идее схемы с дросселем. Впрочем, увеличить ток накачки диода здесь можно тоже только увеличив индуктивность дросселя в цепи транзистора. Где-то там должна быть запятая...

А вот интересно было бы гнать ток через демпферный диод, пропорциональный рабочему, всё время, пока открыт транзистор. Тогда через диод можно пускать меньший ток, и индуктивность в цепи транзистора можно сделать меньше. Для ШИМ эта идея плохо подходит, но и то, ШИМ можно ограничить снизу и совместить с пропуском импульсов.

Не могу придумать схему для этого варианта. Есть у кого-нибудь идеи?

То есть, я хочу сказать, здесь уже токовый транс будет использован по прямому назначению, а вносимая им индуктивность минимальна.

Упс. Сорри. Схема в начале ветки как раз такая и есть...

А, собственно, что мешает применить такую вкуснятину: IGBT параллельно с MOSFET?
На время выключения работает MOSFET, на нём выделяются изрядные статические потери, но за короткое время, а когда IGBT закрылся, он быстро рвёт ток. Общие потери на MOSFET будут значительно ниже, чем динамические на голом IGBT.
При включении пары сигнал управления подаётся одновременно на оба транзистора. MOSFET очень быстро включается, динамические потери минимальны, потом ток перехватывает IGBT, уменьшая падение напряжения. Это если нужно и можно большие dU/dt. А если нет - просто включаем IGBT, а MOSFET включаем только на время выключения IGBT.
Думаю, это будет лучше извратов с демпферными диодами...

Почему изврат?? Я вижу только плюсы! Легче доставаемый и более дешевый диод, КПД чуть повыше. Сплошные плюсы и не одного минуса

Вот, например, можно так сделать:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Работает просто изумительно!
Правда, это только пример. Надо оптимизировать

А здесь в архиве лежит сам проект и скриншот схемы в PSD
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Вчера, кстати, несколько файлов забыл положить в архив, вот исправленный:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Скачали трое, но ни один не отписал об ошибке - проект не запускали, получается? Или что?


Нужен либо токовый транс, либо дроссель.
В любом случае, это добавочная индуктивность в цепь транзистора.
И готовый вряд ли удастся найти - нужно мотать, а это стоит денег.
Полевик достать не сложнее, чем IGBT
Рабочий режим диода трудно посчитать или даже подобрать. Вот, попробуй в примере hitraya-2 выставить режим работы схемы.
А в схеме автора топика потери на диоде слишком велики, она не применима. Диод для неё, кстати, как раз очень трудно достать. Хотя бы найти
А мою схему можно просто брать и делать
К тому же, потери в схеме с демпфером больше, чем в схеме с параллельным MOSFETом.
Сплошные недостатки и ни одного достоинства
Ещё один аргументик - полевик таки предназначен для работы с большими импульсными токами, которые, как говорит Прохожий, вовсе не обязан держать демпфер.

А вообще, надо бы сравнить с реально работающей схемой демпфера.
orthodox, схему в студию!

Ну хотя бы от ускоренной деградации кристалла и, как следствие, роста диффузионного тока. ПМСМ, поскольку я не очень большой специалист в области физики твердого тела. Но ограничения, накладываемые производителем на реверсивный ток, наводят именно на такие мысли.

То, о чем Вы говорите у меня тоже используется (на рисунке в виде стабилитрона).


Если и идеализирую, то слегка. Все полупроводники максимально приближены к боевым условиям. А реальную модель устройства здесь не привожу, чтобы уважаемое сообщество не цеплялось за частности. Уверяю Вас, что паразитные индуктивности и емкости на картинку практически не влияют.

Моделирую в программе на букву О, версия 10 с половиной. Под трансформатором тока следующие параметры: AR - площадь поперечного сечения сердечника, PAT - средняя длина магнитной линии, RATIO - отношение числа витков во вторичной обмотке к числу витков в первичной обмотоке.




Я думаю, что в реальности такие приборы уже давно существуют и позволяют буржуйским модулям обходиться либо вовсе без RCD снабберов, либо иметь дело с их вырожденными вариантами.

Простите, но на мой взгляд, Вы не те шишки курите. Впрочем, на вкус и цвет...

По-моему, йопнет... Тут одинаковые IGBT PT типа при запараллеливании это делают. А Вы полевик и IGBT в одну телегу запрягаете...

