Цитата(orthodox @ Nov 13 2009, 18:51) 
Вот у меня вопрос ...
А вы в модельке поглядите.
Полная версия этой страницы: Снаббер на медленном диоде
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Силовая Электроника - Power Electronics > Силовая Преобразовательная Техника
А вы в модельке поглядите.
Цитата(orthodox @ Nov 13 2009, 14:51)
А если просто прекратить ток через него,
через какое время тогда можно давать обратное напряжение без броска тока?
через какое время тогда можно давать обратное напряжение без броска тока?
В даташите не пробовал смотреть?
Цитата(Visor @ Nov 13 2009, 14:03)
А вы в модельке поглядите.
Едва ли она вполне адекватна...
Цитата(pokos @ Nov 13 2009, 14:11)
В даташите не пробовал смотреть?
Что-то не получилось...
Цитата(orthodox @ Nov 13 2009, 15:20)
Что-то не получилось...
Ну, тогда сымать самому напрямки. Ибо, зависимость дифференциального сопротивления от тока из даташита обычно ещё можно получить, а вот зависимость диффузионной ёмкости - практически никогда.
Цитата(pokos @ Nov 13 2009, 16:12)
Ну, тогда сымать самому напрямки. Ибо, зависимость дифференциального сопротивления от тока из даташита обычно ещё можно получить, а вот зависимость диффузионной ёмкости - практически никогда.
По поводу PFC и прочих наворотов.
Небольшое сообщение.
Исследовал как-то зарядное устройство 24 В 50 А. Внутри PFC, резонанс. Импортное - венгерское.
Так вот. Когда ему в пятый раз поменяли транзисторы выходного преобразователя и в четвертый раз транзисторы PFC, обслуживающий персонал выкинул его на х..ранение.
На этом месте в настоящий момент работает косой полумост без всяких PFC с Hard коммутацией.
Вывод. Резонанс и PFC - баловство.
В реале не работает. Долго...
Посему, все попытки обойти Hard-коммутацию с помощью резонансов, предлагаемого моста с током и прочей ерундой в реальности ни к чему хорошему не приводят.
В конце концов, при небольшом сбое, хилые транзисторы, рассчитанные на коммутацию в облегченных режимах, просто наворачиваются.
А поскольку в связи с наворотами в виде катушек и конденсаторов резонансники еще и неремонтопригодны, то...
И последнее, суммарные потери в резонансниках все равно не меньше, чем в девайсах с Hard коммутацией.
Так что предлагаю все-таки обсудить "умные снабберы", а не ерунду в виде резонансников.
Для них - другая ветка.
Цитата(Прохожий @ Nov 13 2009, 18:00)
Так что предлагаю все-таки обсудить "умные снабберы", а не ерунду в виде резонансников.
Для них - другая ветка.
Для них - другая ветка.
В общем, со всем сказанным согласен.
Но, может и по умным снабберам (удачный термин, есть идея под это название) отдельно ветку открыть?
Обещает быть обширной по прикидкам, так чтоб не путать с текущей темой...
Цитата(orthodox @ Nov 13 2009, 19:20)
Едва ли она вполне адекватна...
Не верите моделям даже от производителя?
Зря вы так о моделировании.
Цитата(Visor @ Nov 14 2009, 06:53)
Не верите моделям даже от производителя?
Зря вы так о моделировании.
Зря вы так о моделировании.
В этой части едва ли кто добивался адекватности.
Это делается обычно для известных измерений, тех что в даташите.
ps Из интереса попробуйте в Микрокапе поиграть параметрами ферритовых сердечников, получите много удовольствия.
Цитата(Прохожий @ Nov 13 2009, 19:00)
Так что предлагаю все-таки обсудить "умные снабберы", а не ерунду в виде резонансников.
Для них - другая ветка.
Для них - другая ветка.
Когда деревья были большими... а кроме 2Т809 ничего на сеть не было поставить,
которые к тому же имели ОБР порядка 20ма при 400 вольтах,
делали косой мост на них с умными снабберами из диодов Д245,
такие дубовые низкочастотные диоды, с хорошей задержкой по выключению.
