Всем добрый день!

Встретились с проблемой: devise при запуске через Х-терминал (пробовали XWin 9.1 и Exceed 3D) выдает ошибку

HOOPS STACK -- Compute_Coordinates
HOOPS STACK -- Compute_Transform
HOOPS Error -- The device for '/driver/opengl/:0.0+0/scene' doesn't seem to be alive

При движении мышью на окне devise в терминале выдается это сообщение, все висит.
При запуске локально все работает. Операционная система - RedHat Ent 4

Кто-нибудь сталкивался с подобной проблемой, как решить?

Спасибо.

Да сталкивался - пропиши в .Bashrc (свой файл в home директории) export HOOPS_PICTURE=<твой IP>:0.0

- то же самое как переменная DISPLAY - если есть вопросы пиши еще в эту ветку отвечу поподробнее

Планирую установить ISE TCAD 10 под Linux-ом. Опыт работы с данной ОС отсутствует полностью. Порекомендуйте, кто уже работает на такой платформе, какой дистрибутив Linux наиболее оптимален и где его можно скачать? .... Можно ли установить ISE TCAD на винт или флешку с ОС Knoppix (версию не помню). Заранее, спасибо.

Официально поддерживается Red Hat Enterprise 3. Но это коммерческий дистрибутив и совсем не новый.
А так можно ставить практически на любой линукс, например, openSuse http://ru.opensuse.org
Насчет флешки не знаю, не задавался таким вопросом. Непонятно зачем, типа мой TCAD всегда со мной

Вопрос про TCAD на флешке скорее любопытство. Вдруг кто-нибудь пробовал) Так сказать технический аспект совместимости Knoppix и TCAD на флешке
Вы сказали, что практически любой линукс сгодится, нашел у знакомого Fedora Core2. Именно этот дистрибутив и попробую. Надеюсь, проблем не будет.
Есть вопросы по возможностям и использованию ISE TCAD. Фактически, кремниевая технология БИС и СБИС интересует мало, так сказать чисто научный и теоретический интерес. Фактический круг интересов имеющий возможность практического подтверждения это материалы A3B5. В первую очередь GaAs, InP и гетероструктуры на их основе. Приборная реализация - транзисторы и малошумящие усилители СВЧ. Как мне представляется на данный момент данные материалы поддерживаются на уровне построения профиля структуры активного элемента, топологии и дальнейшего расчета статических, динамических и СВЧ характеристик прибора с дальнейшей возможностью экстракции параметров модели активного элемента, по крайней мере SPICE. В связи с этим есть следующие вопросы:
1) Возможен ли импорт/экспорт топологии в GDS формате. Интересует возможность использования в TCAD-е слоевых прорисовок, созданных в Microwave Office. Понимаю, что вопрос специфический, но вдруг сталкивались с чем-то подобным.
2) Возможно ли использование средств Ligament и Dios применительно к технологиям MESFET и pHEMT? Как частные случаи, ионное легирования в GaAs - построение профилей распределения примесей, описание эпитаксиального роста при формировании гетероструктур, анизотропия жидкостного и сухого травления арсенида галлия и других A3B5. Напрямую, указания на такую возможность я ни в одном источнике не нашел ((( Может быть есть иная возможность.... например, через пользовательские библиотеки? (хотя даже на вскидку их создание представляется практически неподъемной задачей).
3) расчет S параметров устройства возможен. в какой частотной полосе?
4) можно ли моделировать такой параметр как минимальный коэффициент шума транзистора (NFmin)? Фактически, меняем топологию и слоевую конфигурацию - смотрим как изменяются шумы?
5) с какими моделями транзистора (линейными, нелинейными) можно работать в TCAD-е? Интересует применительно к экстракции параметров этих моделей по результата моделирования. С точки зрения интеграции с СВЧ CAD-ами интересуют модели TOM, FETN, Materka, Angelov.
6) поддерживается ли в ISE TCAD расчет тепловых полей для приборов, реализованных на материалах A3B5? Все тот же GaAs или GaN.
7) и вроде бы из насущно интересующего последний вопрос. Если все, что написал в ISE TCAD не реализуемо и не поддерживается, то есть ли другие CAD-ы или отдельные программы, решающие какие-либо частные задачи?
Заранее спасибо за любую полезную информацию.