Прохожий, давай не будем заводить разговор о шишках, топик не об этом.
К слову, я вообще не курю


Мда. Сейчас вот подробненько рассматриваю. И пока не вижу большого выигрыша в потерях...
Поторопился. Хотя, полевик все динамические потери принимает на себя честно
Может быть, нужно посто лучше подобрать режимы и компоненты.
IRG4BC40W не сильно отличается по параметрам от APT28GA60K, а это как раз IGBT PT типа.

Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла

Завтра ещё покопаю. Поставлю в схему IXGT35N120B. Чтобы всё как у тебя было.
И попробую уменьшить динамические потери.
Какое максимальное dU/dt при включении транзистора закладываешь?
Цепь драйвера использовать только такую или можно изменить?
Можно добавить отрицательное напряжение?

Ну, нет таких диодов! Почему ты думаешь, что они есть?

Похоже мы о разном говорим, я о применении медленного диода по сравнению с быстрым. А вы про активное демпфирование читали?

А я вообще не специалист в области твердого тела Я уже вроде выше перечислил из-за каких причин диод может сгореть. А чтобы не было ускоренной деградации кристалла, надо делать запас по параметрам и всё . И ещё Bludger переводил статью, там тоже упоминаются медленные диоды.

Медленный диод по сравнению с быстрым будет работать медленнее
Здесь же вопрос в отказе от RCD снабберов и разнесении напряжения и тока другим способом.
Можно, вот, например, на время хвоста тока у IGBT пустить ток через закрывающийся диод.
Предварительно его приоткрыв. А чтобы время было сравнимое с хвостом, нужно поставить медленный диод.
Только сложно это реализовать. Не получается пока.
А можно вот ещё MOSFET в параллель поставить, который будет примерно тоже самое делать.
Только он полностью управляемый. И процессом проще управлять.
Но что-то пока выигрыша особого не получается, хотя все динамические потери уходят в MOSFET.
Будем дальше посмотреть.


Это вопрос из области "А знаете ли вы что?"
Yandex всё знает. Говори по существу.
Что ты пиаришь Bludger'а?

На мой взгляд, использование полупроводниковых приборов вне оговоренных производителем параметров недопустимо. Мне кажется, что это очевидно. На эту тему уже были споры на этой площадке.
И еще, ссылка не открывается. А литературы по медленным диодам достаточно много. Только она вся старая. Современных публикаций на эту тему практически нет.


Уважаемого Bludger-а пиарить нет необходимости. Он занимается весьма нужным делом - несет в массы полезные знания. Делится с сообществом в том числе и своими собственными наработками, причем, достаточно оригинальными. На мой взгляд, делает это совершенно бескорыстно.
В отличие от упомянутого Вами Семенова, в книгах котрого есть грубые математические ошибки.

Ух, сыр-бор!

Попробовал месяц назад гроздь 2Д212 в снаббере сварочника-однотакта. Ёмкость грозди относительно радиатора на гнд заставляет меня думать, что они стали медленными.

Использовать детали в режимах свыше -20% от absolute maximum rate лично для себя считаю неприемлемым.

Ну, и чем все кончилось?

Всё кончилось наихудшим и предсказуемым образом - в имеемый корпус не влезаем по теплу

Да я знаю что Yandex знает всё. Я о том знаете ли вы об этом варианте .

На этом форуме я упоминаю не только его, но и других людей, которые сделали чего-то полезное и чем можно воспользоваться всем нам. Вот когда вы поделитесь своими наработками, которые меня заинтересуют и окажутся полезными я и вас пропиарю .

Что-то я всё равно не понимаю о чем вы? О каких оговоренных параметрах вы толкуете?? Прошу привести конкретно какой из параметров вы нарушите применив медленный диод в этом режиме. Насчет споров на эту тему что-то я не припомню.

Ссылка рабочая сам вчера скачивал.

Семёнова упомянул orthodox и все мои комменты к нему.
Которая ссылка не открывается?
Вижу, обращение на ты задевает. А почему бы и нет? Давай на ты!
Все равны перед IGBT!

2 dinam
Диод может сгореть только от превышения температуры кристалла или от превышения максимального обратного напряжения.
И всё.
Понятие максимальный ток обретает смысл только в связи с перегревом кристалла.
А скорости нарастания с превышением максимального обратного напряжения.



Гут. А что конкретно полезного по теме в предыдущем твоём посте?
Про актив-кламп я знаю. Ты просто хотел это выяснить?
Ну, выяснил, что дальше???