Показали себя очень замечательно- фронты на выключении были меньше 100 нс.
Тогда это вообще было пестней.
Ну естественно перед этим мешок транзисторов нажгли выбирая из
обычных схем снабберов.
Насколько помню- питались они через трансформатор тока 1:6, при этом обеспечивали
нужную задержку. Диоды тогда перепробовали все что были под рукой,
остальным надо было давать больше ток для получения нужной задержки,
а это нехорошо- это доп нагрузка на ключ.
Я думаю и из современных диодов можно что то похожее подобрать.
Цитата(orthodox @ Nov 14 2009, 12:19)
попробуйте в Микрокапе поиграть параметрами ферритовых сердечников
Это отдельная тема, но тоже возможно приблизиться к реальности.
Полупроводники же весьма неплохо моделируются (при корректной модели).
Цитата(лосев @ Nov 14 2009, 07:40)
Насколько помню- питались они через трансформатор тока 1:6, при этом обеспечивали
нужную задержку. Диоды тогда перепробовали все что были под рукой,
остальным надо было давать больше ток для получения нужной задержки,
а это нехорошо- это доп нагрузка на ключ.
Я думаю и из современных диодов можно что то похожее подобрать.
нужную задержку. Диоды тогда перепробовали все что были под рукой,
остальным надо было давать больше ток для получения нужной задержки,
а это нехорошо- это доп нагрузка на ключ.
Я думаю и из современных диодов можно что то похожее подобрать.
Это очень интересная тема... А помните ли какие-то еще подробности?
Я правильно понял, что накачав в диод 1/6 тока от коммутируемого, получали задержку включения?
Из даташитов на современные быстрые диоды можно понять, что у них это отношение стремится к 1.
Хотя тоже превышает...
И как было с рассеиваемой в диоде мощностью? Можно, вероятно, было считать это жесткой коммутацией для диода?
Цитата(Visor @ Nov 14 2009, 13:36)
Это отдельная тема, но тоже возможно приблизиться к реальности.
Методом научного тыка? Делал, куда деваться. Но согласитесь, это некорректно.
Цитата
Полупроводники же весьма неплохо моделируются (при корректной модели).
Именно накачка прямым током и последующее рассасывание?
Параметром ТТ? Боюсь, не совсем то...
Цитата(orthodox @ Nov 14 2009, 16:59)
И как было с рассеиваемой в диоде мощностью? Можно, вероятно, было считать это жесткой коммутацией для диода?
Даже не знаю как сказать чтобы понятнее было.
Есть на Скифе такой распальцованный дедиван, но как он на пальцах объясняет
физику- это шедевр.
Как раз в тему к умным снабберам-
Цитата
На пальцах- есть два слоя полупроводника в исходном состоянии изоляторы.
При прикладывании прямого напряжения в точке их контакта- переходе
рождаются пары електроны-дырки, они движутся в разные стороны,
насыщают основное тело полупроводника и превращают его в проводник,
на это нужно время. Емкость тут ни при чем, нужно родить и развести
по толщине диода максимальное количество носителей.
То есть правильно называть такие диоды надо с накоплением носителей зарядов ДННЗ.
А вот процесс выключения выглядит как аннигиляция- дырки движутся
навстречу электронам и в какой то момент они все пропадают, очень резко.
Вот в этом и фокус.
Ток резко прерывается, и если в цепи есть индуктивность, возникает
ЭДС самоиндукции теоретически бесконечная.
В других приборах нужно или развернуть поток электронов или вытеснить их
из канала проводимости- это все занимает время и происходит медленнее.
И ЭДС самоиндукции действует всегда против наших усилий.
Соответственно и скорость изменения ЭДС меньше.
Ну а все тонкости таких генераторов импульсов на ДННЗ заключаются в том,
что скорости движения дырок и электронов разные, и что бы они встретились
в нужном месте подбирают это отношение токов накачки и закрывания.
