Пытаюсь сделать прецизионный источник тока (поставили такую задачу).
Не столько точный, сколько стабильный - ток должен меняться при изменении нагрузки в 10 раз, не более чем на 0.01%, причем ток переменный, 100кгц.
Такое вообще возможно?
Нагрузка 0.5-5к, ток - 2мА. (эфф), т.е. все в диапазоне питания обычного ОУ.
Все что я моделировал, обеспечивает в лучшем случае стабильность в 50 раз хуже

Схема на ОУ и полевом транзисторе не годится разве? Только опер надо брать довольно шустрый, с частотой единичного усиления мегагерц в 40-50 минимум.
При необходимости, на выходе можно применить каскод (тоже на ПТ).

Выходные емкости, емкости монтажа могут помешать такой точности на такой частоте... Подумать надо...


Може помочь, но может этого и не хватить...

При заданных автором требованиях динамический импеданс ИТ должен быть не менее 450 кОм. Если считать, что составляющая импеданса чисто емкостная (паразитные емкости монтажа, в частности) то эта емкость должна быть не более 3,5 пФ. Весьма трудно реализуемо, и, разумеется, о работе на кабель говорить не приходится.

Нет, точность не получаеся. А полевик зачем?



Частоту говорят, можно вдвое скинуть, до 50кгц.

Ну все улучшится в два раза...7 пФ- это тоже очень мало.

Что значит "может не хватить"? Обоснуйте, пожалуйста.

Почему трудно реализуемо? Очень даже реализуемо, даже при работе на кабель.
Последовательно с ИТ нужно просто поставить дроссель.
Впрочем, и без него можно обойтись. При токе 2 мА такую выходную ёмкость собственно ИТ обеспечить несложно. Дальше - вопрос конструктива.

Вот о конструктиве и разговор. Дроссель тоже можно поставить, но куда девать его межвитковую емкость? Я не говорю, что сделать нельзя, я хочу сказать- не просто.

Это через почему не получается? Давайте нарисуем схему и разберём.
Кроме того, речь шла не о точности, а о стабильности, если я правильно понял (см. пост №1).
Для схемы ОУ+БТ имеет место влияние на выходной ток изменение тока базы выходного транзистора. Для ПТ, особенно с изолированным затвором, такого влияния нет.

Ну, зачем же сразу так пессиместично.
Скидывать будете потом, когда сделаете на 100 кГц. Для вящей надёжности.

Сделать его так, чтобы межвитковая ёмкость была меньше. .
А я и не говорю, что это просто... Простых изделий не бывает, бывают только плохие и хорошие. Впрочем, я писал уже об этом.

Для 100 кГц дроссель с индуктивным сопротивлением более 450 кОм должени иметь индуктивность 0,716 Гн. Как получить реально у такой катушки межвитковую емкость 3 пФ? Вопрос...

Да, тут я маху дал, каюсь. Такую хреновину городить смысла нет, конечно.

ЗЫ. Вообще-то, выходная ёмкость ИТ может быть и не слишком важна. Важна только ёмкость цепи ООС, если датчик тока включен последовательно с нагрузкой. А её можно сделать очень малой.

Это я понимаю, но 2ма почти любой ОУ может обеспечить и без транзистора (неважно полевого или биполярного) на выходе.
Т.е. я имел ввиду не "зачем полевик", а "зачем вообще транзистор" ?

Если существует паразитная емкость параллельно нагрузке, то её влияние на вых. импеданс убить невозможно. Если только скомпенсировать заранее известную величину. Отсюда просматривается след. путь: схему нужно делать так, чтобы минимизировать емкость, параллельную нагрузке.

И всё-таки есть "индуктивный" путь.
Смысл его состоит в том, чтобы сделать выходное сопротивление ИТ чисто индуктивным, и равным по модулю ёмкостному сопротивлению паразитной цепи на рабочей частоте.
То есть, образовать параллельный колебательный контур с частотой резонанса, равной рабочей частоте, убив влияние ёмкости напрочь. Ну, или ослабив его во много раз, во всяком случае.
Настоящую индуктивность делать вовсе не нужно. Аналог индуктивности можно сделать и на ОУ. Правда, без подстройки в данном случае обойтись не получится.

Выходное сопротивление вообще-то здесь для 0.01% (5к х 2мА)/(2мА х 0.01%)= 50 МОм, без полевика не обойтись