Это был просто RCD снаббер?
Схема - однотакт с рекуперацией или что-то другое?
Диоды ты последовательно включал, надо понимать?
Если так, то на скоростных характеристиках это никак не отразится.

Немного не в тему. Дело в том, что от западной цивилизации надо брать только хорошее, те же IGBT, к примеру. А обращение на ты, по моему скромному мнению, это от скудности английского языка.
В русском языке принято обращаться на Вы, априори предполагая уважительное отношение к собеседнику. Мы с Вами русские люди, насколько я понял, слегка ознакомившись с материалами на Вашем сайте. Вот и давайте придерживаться традиций, принятых в русском приличном обществе, а не уподобляться представителям СШП с их фамильярностью и псевдооткрытостью.
Заранее извиняюсь за назидательный тон. Конец отступления.



Применяя медленный диод в подобной схеме, я нарушаю 2 параметра:
1. Предельную частоту переключения.
2. Предельно допустимый реверсивный ток при восстановлении медленного диода.

А диод в МОСФЕТЕ Вас не устроит, он там тоже достаточно тормознутый 500...800нс ?

Нет. Это слишком быстро. И вообще - тот диод лучше не трогать.
И еще. Как Вы себе это мыслите? В виде схемы, если можно...

Посмотрел несколько даташитов на 1N4007 и на 40EPS16 и я не нашел упоминания об этих парамерах. Лично для себя я делаю вывод что эти диоды можно использовать на высокой частоте. Но обратил бы внимание на то, чтобы кристалл не перегревался в моменты включения и выключения. Зная выделяемые мощности и тепловое сопротивление в импульсном режиме это можно расчитать.

Предельная частота не нормируется, а если с отводом тепла от кристалла диода всё в порядке, то от пролонгации реверсивного тока в рцд скорее конденсатору поплохеть может.




Да, простой RCD, задача в улучшении КПД снаббера пока не стоит, проверяю другое.
Прямоход. Было свободное место в окне - намотал рекуперационную обмотку, как конденсаторы подвезут путные - смотаю.
Ага, 5х6 , развесив резисторами 47 кОм последовательные ветви. Есть разница, где стоит этот сборный диод, прижатый к радиатору, соединенному с gnd - к плюсовой шине или один конец "летает".
Тут ёмкость монтажа шалит еще. Так как диоды без подбора, то смею предположить, что общее время восстановления у грозди будет больше, чем у единичного диода-компонента.

Соеденяете затвор-исток, чтобы полевик был всегда закрыт и включаете диод , сток - исток. Вам же диод нужен, что тут еще представлять?

Ну, на самом деле английское You переводится Вы. У них как раз нет обращения на ты. Кануло в лету...
К чему тогда тут все эти ники? Они же символизируют равные отношения, неформальные! Общение на ты..
Псевдооткрытость. Псевдозакрытость.. Костюм-галстук. Деловые отношения. Здесь же не идёт речь о деньгах?
Впрочем, в чужой монастырь, как говорится..

Прохожий, извините, пожалуйста, если задел Вас лично своим обращением.
Ни в коем случае не хотел этого!
Будем на Вы.


Мда. Использовать полевик только как диод - это сильно. Сильно дорого..
Он, ведь, ничем не отличается от обычных диодов!


Вот так примерно?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Смотря у кого что есть под рукой. Ск. стоит диод такого класса, а полевик. Думаю цены одинаковы

Что тут думать-то - возьми и посмотри.
Аргумент "у кого что есть под рукой" вообще не рассматривается.

FR607 от 3 - 5 руб. в среднем.
FR605 с ними хуже, но можно от 6 руб. купить
IRF840A 13 - 30 руб.
IRFBE30 от 15 руб. можно взять, в целом около 30 руб.

Видишь, цены отличаются в разы.
К тому же, чувствуешь? Это быстрые диоды.
Не подойдут они. Как и было уже сказано.
А вот для 1N4007 - вообще 20 коп. стоит.
Вот, это я называю - дёшево и сердито!

В следующий раз, прежде, чем флудить, посмотри хотя бы цены, хорошо?

Манулы на диоды и полевики:
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла

А я вижу за отсутствием этих норм только одну вещь - ннормальному буржуину и в голову не могло прийти, что-кто-то будет использовать 50 герцовый диод на 40 кГц, скажем... Вот и не нормируют. Там и времени обратного восстановления нет, поскольку в предполагаемых для этого применения диодов - это не важно.

