мелкий оффтоп - как мне видится по рисунку, в технологии допустимы контакты к поликремнию прямо над активной областью? или там кусочек локоса все же есть? Ну в общем, а как оно учитывается при моделировании - оно ведь должно как минимум влиять на w/l. LVS и RC-x это все нормально понимает? Или пришлось их подшаманить?

Конечно, островок окисла под контакт к поли есть, контакт к поли над эктив запрещен категорически. Никакого шаманства, усё по рулам. Качество картинки плохо передает все тонкости.
Экстрактор неизбежно имеет погрешность определения L и W из-за 45-ти градусности и "шейки" затвора к его "головке". Но, эти добавки меньше "ворот" технологических разбросов параметров и перекрываются при моделировании с "воротами" как овца быком.

Странно - а тут товарищи из ЦЕРНа утверждают, что 90нм имеют гораздо большую рад стойкость, чем 300нм. Якобы потому что объём меньше - а стало быть и образующийся заряд.
А 1мкм вроде как и даже не рассматривается.
Это всё со слов - могу статьи спросить...
Может они это , чтоб свои чипы протолкнуть? Или есть какие-то моменты технологии?

Нет, это правильно. Чем меньше объем подзатворного диэлектрика, тем меньше уход заряда.
Однако, это не противоречит тому, что и по 10-ти мкм маршруту можно получать высокую стойкость.
Также, заряд в окисле - не единственная причина уровня стойкости, их "букет". Но, одна из важных, конечно.

Если кто-то там не хочет чего-то рассматривать - это его личная проблема или достоинство.
В РФ полноценных маршрутов ниже 1.2 мкм с приемлемым выходом годных до сих пор нет.
А трындежа про субмикроны и нанотехи - "полные штаны".... Ну, Вы в курсе, наверное.

А планету Вашу знаем и уважаем.

Интересно, а зарубежные монстры тоже "оптимистично думают" о нужности штуковин, или все-таки проводят исследования рынка, общаются с потенциальными покупателями и выясняют реальные потребности людей?

По разному. Обычно, крупные фирмы "запрягают" параллельно кучу разработок. Часть из них уходит в корзину. Общий итог положителен за счет "стрельнувшего" процента. Он, кстати, бывает и единицы процентов от общего первоначального объема работ.
Относительно небольшие фирмы не могут себе позволить такой стратегии, поэтому и пролетают гораздо чаще.

А "реальные потребности людей" спрогнозировать можно лишь в очень малом числе случаев. В основном, банальных. Да и то, можно опоздать - кто-то уже "спрогнозировал" быстрее.

"Оптимистично думать", Жека, - единственный надежный критерий при начале работ. При этом полагаясь на свой опыт и интуицию. Это не маркетология в супермаркете.

Естественно, сказанное относится только к инициативным разработкам.
Когда есть конкретный заказчик, всё упрощается - риски уже его, в основном.

1887ВЕ1У аналог ATmega8535 делает ФГУП "Научно-исследовательский институт электронной техники", а также у них есть еще другие микроконтроллеры

Раньше драли значительно больше, что-то скромный списочек. Печально что нет ничего своего из микроконтроллеров. Китайцы дерут один в один, названий своих не выдумывают.
Дерут и развивают свое, теперь у них много своих разработанных микросхем, чего не было ни у кого. С аналоговыми, с логическими микросхемами понятно, драть надо - срок жизни большой. А вот с процессорами, микроконтроллерами не очень. Драть опасно, если хотим в светлое будущее. Особенно касаемо 8 и 16 разрядных. Их время ушло и их надо в музей, как лампы. ( Я о массовости а не об отрицании; а то многие не то поймут еще) По причине того, что 32 разрядные сегодня дешевые их много и они достаточно развиты. Я про ARMы например. Выпускает много компаний, отладочными средствами поддержаны хорошо. Вот с чего нам сегодня надо начинать!

Дерут-то не по своей инициативе. Это же ОКР от МО, а там небось написано, что аналог того-то и того. Да и кому нужен микроконтроллер без средств разработки и отладки. Это же деньги, а в ТЗ от МО только микросхемы без ПО.

И то, делают по ТЗ и если не получилось, корректируют ТЗ так что о полном аналоге речь идти не может

Когда как. ТЗ скорректировать - это тоже знаете-ли не два пальца ...

Не совсем... +ещё медь изрядно гадит