А раз нет диодов, то может быть стоит подумать и о конкретных IGBT?

Ну, едва ли меня занесло...
В рабочем дросселе ток может быть прерывистым, вкачивая импульсами порции заряда в накопительную емкость...

Я не стану иронизировать и приводить в пример какой-нибудь флай , который на выходе вообще постоянный ток обеспечивает, тем не менее работает в прерывистом режиме...




200-300 нс - не хорошо для лобового решения...
При таком времени восстановления годятся только решения с спадающим током на момент включения...
Ну или решения типа задержки нарастания тока...


Ага, хороший.
По крайней мере боди диод у него вдвое быстрее...
Но падение на нем в два раза больше при 40 А

Быстреют IGBT все время...Скоро решусь начать применять их...

А я уже.
А если переходить на IGBT, то топикстартеру надо поднять напряжение батареи втрое.
И все будет ОК. Ток упадет.

Да у меня лежат образцы упомянутых...
Как решу с динамическими потерями - чего-то соберу...
Не люблю hard режимы...



Это уже на большую мощность...
А можно и понизить - спараллелить аккумуляторы для удобства работы...
Тогда и с мосфетами как-то попроще... А то шоттки не втыкнуть если захочется...

Я как-то прикидывал это дело. Получается, что овчина выделки не стоит.
При резонансе снижаются динамические потери, но возрастают статические из-за непрямоугольности импульсов.
Получается замена шила на мыло, только при возросшем расходе полезных материалов.


С мосфетами - перерасход материалов для классических мостовых и полумостовых схем.
Правда, в схемах с косым полумостом и при синхронном управлении трансом в остальных приложениях,
когда встроенные диоды практически не работают - несколько иной компот...

По-разному можно же... Резонанс необязателен и не везде годится.
Кроме того, как раз IGBT вроде как непрямоугольность тока - не мешает, как диодам...




Я сижу пока на низких вольтах и больших токах... Мне мосфеты лучше...
В статике особого экономического выигрыша до 400 V питания не увидел для себя.
А дубовость их предполагаемая не сильно увлекает - защищать надо как бы, а не рассчитывать на дубовость...

В принципе до этого детища я собирал изолированный от сети трехфазный инвертор (21кВт по 7 на фазу, фазы независымы друг от друга, типа стабилизатора с собственной нейтралью) на IGBT (IRGPS60B120KD), а на полевиках это первое мощное. IGBT работают по мягче токов КЗ не так боются, но греются по круче КПД не ахти, а полевики холодные КПД 0,95. Хотел сразу на IGBT но не нашел низковольтных. Сейчас у меня лежат правда 2шт. IRGP35B60PD и 6шт. IRGP30B120KD - слишком высоковольтные и ток под пределом будут кипятком стоять.
Была сразу задумка сделать DC/DC (+96В/+-375В) и дальше полумост на IRGP30B120KD или несколько в параллель полумостов и через фильтр нижних частот (LC).
Вообщем прийдется єтот уже добивать.

orthodox, каюсь. Может я я поспешил с выводами. Мешает зашореность частотным приводом. Там фильтров во многих случаях вообще нет, а ток в двигателях чистенькая синусоида (напряжение на выходе естественно прямоугольное). Но то о чем вы говорите подразумевает активную нагрузку на выходе емкостного фильтра. Не спорю сформировать синусоиду в этом случае можно. Но индуктивная нагрузка и сдвиг тока относительно напряжения....? нужно думать... тема интересная... .

Здесь получается, что при таком разделении реактивности самой нагрузки вообще "дробятся на куски" и не важны почти.
То есть непосредственно в процесс нарезания синуса не лезут как бы...

Начал продумывать параллельно с тем что раньше делал на эту тему, совместимо вроде...

И получим то, с чем боролись. Не надо низковольтные ничем шунтировать, а надо найти на необходимое напряжение.

Нет. У низковольтных шоттки падение меньше, и шоттки ставятся даже не для скорости, а для низкого падения.
Открываться будет быстрый параллельный диод.
Но при закрывании мало ли какие выбросы - оттого и защитный параллельный маломощный к последовательному шоттки, на всякий случай...

Я не навскидку советовал, а кагбы в теме...

Нарисовать?

Нарисовайте... Хотя, и так вроде ясно... Хотите сказать, что боди-диод не будет открываться вообще?

Ага...к нему шоттки окажется встречно...Не то чтобы старались - просто так вышло...

Вообще-то шоттки либо открыт, либо закрыт напряжением порядка 1 вольта - но поскольку токи в схеме приличные , то ради приличия и по причине паранойи насчет игольчатых выбросов обратно-параллельно ему ставим еще маломощный..Ну, не обязательно, конечно.[attachment=36383:______1.jpg]

Здесь D1 - боди диод
D2 - низковольтный шоттки
D3 - маломощный высоковольтный диод на случай паранойи
D4 - быстрый диод взамен медленного боди диода для приема реактивного тока.

А мне по душе пока нарезания синуса по методе частотника, во-первых простота схемы, без заморочек получается чистый синус при чем даже под индуктивной нагрузкой. Пробовал очень давно нарезать синус при помощи DC конвертера с задающим сигналом синуса для обратной связи регулировки амплитуды напряжения, добиося кВт но с такой ужасной синусоидой, то есть вся была в пульсациях по контуру, да и сам преобразователь шуршал, хотя частоты за 20кГц были. Вообщем не получилось.
Ребята, все таки кто подскажет как мне лучше запараллелить полевики, с IGBT понятно, а вот полевики не знаю. Или их запараллелить полностью, или:
1. Запараллелить как есть кроме затворов, а затворы развести резисторами.
2. Собрать рядом второй мост, то есть получиься два моста управляющих от одних драйверов разнесенных резисторами, для каждого моста дроссель, эти дросселя соединяются в одну цепь на кондер фильтра. Индуктивность каждого дросселя настроить до нужного ограничения по току.
Что можно ожидать в первом и втором вариантах. Большая просьба прокоментируйте, завтра буду собирать в кучу а метаюсь не зная как лучше сделать. Сейчас накидаю варианты на рисунке, тут показан вариант 2, в нем в дополнение нарисовал сверху один дроссель с двумя обмотками - может на одном сердечнике собрать?

Жду с нетерпением рекомендаций!
С ув. Сергей

Сообщение отредактировал sna - Sep 18 2009, 13:22

Кстати, хотел спросить заодно. Скажем, для формирования синуса ШИМом используем N периодов модулирующей частоты на период (или на полпериода, неважно) формируемой. Длительность импульса варьируется с определённой дискретностью, определяемой разрешающей способностью ШИМа. Допустим, минимальная длительность такого импульса и есть шаг квантования. Итого, имеем К возможных значений длительности. Значениями N и К будет определяться необходимая тактовая частота для формирования ШИМа, которая всегда небесконечна. Вопрос: каков оптимальный компромисс между величинами N и К с точки зрения лучшего приближения к синусоиде? Как их выбирают?