US Patent № 5.198.969 от 30 марта 1993 года.

Только есть одна хитрость - среднюю точку диодов лучше не на прямую соединять, а через емкость.

А можете ссылку или схемку? а то гугл чтото не справляется

Сообщение отредактировал frz - Oct 2 2009, 09:23

Вообще, в мериканских патентах много чего полезного можно найти.

Интересная вещь, правда разбираться с полдня с ней. И для меня неочень технологично- резонансный дроссель и трансы вынесены с платы, тянуть дополнительные провода не хочется, но если больше ничего не придумаю, то видимо придётся. Вы сами этим методом пользуетесь?

Использую. Правда, там есть хитрость - диоды создают дополнительный контур циркуляции, с которым можно нажить проблемм (перекос резонансов в стойках, перегрев стойки, к которой прислонен резонансный дроссель). Наиболее правильный вариант - ставить резонансный дроссель в пассивную стойку, тогда, за счет частного контура циркуляции, ей жить легче становиться на малых нагрузках. Поэтому, лучше всего среднюю точку диодов к точке дроссель-трансформатор привязывать через проходную емкость, ограничивающую реактивность в цепи диодов (подбираемую при симулировании/регулировании).

Преимущество этого метода (фиксация средней точки индуктивностей) - ЗНАЧИТЕЛЬНО меньше звонов (ток и напряжение в диагонали - как в учебниках рисуют ) и отсутствие выбросов на выходном выпрямителе (уходят диссипативные снабера - растет КПД).

Сообщение отредактировал Integrator1983 - Oct 2 2009, 10:05

Я тут посчитал- поприкидывал, и возник следующий вопрос - вы не пробовали ZVS без внешнего дросселя? по моим прикидкам оно и так должно работать(за счёт тока магнетизации и выходной индуктивности), это мой первый квазик, такчто не пинайте сильно

Работает. Но на небольших токах и мощностях, где можно работать на паразитной емкости сток-исток. Либо в трехфазной схеме, где энергия циркулирует в звезде. На больших мощностях, где появляются токи выше 10-20 А с соответствующим dU/dt либо IGBT, не любящие dI/dt, что требует навески внешних емкостей, вспомагательные контура и т. д., а еще лучше - емкостные фильтры (без выходной индуктивности) - проще поставить внешний дроссель и не заморачиваться с паразитами трансформатора. Правда, встречал статьи (че-то типа диссертации ), где знатоки на одном феррите городили резонансный дроссель, трансформатор и еще и дроссель фильтра, но я до такого извращения еще не дорос.

Сообщение отредактировал Integrator1983 - Oct 2 2009, 10:30

Перехожу к более тупым и фундаментальным вопросам, а то что-то начинаю сомневаться - как понять происходит ли ZVS?

Сообщение отредактировал frz - Oct 2 2009, 10:36

Самый простой способ - стать двумя каналами на СИ и ЗИ одновременно и увидеть разнесение сигналов. По напряжению СИ - фронты должны быть монотонные, без полочек. По напряжению ЗИ - фронты также должны быть монотонные, без рогов. Но это все методы косвенные, подходят в общем только для MOSFET. Для IGBT, да в принципе и для MOSFET, наиболее строгий метод - смотреть одновременно напряжене СИ и ток канала и минимизировать их пересечение.

Ну и оценка потерь в силовой.

Так и делал(Uси,Uзи), ща выложу осциллограмки

Давайте.

На осциллограммах 1 канал- Uси 50В/дел 2й-Uзи 5В/дел
Напряжение СИ не полностью влезло..
без нагрузки, для ZVS не хватает запасённой энергии(и времени)

При полной нагрузке(2500Вт), ZVS вроде происходит:


Сообщение отредактировал frz - Oct 2 2009, 11:30

Изумительно правильные картинки! Только, судя по всему, ADS не работает?

Хотя, если я не ошибаюсь, все-таки работает.

ADS работает, правда не стал задавать сильные изменения мертвого времени(меняется раза в 1.5-2).
Но самое интересное - РАБОТА ТОЛЬКО НА ПАРАЗИТАХ! Нет ни внешних емкостей, ни дросселей До этого висел дроссель, убрав его немного стали круче фронты, но по-видимому ZVS всёравно происходит..
Кстати и на выходе получше стало- ширина выброса прилично уменьшилась:


Сообщение отредактировал frz - Oct 2 2009, 11:48

Происходит. На хорошей нагрузке строго видно. Если ключи не греются и не горят - прекрасно!

Сообщение отредактировал Integrator1983 - Oct 2 2009, 11:44