У меня есть 2 платы на одной находится микроконтроллер на другой полевик,расстояние между платами около 3м. Можно ли защитить полевик от самопроизвольного открывания, если да то каким образом или же необходима опторазвязка?

Резистор и стабилитрон от затвора к истоку у самого полевика. Сигнал вести витой парой в оплетке

подтянуть затвор к GND с помошью резистора на несколько кОм (это если у тебя N-канальный полевик)

4,7 кОм хватит?

хотел сразу написать ДА! но решил спросить - что за полевик?

IRL530N, частота переключения 2Гц, управление соленоидом

Хватит.
А чем ты полевик этот отпираешь? логическим уровнем МК?

уже глянул даташит - Logic-Level Gate Drive, вобщем ставь 4,7кОм и не парься

Сообщение отредактировал tourist - Sep 9 2009, 11:54

Да

этого достаточно

Как вы думаете работать будет?

Будет, но недолго и ненадежно.
Во-первых, полевик выбран неправильно. Надпись Logic-Level Gate Driver в даташите совсем не обозначает, что с помощью данного MOSFET можно управлять от МК нагрузкой любой мощности. Догадайтесь с трех раз, графики в даташите для кого/чего приводятся?
Во-вторых, по линии связи/управления нужно передавать не потенциал, а ток.
В-третьих, выход МК, торчащий наружу трехметровым проводом это источник потенциальных проблем с устойчивостью работы самого МК.

Я бы отвязал выход МК каким-нибудь буфером. Сопли по 3 метра ничего хорошего не обещают.

Каким буфером например? А может лучше опторазвязка.


Нагрузка небольшая всего 1.5А

Работать будет, только надо правильно подсоединить землю и питание. Ток срабатывания вашего соленоида ни в коем случае не должен проходить по земляному проводу между процессором и транзистором. Земля транзистора и земля процессора должны соединяться в одной точке возле источника питания. Резистор R1 должен находиться возле процессора, а не возле транзистора, тогда он будет служить буфером.

Не совсем понятно, можно пояснить
А R1 как раз стоит возле микроконтроллера. Может еще возле транзистора поставить?

Это вам только кажется, что небольшая. А вы посчитайте немного.
Если принять индуктивность провода порядка 10нГн/см, то на 3м выйдет уже 3мкГн. Включение соленоида описывается формулой dI/dt=Us/Ls. Где Us напряжение питания соленоида, а Ls - его индуктивность. Выброс на индуктивности проводов от коммутационного тока Uп=Lп*dI/dt. Отсюда следует Uп=Us*Lп/Ls. При указанных условиях и при величине индуктивности соленоида хотя бы единицы мГн амплитуда выброса может достигать единиц Вольт. Причем эта помеха при ошибочной трассировке платы вполне может оказаться приложена к питанию МК. Вам оно хочется?
Я конечно привел весьма грубую оценку коммутационной помехи, но думаю она довольно показательная.