При прикладывании прямого напряжения в точке их контакта- переходе
рождаются пары електроны-дырки, они движутся в разные стороны,
насыщают основное тело полупроводника и превращают его в проводник,
на это нужно время. Емкость тут ни при чем, нужно родить и развести
по толщине диода максимальное количество носителей.
То есть правильно называть такие диоды надо с накоплением носителей зарядов ДННЗ.
А вот процесс выключения выглядит как аннигиляция- дырки движутся
навстречу электронам и в какой то момент они все пропадают, очень резко.
Вот в этом и фокус.
Ток резко прерывается, и если в цепи есть индуктивность, возникает
ЭДС самоиндукции теоретически бесконечная.
В других приборах нужно или развернуть поток электронов или вытеснить их
из канала проводимости- это все занимает время и происходит медленнее.
И ЭДС самоиндукции действует всегда против наших усилий.
Соответственно и скорость изменения ЭДС меньше.
Ну а все тонкости таких генераторов импульсов на ДННЗ заключаются в том,
что скорости движения дырок и электронов разные, и что бы они встретились
в нужном месте подбирают это отношение токов накачки и закрывания.
То есть я так понимаю что физика тока в этом случае несколько другая.
Если мы из канала полевика действительно вытесняем электроны проводимости,
а эдс самоиндукции нагрузки действительно нам противодействует,
то тут мы и получаем выделение энергии- потери на переключение.
В диоде ННЗ вроде как их не должно быть получается.
Вот такая ересь. Каюсь, грешен прошу сильно не бить.
Это не я придумал.
Скорости носителей в п/п зависят от типа и концентрации примесей, что то так
из школы помню, а этих данных в ДШ нет, поэтому способ тупого перебора остается.
Цитата(лосев @ Nov 15 2009, 04:35)
То есть я так понимаю что физика тока в этом случае несколько другая.
Если мы из канала полевика действительно вытесняем электроны проводимости,
а эдс самоиндукции нагрузки действительно нам противодействует,
то тут мы и получаем выделение энергии- потери на переключение.
В диоде ННЗ вроде как их не должно быть получается.
Вот такая ересь. Каюсь, грешен прошу сильно не бить.
Это не я придумал.
Скорости носителей в п/п зависят от типа и концентрации примесей, что то так
из школы помню, а этих данных в ДШ нет, поэтому способ тупого перебора остается.
Если мы из канала полевика действительно вытесняем электроны проводимости,
а эдс самоиндукции нагрузки действительно нам противодействует,
то тут мы и получаем выделение энергии- потери на переключение.
В диоде ННЗ вроде как их не должно быть получается.
Вот такая ересь. Каюсь, грешен прошу сильно не бить.
Это не я придумал.
Скорости носителей в п/п зависят от типа и концентрации примесей, что то так
из школы помню, а этих данных в ДШ нет, поэтому способ тупого перебора остается.
Ну, понятно все. Короче, просто перекрываем хвост IGBT по времени, а в конце крутой фронт вместо затянутого.
Поскольку крутые фронта нам тоже не особенно нужны - вешаем еще и обычный снаббер, нон-диссипативный например.
Ну и получаем б́ольшее отношение времени работы снаббера к периоду тактовой, что иногда удобно.
Ну, кто его знает. Я вроде отработал на нон-диссипативный оба фронта, у инвертора 50 гц.
Просто тупо на емкостях и индуктивностях.
Даже, кажется, решается проблема затягивания срабатывания при малых нагрузках..
Пора пробовать... А еще есть WARP IGBT, так ими хоть втупую щелкай, нормально все и так - не хуже мосфетов...
Но мы легких путей не ищем
Цитата(orthodox @ Nov 17 2009, 02:38)
Но мы легких путей не ищем
ЭТточно.
Чего вспомнилось- элементы пельтье очень похоже работают-
электроны проходят переход в одну сторону-нагревают
а другую сторону охлаждают.
Но там разнесенные переходы.
А здесь один и тотже переход и электроны его туда-сюда проходят.
Тоже должно быть охлаждение.
