Читал аппноты от IR. Считал но почему то емкость получается порядка 10 мкФ. а на схемах в инете смотрю кондюк этот всего сотни нФ.

Если, к примеру полумост, то бустерный кондер (сотни нан) заряжается каждый период, и в свою очередь заряжает емкость максимум в 10 нан. зачем там микрофарады?

А для какой частоты вы считаете?

Частота 100 кГц

к примеру берем транзистор с зарядом затвора 67 нКл, в апноте сказано что для работы самой схемы сдвига уровней необходимо 5 нКл конденсатор берем обычныфй к примеру (т.е. пренебрегаем током утечки), потом берем величину тока драйвера (IR2153 = 0.3 А).
тогда:

Заряд который должен иметь бутстрепный кондюк равен:

2*ЗАРЯД ЗАТВОРА ТРАНЗИСТОРА+(ТОК ДРАЙВЕРА/частоту)+ЗАРЯД НЕОБХОДИМЫЙ СХЕМЕ СДВИГА =

2*67нКл+(0.3/100кГц)+5нКл =

= 3.139 мкКл

Тогда необходимый конденсатор должен иметь емкость больше чем:

2*3.139мкКл/(НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ-ПАДЕНИЕ НА ДИОДЕ+ПАДЕНИЕ НА НИЖНЕМ ТРАНЗИСТОРЕ) =

= 2*139.мкКл/(13-0.8-0.8) = 550 нКл

Но в формулу в апноте еще входи напряжение Vmin = Minimum voltage between VB and VS
Что значит это Vmin и чему оно равно я так и не выяснил.

Ну конечно получились не десятки мкФ, но кстати и не 10 нФ, плюс я не учитывал напряжение Vmin, которое может увеличить емкость.

Самый лучший вариант - отказ от бутстрепной емкости. При современной стоимости DC-DC преобразователей или обмотки в многообмоточном трансформаторе внутреннего БП в особенности.

это как. я к примеру делаю БП дежурного режима на основе IR21531.

БП дежурного режима лучше делать на этом:
[attachment=29919:TEA1623P...1623PH_1.pdf]
Особенно в условиях экономического кризиса. Дабы не расходовать хозяйские деньги.

это конечно хорошо, что лучше что хуже, НО мне хоца на IR21531 и я хочу понять как выбрать элементы.
Сейчас вопрос заключается в параметре:
Vmin = Minimum voltage between VB and VS

Каких величин может быть этот Vmin

Дак, а чего тут непонятного? В паузе бутстрепный конденсатор заряжается, в импульсе разряжается на емкость затвора. Когда конденсатор разряжется (теряет заряд), напряжение на нем уменьшается. Vmin - это до какого напряжения ему дозволено разрядиться - он ведь должен мосфет удерживать в открытом состоянии всю длительность импульса.
А есть драйверы, IR2155 например, у которых есть защита от пониженного Vbs (порог примерно 8 В).

Ваш результат в переводе на емкость означает, что даже керамика с диэлектриком Y5V на 50В емкостью 0,1мкФ подойдет.
Если не хотите самостоятельно проштудировать даташит на полевики, то считайте, что грубо Vmin=10В.

правильно ли я понимаю что нужно кумекать над графиком зависисмости напряжения GATE-SOURCE и тока DRAIN.

Да, правильно.

интересно мне, а вот до чего можно докумекаться гладя на эти графики.
то что Vmin =20V лучше чем Vmin =10V ??????
или наоборот?

При 20 вольтах, просто затвор пробьет и все. При недостаточном кол-ве вольтов транзистор не полностью откроется и тоже сгорит.

оказыватеся параметр Vmin указывается в даташите на драйвер и обзывается он там как Vbsmin.
К примеру для IR21531 он равен 4-5 вольта.
вот еще чего непонятно:
в доке IR присутвует еще рекомендация, которая гласит что полученную в расчетах емкость необходимо увеличить 15-ти кратно, для исключения того, что малая емкость зардиться быстро и напряжение на конденсаторе превысит рабоее его напряжение и тогда будет "бух".
Что скажеет по поводу этого? применяете рекомендацию?