Импорт файлов из GDSII поддерживается (насчет поддержки иерархии не уверен).
Насчет СВЧ опыта не имею, я с КМОП работаю. Но судя по описанию A3B5 поддерживается, в том числе и при моделировании электрики. Экстракция транзисторов - BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, BJT Gummel–Poon.

спасибо за ответ. попробую, что получится. будут вопросы, напишу))). отпишусь и о любых результатах. правда, думаю, что быстро не получится. указанные модели - в значительной степени физические, даже если попробовать приспособить их к GaAs pHEMT - ,будет круто!!! ))) что получится - сообщу! ... боюсь, что при настройке могут возникнуть вопросы, буду спрашивать, если что. С уважением, Strelok!!! до связи)))

C 10-ой версией не вышло. В состав дистрибутива входят три диска. у меня только CD1. Буду пробовать с 7-ой. В связи с этим вопрос. Можно ли описать топологию транзистора и профиль структуры без описания технологии и используя dessis расчитать СВЧ параметры? Исходный материал - арсенид галлия. И вобще СВЧ-электронщики или ростовики пользуются TCAD-ом?)

Можно описать профиль транзистора и без моделирования технологии - в MDRAW (2D) или в MESH (3D).

Описание в Mdraw это хорошо. Но мне еще очень важна топология транзистора, поскольку она существенным образом может повлиять на параметры прибора. Единичная ширина затвора, гребенка или просто Т-образная структура затвора. Ширина пальца стока и истока, размеры контактных площадок и т.д. Все эти геометрические характеристики по совокупности могут существенно повлиять на параметры прибора на высоких частотах (более 18 ГГц).

Для мощных приборов это еще важнее.

Если можно описать топологию и структуру, то это оченьхорошо. как мэш моделирует 3D ? профиль поняино, а что такое, то есть как задается третье измерение?

Как и везде - координатами.

+ Эт понятно, что координатами) я имел в виду, что отобразив в MDRAW структуру транзистора, как задать ширину затвора? а если можно, то вобще привязаться к конкретной топологии? В этой же теме описано, как это делается в лигаменте: топология по слоям, затем сечение, описание техпроцесса и дальнейшее моделирование в дессисе. а вот как поступить без техпроцесса? (речь идет о моделировании GaAs FET)

Здравствуйте, уважаемые участники форума!

Не ответит ли кто-нибудь на следующие мои вопросы:
1) Можно ли в Диосе проводить двустороннее легирование (например, и сверху, и снизу)? И как это запрограммировать в lig.com?
2) Допустим, я в Mdraw подготовил описания нескольких приборов. Например, два-три диода которые почти полностью идентичны (вплоть до профилей легирования), но отличаются по толщине кремния (в Mdraw это прямоугольнички с разными длинами, но одинаковой шириной). Можно ли в Genesis-е сделать поток, который автоматизировал бы процесс расчета ВАХ всех сразу этих диодов и как это сделать? С чего нужно начать поток (с Mdraw или Dessis) и куда лепить параметры (и, кстати, какие)?

Опыта работы никакого. Изучаю Tcad 7.

Взялся за освоение ISE TCAD 7.0 с нуля. Первую задачу для себя выбрал построение семейства ВАХ для полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия (ПТШ). В качестве основы выбрал пример Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_Id-Vd . Описал в MDRAW cтруктуру ПТШ с указанием контактов, задал профили легирования и сетку. Немного изменил командный файл des.cmd , отключив лишнее, то же самое проделал с ins.cmd. Проект выполняется без ошибок, но вот отоброжаемое в inspect семейство ВАХ, я понять не могу. Меню полярность на затворе (из любопытства) тоже не то. Проект прилагаю. Кто разбирается, посмотрите, пжлста. Где я ошибаюсь? У самого глаза уже замылены и ошибки не вижу (((

В DIOS нет возможности сделать имплантацию с обратной стороны.
Беда небольшая, моделируется верхняя часть, а потом в .CMD добавляются аналитические профили, структура еще раз прогоняется через MESH и можно считать в DESSIS