Собирался делать импульсник мощностью 2Квт - phase sift bridge частота преобразования 100Кгц, и особо незадумываясь в качестве ключей выбрал MOSFET'ы IRFP22N50, даже не думая что на таких частотах могут работать IGBT.. Залез на www.irf.com фактически случайно залез в IGBT и обнаружил IRGP35B60- Trise=8нс Tfall=12нс, в ИИП очень хочется добиться ZVS, теперь склоняюсь к этим транзисторам, хотел бы услышать мнения в пользу MOSFEET'ов или IGBT

А напряжения какие?

На входе 320В на выходе 42В

урезал бы осетра раза в 2.
50 кгц в самый раз.

Транзисторы по бумажке хорошие, думаю скоро пощупаю их (просто они в наличии есть на складе моей конторы) и еще HGTG7N60A4D в инверторе 400в - 3квт с ZVS во всем диапазоне нагрузок. но частота не выше 40 кгц у меня будет.
правда не раньше 09 года займусь. начал было делать этот инвертор- но начальство переключило на более срочную работу.

PS про td(on) и td(off) не забывай ага.

Про частоту это конечно надо подумать.. Тоесть окончательно определюсь только после сборки макета: не хочется много обмотки мотать и черезчур увеличивать размер транса .Очень хочется из ETD59 выдавить такую мощность, но если нет - то Е70 уже лежит на полке и ждет своего часа , но с другой стороны скин, потери в феррите, потери в ключах.. Такчто истину буду определять экспериментально Что касаемо ZVS- меня вполне устроит от 50 до 100% нагрузки. Времена задержки у этих транзисторов не маленькие, но всеже timedelay здесь выручит. Кстати не подскадите какую ИС контроллера хотели использовать? - у меня в наличае только UC3875, собственно на ней и строю макет

UC2895

У меня один инвертор на ней Uвх 400-720в Uвых 28в 125А 20кГц уже год как в производстве.
на IRG4PH40UD Силовой транс двойной epcos E65N87

UC2895 микруха шикарная.

скоро надо сделать такой же но на Uвх 380- 400В..

А 3875 не пробовали?
Если не секрет ZVS обеспечивали за счет индуктивности последовательно с первичкой силового транса?
Что касается транзисторов- заказал на пробу IRGP20B60 20шт и IR2121 к ним, посмотрю что с этого выйдет

Сообщение отредактировал frz - Dec 1 2008, 03:44

Гдето в апликухах когда встречал анализ по потерям , проводили сравнение MOSFEET'ов и IGBT. Получилось, что до 1кВт наименьшие потери на MOSFEETе, а далее IGBT.

3875 не пробовал.

Да. последовательно в силовой диагонали дроссель.

было бы хорошо услышать отзыв о 20В60...

Вместе с phase sift bridge должен хорошо работать последовательный резонанс в первичке, то есть индуктивность и емкость последовательно (явная емкость, а не емкость обмотки).
Потому что выключение для IGBT - основная проблема, включение можно по-разному разгрузить - легче.
Тогда и частота легче поднимается, и выпрямлять выход проще (диоды медленнее можно), и трансформатор меньше греется - высшие гармоники фильтруются еще до него.
Но там свои проблемы - силовые емкости, довольно высокое напряжение в резонансе (утешение, что сам можешь выбрать добротность) - ну, специфика, одним словом.
Но если все решить по-людски и не лениться считать и моделировать, довольно красиво выходит.
Иногда дросселем может работать индуктивность рассеяния.

И как раз для IGBT это построение естественно - в том числе и потому, что им более пох непрямоугольность тока - рассеиваемая в статике мощность не так растет как у мосфетов.

Добрый день!
IRFP22N50 больно уж старые транзисторы, можно что нибуть по современней, например INFINEON или понизив частоту применить IGBT.

А посмотрите FREDFET транзисторы. Там у некоторых вроде очень низкие потери на частотах переключения поболе 20kHz. Может подойдет.

смело можете ставить IRGP35B60 на 100кГц, проблемы могут появится если захотите изолировать их от радиатора через всякие тряпки-прокладки типа номакон, или другое "чудо" техники

Вновь приступаю к разработке БП, месяц делал другую железку седня наконец всё получилось , теперь осталось найти куда заныкал детальки
А о каких именно проблемах вы говорите?

Дело в том что на таких высоких частотах значительная часть потерь припадает на динамические потери(потери включения-выключения), при таких мощностях в момент выключения потери в импульсе могут достигать 10кВт, хотя длительность их сравнительно небольшая, в районе 50-120нс , но все же кристалу становится нелегко, нужно чем побыстрее обирать это тепловыделение, прокладки же ухудшают теплопроводимость и увеличивают инерционность отбора тепла поэтому транзюк вскоре не выдержит.
Если же вам так важно использовать прокладки, можна припаять корпус тразюка сплавом розе к медной пластине толщиной не менее 2-3мм и площадью основания в несколько раз больше площади транзистора (чем больше, тем лучше), а потом этот "бутерброд" изолировать прокладками с термопастой, нужно обеспечить "идеально" ровную поверхность пластины с обеих сторон, старайтесь наносить чем потоньше слой термопасты, а так же припоя при запайке транзюка к пластине но при этом чтобы не было пустот. Пластинку крепите не менее чем с 4-ох сторон, также изолируя винтики от пластинки .
Значительно уменьшить потери выключения можно с помощью снабберов, что я настоятельно рекомендую сделать.
Вы наверное будете использовать двухтактную схему? Ну меня же эти транзисторы стоят в сварочном инверторе на 100кГц, 3,5кВт со снабберами, но без прокладок, в схеме косого моста.