Доброго времени суток!

Вопрос такой, при изготовлении четверки диодов или МОП транзисторов для пассивного смесителя в кремниевой технологии с изоляцией p-n-переходом возникает неопределенность с подключением вывода подложки (в частности p-типа), т.к. питания нет, то сместить изолирующий переход получается нечем. Из общего анализа схемы, получается, что ничего криминального тут нет. Недостаток лишь в том, что паразитная емкость больше, чем при смещении подложки наиболее отрицательным потенциалом. Но возможно есть еще какие то "подводные камни"...?