у меня на входе постоянка, среднюю точку не получишь.

хотелось бы сквозной. если не удастся сделать на трансе+дросселе, то мать его так, тот ноль.


еще вопрос по датчику тока..
думаю влепить туда аллегру http://www.allegromicro.com/en/Products/Pa.../0756/index.asp
смущает только ее низкое быстродействие.
на шунте слишком много потерь да и помех даст на электронику не мало.
токовый транс тоже не подходит, тк его нужо гонять туда-сюда. хочется иметь "нормальный датчик тока на стоке".

Нет. В них не учтено то, что тот кусок провода, который соединяет верхний транзистор с нижним, тоже имеет индуктивность. К примеру.

и какая у него индуктивность? способна ли она устранить бросок тока в 200нс 40-50А?

Да бывает, в симуляторах помогает... Бросок бывает и артефактом...
А даже минимальная индуктивность это дело немного к реальности приводит...
Ну, от модели еще зависит, конечно...Сколько в ней допущений и упрощений...

У вас симулятор, вам и проверять. Я думаю что запросто. По крайней мере у меня, после того как я поздавал все паразиты, стало больше похоже на реальность.

спасибо! помучаю еще. сейчас пытаюсь смоделировать работу схемы.
у igbt релаьного хвост есть. так что надо это тоже учитывать. вмозьму на запас несколько

Вроде бы хвост спадающий, так что если не было в открытом состоянии 50А , то и броску такой величины взяться неоткуда...
Накачали его, к примеру, одним ампером, за мертвое время рассосалось пускай хоть половина, не всё ....Ну, с полампера и будет при переключении на противоположное плечо...Динамические потери немаленькие, но не с 50 же Ампер...

Наверное, все же глюк симулятора...

Есть схема с разделенным дросселем для подобных случаев, как бы две однотактных получается. Найти чего-то не могу , помню - была.

Представьте себе мощный биполяр со схемой управления такой , что запирающего тока базы нету, только отпирающий. Естественно у него будет большое время рассасывания. Накачиваем базу током , не рассасываем, и через 5 микросекунду пытаемся дернуть коллектор к противоположному питанию ток будет ну ооочень немаленький, хотя перед эти воде бы тока коллектора и не было (если нет нагрузкки или она очень мала). В описанных случаях первоначальный заряд "внутреннего" перехода б-э заряжается от паразитных и демпферных емкостей, и "ждет" когда ему дадут расосаться выходным рабочим током. А нормального рабочего тока то и нету , способного рассосать за оговоренное в даташите время.



увы, симуляторы иногда врут а иногда и нет

Просто спайс-модель pn-перехода не учитывает эффект рассасывания неосновных носителей. Хотя учесть можно, но это надо самому возиться. Я вот тут выкладывал буржуйскую статью и модельку к ней:
http://electronix.ru/forum/index.php?showt...mp;#entry558960

Учитывает вообще-то. На рисунке для нижнего диода я изменил параметр TT модели стандартного диода с 4.3 до 8 nS. Результат виден (красный график - время TT меньше, синий - то что я изменил ) .
В новых симуляторах (например SIMETRIX) есть как стандартная модель диода "D" , так и диода .model modelname SRDIO ( parameters ) "soft-recovery" , для которого имеется еще параметр "tau" - время жизни неосновных носителей.

И рассасывание у транзисторов наблюдается тоже в симуляторах.

Сообщение отредактировал тау - Jul 1 2009, 10:09

Пардон, что не вовремя. Поставьте 26 нГн как 2 индуктивности выводов

TT - это не то (время пролета носителей). Вот на картинке - типичная осциллограмма рассасывания носителей для супер-фаста SF26. Все это тянется аж 25 нс, а в модельке - какие-то пикосекунды. И даже у 1N4148 trr=4 нс. Как с новыми симуляторами не знаю, но классический спайс "не умеет" моделировать заряды, поэтому для Qrr нужно мастерить описательную модель.

Это да. Однако кто ж в базу (для нашего случая) накачает тока более, чем нагрузочный деленный на коэффициент передачи... А тут получается именно так - накачали столько, что к примеру на выходе , в эмиттете, уже 1А и более не накачивают, выключили. А откуда взялся ток, обеспечивающий в эмиттере 50А - непонятно... Притом биполярный - не полевой, на базе вечно висеть заряд не станет, на переходе база-эмиттер тоже разряжается потихоньку...

А мне показалось что умеет, но несколько кривовато, не для soft- recovery
http://www.mathworks.com/access/helpdesk/h...diodespice.html
(вторая табличка от верха - заряд зависящий от ТТ)
Да фиг с ними, с диодами, речь шла о рассасывании в транзисторах, оно ж моделируется.

Синяя линяя - напряжение б-э, зеленая - генератор импульса , красная - коллектор


возможно , повышенный заряд в базе , связанный с падением коэффициента передачи тока при малых напряжениях.

Седня пробовал практически. действительно, если зарядить затвор, потом разрядить, при низком токе коллектора, затем увеличить ток на порядок (я коротил резистор полевиком), то скачек все же происходит. какой длительности - не скажу, нету запоминающего осцила. но судя по помехам ток не маленький и длительность тоже. в случае полевика такого явления не происходит.


помогает, только, если в реале такое будет происходить (будут накачиватся большим током проводники ПП), то помехи от схемы будут немаленькими.
в периодом 30us, да по 2 качка в 100нс пусть даже 10А, это совсем не здорово.
вообще, IGBT, я так понял, расчитаны на постоянную более-менее определенную нагрузку (типа тролейбуса ) а здесь нагрузка может быть 100ма, а может и 22А

пс. В какой проге можно совместить Verilog код со SPICE аналоговой частю? уж сильно геморно делать логику средней сложности на дискретных элементах.. в хелпе микрокапа не нашел


мне тож показалось, что умеет. брал модели с сайта IRF