Не любите Вы буржуинов
На самом деле нормируют - около 2us.
Это для тех диодов, что с буковкой G - пассивированные стеклом.
А для тех, что без буковки, время будет примено таким же, только очень уж разброс большой.
Поэтому, видимо, и не нормируют.
Вот манулы:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А вот здесь ребята ошиблись, и всё сделали ноборот:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А вот эти для обычных указали 30us, чтоб с запасом, чтоб претензий потом не было
Для пассивированных те же 2us.
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла
К слову, PHILIPS почему-то не указали время.. видимо, это нормальные бужуины
А вот у Vishay, например, есть пунктик.
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла

название режет слух, Снаббер по определению должен поглощать переходный процесс, там чем быстре
загасить тем лучше, предпочтение RC цепочкам ну и как составная часть( и не только) трансилы, быстрые Si диоды, про медленные не слышал отстал что ли??

Про разброс - это Вы верно заметили. А в нашем деле разброс не нужен. И это еще одна из причин, по которой применение обычных выпрямительных диодов в качестве подобных снабберов недопустимо. Причем, ток и время "накачки" так же должны нормироваться.



Извините, а Вы сначала эту ветку прочли? Там речь шла именно о поглощении, только не о совсем быстром.

Вот для таких вещей и сделали пассивацию стеклом.
Стоит копейки, а результат изумительный!
Конечно, от тока и времени накачки зависит время обратного восстановления.
Тут нам на пользу, если мы будем ток накачки гнать пропорциональный последующему обратному току через диод. Чему и способствует токовый транс.
А время нужно каким-либо образом стабилизировать.
Есть одна схемка, вчера в голову пришла. Пока не спешу выкладывать, попробую поизучать сначала.
Объединяет преимущества разных схем, но по комплектухе дороговато получается.
Пока хотя бы так сделать. Может быть, выгодно будет применять в сильноточных схемах...

Я попросил подключиться к нашей беседе специалиста в области полупроводников. Надеюсь, что сейчас он придет и всех нас рассудит.
А со стеклом в НТЦ СИТ делают вообще достаточно удивительные вещи. Не только диоды.

Оооо... Спасибочки за доверие, конечно. Но, это не совсем моя область - "парк" диодов я знаю слабовато, не могу быть экспертом сейчас.
Давайте лучше говорить в параметрах этого девайса. Какие нужны? Хотя бы основные. А тогда уже, возможно, чего-то и найдется.

Хорошо. Я попробую. Надеюсь уважаемое сообщество поправит, если что-то будет не так, или дополнит. Итак:
1. Надо иметь регулируемое время обратного восстановления от 200нс до 2 мкс.
2. Время обратного восстановления должно быть пропорционально прямому току через девайс перед подачей на него обратного нпряжения.
3. Прямой ток, обеспечивающий указанные времена обратного восстановления не должен быть очень большим. В идеале хотелось бы иметь 10 мА для 100 нс времени обратного восстановления и 200 мА для 2 мкс (на модели эти токи для обозначенных времен значительно больше).
4. Время нахождения прибора в состоянии проводимости не должно в идеале влиять на время обратного восстановления.
5. Обратный ток через прибор во время его восстановления может достигать 100 А и повторяться с частотой до 100 кГц. Впрочем, прибор может допускать параллельное соединение. Тогда предельно допустимый ток обратного восстановления может быть несколько меньше. Но в этом случае надо обеспечить возможность равномерного распределения токов при параллельной работе.
6. Обратное напряжение в закрытом состоянии должно быть не менее 1200 В.
7. Может и еще чего, пусть желающие дополнят...

Во время обратного восстановления напряжение на диоде не должно быть очень большим.
Скажем, менее 4В.
Обратное напряжение можно и меньше.
400В для применений в полумостах от 220В и 800В для 380В.
То есть, 1000В диод вполне прокатывает.

Не понятно, зачем нужна прямая зависимость trr от If ?
Достаточно просто, чтобы trr не изменялось бы при неизменном Ir / If
Или изменялось в небольших пределах.