Опять же если глянуть на графики времени рассасывания из дш
есть такой момент - напряжение прямое а ток в обратную сторону.
По математике- мощность отрицательная. Совпадение?
Пора наверное делать сварочные инверторы без радиаторов?
С умными охлаждающими снабберами.
Цитата
По математике- мощность отрицательная. Совпадение?
мощность отрицательная , но не активная , в начальный момент рассасывания больше напоминает конденсатор, с неплохим тангенсом, затем с потерей заряда тангенс ухудшается и ухудшается, и заряд все еще не выбран а напруга уже поменялась на обратную а тангенс уже ваапще г.
Цитата(тау @ Nov 17 2009, 12:21)
мощность отрицательная , но не активная ,
А в чем отличие от Пельтье?
И это из опыта или чисто теория?
Я вот уже раскачку паяю на 100 ампер для насыщения и температурку хочу
померять у диода с медленным и быстрым выключением.
Какой холоднее будет?
Цитата(лосев @ Nov 17 2009, 14:13)
А в чем отличие от Пельтье?
не разделены геометрически холодные и горячие области контакта . кристалл сам по себе греется интегрально , как и элемент Пельтье при пропускании тока
Цитата
И это из опыта или чисто теория?
Я вот уже раскачку паяю на 100 ампер для насыщения и температурку хочу
померять у диода с медленным и быстрым выключением.
Какой холоднее будет?
Я вот уже раскачку паяю на 100 ампер для насыщения и температурку хочу
померять у диода с медленным и быстрым выключением.
Какой холоднее будет?
да возился как-то , улучшал потери на рассасывании элементарным шунтированием емкостями со стабильным тангенсом.
Холоднее будет быстрый , но не из-за Пельтье эффекта
Цитата(тау @ Nov 17 2009, 14:42)
да возился как-то ,
Ну это наверное в схеме реального выпрямителя.
А я хочу подать очень маленькое обратное напряжение , рассасывание
еще затянется и вот тут глянем.
То есть растянуть насколько возможно процесс обратного движения
электронов через переход при минимальном поле.
Чтобы близко к пельтье было.
Цитата(лосев @ Nov 17 2009, 15:32)
То есть растянуть насколько возможно процесс обратного движения
электронов через переход при минимальном поле.
электронов через переход при минимальном поле.
Нету там никакого движения электронов через переход, а есть рекомбинация неосновных носителей. В диоде бишь.
Цитата(pokos @ Nov 17 2009, 15:47)
Нету там никакого движения электронов через переход, а есть рекомбинация неосновных носителей. В диоде бишь.
есть область рекомбинации ненулевых размеров , где нерекомбинировавшиеся до поры до времени носители будут идти по "шерсти" поля p-n перехода, забирая у него энергию и охлаждая в этом крохотном месте (и нагревая в других).
Цитата
А я хочу подать очень маленькое обратное напряжение , рассасывание
еще затянется и вот тут глянем.
То есть растянуть насколько возможно процесс обратного движения
электронов через переход при минимальном поле.
рассосутся конечно с очень небольшим нагревом, имхо. Предполагаю что нагрев из-за падения на прямом токе будет больше чем динамические потери и холоднее окажется диод с меньшим прямым напряжением.
еще затянется и вот тут глянем.
То есть растянуть насколько возможно процесс обратного движения
электронов через переход при минимальном поле.
Цитата(pokos @ Nov 17 2009, 15:47)
, а есть рекомбинация неосновных носителей.
Можно и так обозвать, но это два процесса- рождение и рекомбинация носителей,
если один идет с выделением энергии, другой обязан идти с поглощением.
Цитата(лосев @ Nov 17 2009, 16:40)
Можно и так обозвать, но это два процесса- рождение и рекомбинация носителей,
если один идет с выделением энергии, другой обязан идти с поглощением.
если один идет с выделением энергии, другой обязан идти с поглощением.
Ну, учёные именно так и называют, а им виднее. К вопросу об энергии, так она выделяется при рекомбинации.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.