Главный минус ионисторов в данном случае - большое внутреннее сопротивление (обычно при Vном> 5 В, Rвнутр> 50 Ом, что делает невозможным их применение при токах больше нескольких мА.

Решение данной проблеммы элементарное. Если мы все сразу попросим SIMCOM вернуться к нашей любимой памяти Spansion через диллеров конечно.

Пока ставил SIM508 на spansion, следующие устройства уже на SST, возникает некое волнение.. Использую встроенную схему заряда с Li-on батареей, это должно спасти от проблем со сбоем ПО?

Большое сомнение в том, что SIMCOM прислушается к этому. Переход на SST, видимо, шаг стратегический. Недаром, что перевели всю линейку SIMов, не оставив никакой альтернативы на Spansion. Да и какую часть "выедают" от общего объема производства на постсоветском пространстве, чтобы наши пожелания имели вес? А вот интересно, сколько, на самом деле, мы потребляем?..

>>>>А вот интересно, сколько, на самом деле, мы потребляем?..

Мы поставили за 2007 год 35000 модулей. Всего без разделения по видам.
Это примерно 1.2% производства Симкома. В 2008 планируем выйти минимум на 50000.
Как в России у дистрибьютеров дела - не знаю, но вряд ли меньше поставки....
Альтернатива на Спансион остается, но пока только 300С и нельзя заказать с какой памятью покупаем. Все вроде как идет к полному
переходу на SST.
Чтобы пожелания имели вес разовая партия модулей должна быть не менее 20К и годовая не менее 100К.

Речь не о корректном завершении работы, а о корректном сохранении страницы данных уже отправленной во флешку после достижения границы в 2 с лишним вольта. Насколько я помню, это времена в пределах единиц-десятков мс.
ЗЫ. Кстати, 50мФ это по 3,6В? Если да, то советую пересчитать какая емкость нужна для напряжения 12В и последующего импульсника (КПД 70-80%)...

А вот вопрос. Удалось разобраться, от какого момента нужно считать эти миллисекунды. Т.е. когда ПО модуля начинает сохранять данные во флешку?
- От момента выключения модуля сигналом PWRKEY
- или от момента снижения напряжения на самом модуле ниже зибзического (какого?) порога Power Fail ?
И до какого напряжения ПО модуля еще работоспособно?

Похоже наоборот - модуль туда постоянно что-то закидывает. Весь вопрос - с какого напряжения проц во флешку перестанет кидать. А следующий вопрос - до какого напряжения флешка уже закинутую страницу сможет корректно сохранить.

>>>>Весь вопрос - с какого напряжения проц во флешку перестанет кидать

На этот вопрос ответ есть в даташите - посмотрите когда модуль отключается по минимальному напряжению на аккумуляторе...

Не факт, что при снижении VBAT ниже 3,4В, все процессы в модуле останавливаются (попытка дописать FLASH). То, что модуль перестает работать со своим интерфейсом, еще ни о чем не говорит...

Кстати, прочитав сообщение в соседней теме подумал, а как будет влиять присустствие напряжения на входах модуля при пропадании VBAT?
Может его присутствие останавливает потерю прошивки? Или наоборот, помогает потерять?
У меня уже несколько сотен устройств с SST памятью, постоянно играюсь отключением питания, но все живые. Или наличие 2200 мкФ по питанию играют положительную роль?

Ничего подобного, есть разные ионисторы...
Вот читаем мат часть http://www.compitech.ru/html.cgi/arhiv/02_02/stat_8.htm
Тут другое нужно учесть, модуль может потреблять 2Вт и выключение(разрегистрация в сети) может длиться 8сек. При этом напряжение за эти 8сек возможного выключения, должно просеть не менее чем до 3,4В, получается 4,2В-3,4В=0,8В
Возьмем например этот ионистор B49100B1104Q000 http://www.dialelectrolux.ru/components/ca...ultracap/single он 10фарад но 2,3В значит нужно два и последовательно включить получаем сборку на 5фарад 4,6В
Энергию можно подсчитать С*(U^2)/2
5*(0,8*0,8)/2=1,6Дж или 1,6 Вт*с и все ... и если модуль кушает 2Вт то хватит на 1,6/2=0,8сек и после 0,8сек напряжение на ионисторе станет меньше 3,4В.
Теперь обратная задачка, модуль кушает 2Вт и работать должен 8 сек, при этом напряжение должно меняться с 4,2В...3,4В. Модулю нужно энергии 2Вт*8сек=16Дж и напряжение должно измениться на 0,8В, получается 50фарад!!!
так что... ионисторы то есть но я думаю и их не хватит.

Как я понимаю задачу - нужно обеспечить такую кривую спадания напряжения, чтоб в модуле успел сработать brown-out. Все зависит от того, как часто модуль смотрит на напряжение питания, и как долго потом завершает свои действия с Flash.

Что за детские болезни? Совершенно не понятно причем тут байтами запись и блоками запись...
По всей видимости может быть два варианта событий:
1)Модуль выполняет при включении инициализацию переферии, загружает синтезаторы, таблицы инициализации ну все такое... и настройки он читает из SST и при этом он не выполняет их проверку НА РЕАЛИЗУЕМОСТЬ типа y=a/b , а «b» берёт из памяти SST и не проверяет на ноль (ну это к примеру), при этом у него что то глючит и он не может корректно что то сконфигурировать и в результате он просто виснет на этапе конфигурирования переферии. Лечиться все это проверкой на РЕАЛИЗУЕМОСТЬ при этом если значения не подходят, то происходит восстановление заводских значений (во всех док-тах они отмечены как «default»), заводские значения должны храниться вместе с программой (прошивкой) в отдельном программном сегменте памяти SST, но об этом в пункте 2)
2)Слетает действительно программа (прошивка), но тогда вопрос китайцам ОНИ ЧТО ОПИСАНИЕ НЕ ЧИТАЮТ на память SST? У любой памяти есть защита страниц от записи в том числе и в памяти SST, можно защитить сегмент памяти от случайной записи, защита на уровне страниц. Защита страниц от случайной записи ДЕЛАЕТСЯ ИМЕЕНО ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ стирания особо важной информации, которая не должна часто переписываться (прошивка, калибровка и т.д.), конечно переписать её можно, но только не случайным образом ... для этого нужно сперва снять защиту на ДАННУЮ СТРАНИЦУ, а потом писать её....

Подведем итог...
Стирание настроек в памяти конечно возможно, но при этом все вполне поправимо, так работают абсолютно все, нужно просто проверять сперва эти настройки на реализуемость. Стирание программы (прошивки) это просто корявость использования памяти! И винить пользователей (интеграторов), что вроде как ничего страшного ставьте Li-ion и все будет в порядке ... да это просто издевательство! Ну вопервых и температурный диапазон изделия уже не тот станет много там чего... да и где гарантии что на всем этапе эксплуатации модуля не возникнет проблемная ситуация с зависанием?....
Одним словом китайцам нужно решить эти проблемы иначе применять их модули будут все меньше и меньше...

Читаем релизнотес для прошивок в таблице исправлений.

Для SIM300D пункт 21

Для SIM300 пункт 15

Ну и остальные исправления тоже......