Ещё одно.
Если trr будет изменяться от температуры, увеличиваться - ничего страшного. Даже плюс.
Потому что у IGBT та же ситуация с хвостом тока...
А если характеристики будут соответствовать друг другу - просто чудно

Это правильно, иначе затея не имеет особого смысла. Только я бы увеличил это напряжение вольт до 10, поскольку падение на открытом скоростном IGBT в настоящее время около 3-х вольт. А еще некоторые могут добавить и быстрый диод со своим падением.


Я настаиваю на 1200 В, поскольку это потенциально расширяет область применения. И еще - при высоковольтных применениях такой фокус гораздо нужнее, чем при низковольтных, поскольку динамические потери здесь уже на первом плане.



Ну, это пожелание. Вы же сами здесь говорили о трансформаторах тока и прочей ерунде. Вот для этого и нужна пропорциональность или нечто близкое к ней.


Поддерживаю.
Да, чуть не забыл... Еще и PSpice модель ...

Говорил. И не ерунда это вовсе
У Вас там в схеме оный тоже имеется.
А вот зачем нужна пропорциональность, не понял.

Задача нестандартная. Сейчас все наоборот, стремяться разрабатывать диоды с минимальным временем восстановления. Для этого чего только не придумывают технологически.
Но, в том, что Вы описали, нет фундаментальных ограничений.
Мои попытки найти такой диод не дали результатов, но, возможно, вы это сможете сделать лучше меня.
Разработать такой диод можно наверняка, но это полноценная ОКР с несколькими итерациями - даже не представляю, кто бы мог сейчас такую провести.

- Если актуально, то надо пообщаться с разработчиками техпроцессов и приборов, работающих плотно в ТСАD. Они могут точно подтвердить или опровергнуть возможность изготовления диода с такими параметрами. Проводить же нужные расчеты вручную возможно, но это крайне хлопотное занятие с высокой погрешностью.

- Если весь этот огород только для того, чтобы задержать низкий потенциал на коллекторе IGBT транзистора на время его закрытия, то мне лично это представляется не совсем "в струе НТ прогресса" - гораздо эффективнее разрабатывать в таком случае не какой-то "волшебный" диод, а более шустрый на закрывании транзистор.

- Возможно, стоит рассмотреть возможность использования мощного высоковольтного МОП-транзистора вместо этого диода. Управление им можно организовать любое необходимое. Таким путем идет "просвещенное человечество" уже давно, и схем синхронных и интеллектуальных мостов, например у IRF, множество.

Извините, пока мне больше сказать как бы и нечего. Рад бы помочь чем-нибудь, но это не "моя чашка чая". В этой области Вы знаете побольше меня, как мне кажется.

Неужели все так плохо в нашей стране?

В общем-то актуально и при определенной рекламе, ПМСМ, даже коммерчески выгодно. Я уже здесь говорил - такими диодами занимались в Запорожье в начале 90-х годов. Чем там все кончилось я не знаю. Сейчас это для меня другое государство.
А с другой стороны, я представляю себе, где можно взять денег (500...750 кРуб) под это дело, причем без возврата.

Таких подвигов никто не требует. Мы же здесь просто общаемся ...

Дело в том, что "шустрые" транзисторы на 1200 Вольт в обозримом будущем вряд ли появятся, а нужны они именно сейчас. Кроме этого - есть одно но, чем "шустрее" транзистор, тем больше у него напряжение Uce в открытом состоянии, а так же стоимость. Отсюда постоянная возня с резонансными преобразователями на сравнительно медленных IGBT и прочий гемор со снабберами.

Опять же Вы правы, но не очень. Беда в том, что один, даже самый маленький сбой в подобной высоковольтной системе однозначно приводит к полному краху последней. Опять же из-за высоких напряжений и больших токов, которые ни в коем случае не должны "появляться" вместе. Применение дополнительного управляемого элемента - верный путь к такого рода вещам. Заметьте, все синхронные мосты и выпрямители расчитаны на работу при низких напряжениях.

Тут вся зацепка в том, чтобы использовать дешёвый медленный IGBT + дешёвый медленный диод.
Это очень красиво, технически и экономически выгодно.
В любом случае выгодно.
Да, это именно другой путь...


Рассматриваем такую возможность
Вобщем-то, использовал даже.
Только область применения маленька получается.
Чем выше напряжения, тем хуже со всеми параметрами.
Вобщем, MOSFET сдерживает. Сопротивление возрастает, эффект смазывается.
Параллелить - дороже, к тому же, ёмкости больше.
В любом случае, при применении MOSFET выходная ёмкость возрастает в разы.
А это увеличивает потери на включение.
Стоимость тоже возрастает.
В целом, мы выигрываем при выключении, проигрываем при включении и увеличиваем стоимость.
Такие дела имеет смысл юзать в ZVS схемах, когда делается ставка на КПД.
Потери на включение уменьшаются почти до нуля, а выключаться такой гибрид начинает реально быстрее.
А вот медленный диод - это просто здорово.
Очень дёшево, малая выходная ёмкость, и не требуется усложнять драйвер.
Только, не получается пока

Да. Вот ещё что...
Можно поставить два MOSFETа последовательно вместо одного более высоковольтного. При этом по сопротивлению канала выигрываем примерно в те же 2 раза, выходная ёмкость тоже уменьшается в два раза, но появляется ещё один летающий в воздухе драйвер.
Такие вот экстенсивные пути развития имеются на сегодня
Хотелось бы качественного скачка...


Совершенно непонятна Ваша нелюбовь к резонансным схемам.
За ними будущее.


На маленькие напряжения они рассчитаны из-за того, что именно в этих случаях имеет смысл применять MOSFETы.

Да, только из-за "неподборных" диодов я предпочел сделать горизонтальные связи и цепочка уравнивающих резисторов только одна


"""""Смотря у кого что есть под рукой. Ск. стоит диод такого класса, а полевик. Думаю цены одинаковы""""

В полевике диод неахти какой, одно слово body или паразитный.

В ремонтную бытность в телеках практиковал замену демпферного диода или верхнего диода модулятора (или транзистора вых. СР со встроенным диодом) на пару бездиодных транзисторов. У "диодного" замыкал базу с эмиттером и включал его диодом. Обычный транзистор СР стоит 1 бякс. А демпферный диод иногда поискать надо

Значит, вот так?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

А такую идею рассматривали? Диод в снаббере ставим медленный и последовательно с ним дроссель с насыщающимся сердечником, ограничивая реверс рековери ток диода и заодно ток в конденсаторе RCD.



без вторички и без "зенера"

П.С. Мнение уважаемого Прохожий, что свежеразработанный элемент - "супердиод" будет на пользу здоровью сильноточных и высоковольтных схем заказчика позволю себе оспорить - Вы готовы, как разработчик, его поведение предсказать с точки зрения долговечности, например? Ну там примеси мигрируют от температуры и прочее...
Думать, что полупроводник вечен - наивно. Проверено не раз на СВЧ транзисторах передатчиков.



Да, только нижнее RC в RCD к плюсу. Короче, демпфер/снаббер включен между первичкой. На Вашей схеме диод К-А включен верно? А то ток через демпфер текёт, получается, при закрытом ключе

О, как интересно продолжился разговор....
А в самом деле, те, кто имел дело с медленными диодами в снабберах и кламперах (личо я только в кламперах) - часто представляли себе нечто более приспособленное для этой цели.
Например, нечто такое, что могло бы практически "имитировать" несколько сложноватый в реализации, но привлекательный из-за простой идеи актив кламп.




Такое начало обнадеживает...




Вообще-то такой диод более напоминает активный элемент (и если он возможен, то , вероятно, смог бы даже что-то регулировать подобно MAGAMP-s (магнитным усилителям)). Опять же, сходство физики несколько обнадеживает... Есть шанс получить задержку напряжения вдобавок к уже имеющейся задержке тока... Очень занятно...

Но вот кто его знает, или это возможно - хотя бы и по организационным соображениям... И сколько это станет стоить при НЕмиллиардном выпуске... Единственно, что можно было бы (при возможности чисто технической) - сделать на базе уже имеющегося в выпуске элемента...




К тому же схемотехнику к этому даже неизвестно с какой стороны подступиться....




и то и то надо. Закрыться побыстрее, но напряжением по воздуху с бешенной скоростью не шваркать, помех не гнать.... Хотя именно для этого применения - не знаю, не пробовал. Скорее всего, стал бы экспериментировать с нон-диссипативными снабберами (собственно, уже...)
А актив кламп мог бы благодаря подобному недорогому прибору стать более массовым...
Если, особенно, получился бы резкий переход из насыщенного состояния в закрытое....


PS а вообще-то IMHO играть надо теми картами , что сданы....
точнее, придется играть теми, что сданы






Усложняется и удорожается схема... Чего-то параметрическое всегда более забавно, потому что проще и изящнее... И потенциально надежнее...